Pt/Nafion改性膜在直接甲醇燃料电池中的应用

为了降低由于甲醇渗透导致的电池性能损失,合成了具有阻醇作用的Pt纳米颗粒,并将其用于对Nafion膜的改性.实验结果表明:同原来的Nafion膜相比,Pt/Nafion改性膜具有更低的甲醇渗透率,在高温及高浓度甲醇的测试条件下,表现出更优异的电池性能.     

气液两相流体润滑技术在滚动轴承中的试验研究

介绍了一种新型的润滑技术———气液两相流体润滑,对该润滑技术在滚动轴承中的应用进行了试验研究,证明气液两相流体润滑在高速、超高速滚动轴承的应用中具有良好的性能,并将油气润滑与油雾润滑作了对比.     

利用共振隧穿器件制作太赫兹波源

太赫兹波是振荡频率在100GHz～10THz范围的电磁波,利用共振隧穿器件高频高速的特点,适宜制作此波段的振荡源器件。指出与其他类型的太赫兹源器件相比,共振隧穿型太赫兹波源器件具有体积小、重量轻、便于与控制电路集成以及易于进行调制等特点;此外,还适宜用Si透镜进行功率合成,增大其总发射功率。给出几种重要太赫兹共振隧穿器件的结构、制造工艺和器件性能,作为太赫兹技术领域的研究人员选择太赫兹波源器件的参考。     

PVI/Pd-Nafion改性膜在直接甲醇燃料电池中的应用

用聚乙烯基咪唑/Pd复合物制作浸渍液,对Nafion膜进行浸渍,实现Nafion膜结构改性。并对Nafion改性膜的质子导电性、甲醇渗透性与未改性Nafion膜进行了对比测试;基于改性膜和未改性膜分别组装了单电池,对其性能进行测试。结果表明:改性膜中聚乙烯咪唑和Pd的含量随浸渍时间的增长而增加。同未改性Nafion膜相比,浸渍20 h得到的改性膜具有更低的甲醇渗透率、更高的质子电导率,电池性能明显提升。应用改性膜可改善直接甲醇燃料电池的甲醇渗透问题。     

4H-SiC npn双极型晶体管的研制

采用国产的4H-SiC外延材料和自行开发的SiC双极晶体管的工艺技术,实现了4H-SiC npn双极晶体管特性。为避免二次外延或高温离子p+注入等操作,外延形成n+/p+/p/n-结构材料,然后根据版图设计进行相应的刻蚀,形成双台面结构。为保证p型基区能实现良好的欧姆接触,外延时在n+层和p层中间插入适当高掺杂的p+层外延,但也使双极晶体管发射效率降低,电流放大系数降低。为提高器件的击穿电压,在尽量实现低损伤刻蚀时,采用牺牲氧化等技术减少表面损伤及粗糙度,避免表面态及尖端电场集中,并利用SiC能形成稳定氧化层的优势来形成钝化保护。器件的集电结反向击穿电压达200 V,集电结在100 V下的反向截止漏电流小于0.05 mA,共发射极电流放大系数约为3。     

多媒体创作工具与数据库的接口

介绍了多媒体创作工具和数据库接口的功能，结构和实现方法，接口结构共分为四层，自上而下分别是：多媒体应用程序、数据库驱动管理程序，数据库驱动程序和数据来源，即数据库和数据库管理系统。通过该接口、上层多媒体应秀可以透明地存取下层数据库中的数据。目前该接口允许访问ｄＢＡＳＥ、ＦｏｘＢＡＳＥ、ＦｏｘＰｒｏ和ＯＲＡＣＬＥ等数据库。     

土地纠纷解决与乡土秩序重建

近年来,随着农业基础设施的逐渐完善,土地经营条件发生了重大变化,农村的"被城市化"现象日渐突出,土地互换纠纷逐年增多。以山东潍坊农村调查为实例,探讨土地互换纠纷案件的解决方法,阐释了乡土秩序重建的可能性。     

流场沟槽对质子交换膜燃料电池性能的影响

合理的流场结构能够提高燃料电池性能以及燃料的利用率。通过建立新型流场结构,对新型流场的速度矢量、流道内压力分布、阴极氧含量的分布等进行了分析。研究结果表明:在流道内压降合理的情况下,在流道轴线上建立均匀分布、不同数量的矩形沟槽时,矩形沟槽数N=5为最适宜的沟槽数;在流场中分别加入波浪形沟槽、矩形沟槽和三角形沟槽,对电池性能均有所提高,其中,波浪形沟槽的效果要优于矩形沟槽和三角形沟槽。     

对蛇形流道结构的DMFC中气泡段特性研究

为了研究微型直接甲醇燃料电池流道的横截面积对气泡流动的影响,采用FLUENT中的VOF方法对蛇形流道进行研究,假设深度变化范围在0.2mm-0.6mm之间,跨度为0.2mm;台肩宽度变化范围在0.2mm-0.5mm之间,跨度为0.05mm。在模拟的过程中,假设流动方式为层流、均为不可压缩流体,忽略重力。研究结果表明：随着流道深度的减小,蛇形流道的进出口压力降增大,因此在设计工艺允许的条件下,可以尽量减小流道深度;台肩宽度与流道宽度相近时即台肩宽度为流道宽度的0.75～1倍时,气泡段排出流道时间较短,且进出口压力降较大。     

n型4H-SiC同质外延层上欧姆接触的研究

介绍了n -SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n -SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离(0001)方向7.86.的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得.对于n -SiC/Ti/Pt接触系统,通过合金实验得到最优的欧姆接触制备条件,得到最小的比接触电阻为2.59×10-6 Ω·cm2,满足器件性能,为各种SiC器件的实现奠定了基础.同时,该接触系统还具有很好的高温稳定性,在100 h的400℃高温存储实验后,其比接触电阻基本稳定.