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1.
海南千年塔     
该塔位于海南热带海洋世界公园的中轴线的尽端,北临大海,是整个公园的至高点和景观焦点,塔身六根。抛物线钢柱相交叉形成的优美的整体造型,赋于千年塔远近景观形象以深远的象征和纪念意义。  相似文献   
2.
何庆国  李霆  骆顺心 《华中建筑》2011,29(7):100-103
该工程为120m跨的单层建筑,采用张弦桁架结构.针对常规张弦桁架室内观感效果较差的缺点,提出了一种上部为变截面桁架的张弦桁架结构形式.该文详细介绍了屋盖结构选型、张拉力选择、稳定分析和节点设计等,对同类工程有重要的参考价值.  相似文献   
3.
组合式非周期缺陷接地结构的滤波特性研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
提出了一种新型的具有双阻带特性的组合式非周期性缺陷接地结构(CNPDGS),利用时域有限差分法(FDTD)对其滤波特性进行了电磁仿真,研究了其结构尺寸变化对阻带特性的影响,研制了带宽可调节的双阻带滤波器,测量结果与仿真结果一致性很好,此结构的双阻带中心频率位置及它们之间的间隔随着结构参数的变化而变化,两阻带之间的间隔可从3.5GHz到12GHz.这种新型结构可有效地抑制信号中的低端和高端干扰,具有较好的带通滤波特性.  相似文献   
4.
描述了以PHEMT为有源器件的8~12GHz宽带低噪声单片电路的设计及制造,获得了满意的结果。其性能为f=8~12GHz,Ga=17.4~19.5dB,Fn=1.84~2.20dB;f=8~14GHz,Ga=17.4~19.9dB,Fn=1.84~2.5dB  相似文献   
5.
太赫兹倍频器是实现太赫兹源的重要途径之一。基于线性叠加技术,研制了0.38 THz单级无源四倍频单片。采用平面环形巴伦与正交混合网络级联的方式,设计了四路移相功分结构,通过零电长度合成,实现了单级四倍频,同时基波和其他无用谐波得到了很好的抑制。设计中先对无源结构进行三维电磁场仿真,然后与有源部分联合仿真优化,在370~410 GHz频率范围内,变频损耗小于25 dB。  相似文献   
6.
曹建新  尹奎  何庆国 《安装》2016,(9):23-24
建筑密集管道预制组合技术是一项全新的施工技术,可以有效保证管道密集区域施工安全、经济、高效的进行。该项技术创新实现了建筑管道安装工业化,通过预制组合技术与BIM技术相结合,实现了设计施工一体化,现场作业工业化、集成化,技术先进,具有显著的社会效益和经济效益。  相似文献   
7.
为了更准确地设计功率放大器,放弃了依靠调试的设计方法而采用负载牵引法进行大信号参数提取并以此为基础进行放大的设计.阐述了管芯大信号模型理论,介绍了利用负载牵引技术对管芯进行大信号参数的提取过程,运用ADS软件对功率放大器的微波性能如增益、驻波比和功率附加效率等进行了优化,并在此基础上设计了S波段小型化功率放大器模块.制作的单级功率放大器模块在500 MHz带宽内Gp>9 dB,VSWR≤1.5:1,Pou≥34.6 dBm.  相似文献   
8.
太赫兹波是振荡频率在100GHz~10THz范围的电磁波,利用共振隧穿器件高频高速的特点,适宜制作此波段的振荡源器件。指出与其他类型的太赫兹源器件相比,共振隧穿型太赫兹波源器件具有体积小、重量轻、便于与控制电路集成以及易于进行调制等特点;此外,还适宜用Si透镜进行功率合成,增大其总发射功率。给出几种重要太赫兹共振隧穿器件的结构、制造工艺和器件性能,作为太赫兹技术领域的研究人员选择太赫兹波源器件的参考。  相似文献   
9.
6~18 GHz超宽带微带均衡器设计与实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
6~18GHz超宽带微波组件幅频特性起伏比较大,采用幅度均衡器可有效改善增益平坦度,使其满足指标要求。根据谐振理论和传输线理论进行了6~18GHz超宽带微带幅度均衡器设计。利用ADS和HFSS仿真,采用λ/4的开路微带线和薄膜电阻构成谐振频率可调、品质因数可调、带宽可调以及均衡量可调的谐振单元,同时增加适当的调节块对谐振频率进行微调,设计出满足指标要求的小尺寸样件,得到了所需的均衡曲线。实验表明,可以在这个频段上高效、准确、灵活地设计出所需均衡器。  相似文献   
10.
基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器.简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaN HEMT器件的基本尺寸和性能,并采用ICCAP提取了合适的大信号模型,通过器件性能优选拓扑结构,最终运用宽带匹配的方法并结合较先进的仿真软件设计了一款GaN宽带单片功率放大器.测试结果表明,单片放大器脉冲工作方式下在2~7 GHz频带内,小信号增益G>18 dB,输入回损<-10 dB,脉冲饱和输出功率Po>5 W,功率增益GP>15 dB,典型功率附加效率25%(测试条件为脉宽100μs,占空比10%).GaN HEMT器件具有较高的功率密度和良好的宽带特点.  相似文献   
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