电吸收调制器产生光脉冲的波形和啁啾的测量

利用条纹分辨二次谐波相关法,对电吸收调制器产生的光脉冲进行了测量.在不假定光脉冲波形情况下,通过迭代计算,重建光脉冲的波形和位相.在2.5GHz微波调制下测量得到,电吸收调制器产生的光脉冲半极大全宽为30.8ps,波形接近sech2型,频率啁啾约3.8GHz.     

聚合物9×9阵列波导光栅复用器的工艺研究

首次采用铝掩模工艺制备出9×9硅基聚合物阵列波导光栅(AWG)复用器.结果表明,在AWG器件制作工艺上,铝掩模技术明显优于厚胶掩模技术.用这种技术制备的器件,其结构指标与理论设计相符合.     

1.3μm InGaAsP/InP大功率短脉冲SPB-BC激光器

本文在传统的掩埋新月型激光器的基础上，提出了一种１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ大功率激光器结构－选择性质子轰击掩埋新月型激光器（ＳＰＢ－ＢＣ）．文中对其制作过程及特性进行了详细的描述和测量．它的最低阈值电流小于１０ｍＡ，对于ｎ－ＩｎＰ衬底，它的最大输出功率为６５ｍＷ，ｐ－ＩｎＰ衬底，最大输出功率为８０ｍＷ．在重复频率为２．１ＧＨｚ时，测得光脉冲的半宽度（ＦＷＨＭ）为１８ｐｓ．     

1.3微米InP/InGaAsP多层限制掩埋新月型激光器

我们采用二次液相外延技术研制出1.3微米低阈值、稳定基横模激射多层限制掩埋新月型InP/InGaAsP激光器.典型室温连续工作阈值电流20mA,最低值10mA.在3-5倍阈值工作电流下仍可以稳定的基横模激射.单面微分量子效率为20-30％.     

新型互补式宽频带线性移相器

提出了一种新型互补式宽频带线性移相器,分析和讨论了它的基本原理,给出了理论证明.移相器移相范围可达720°,带宽扩展一倍,非线性得到了完全补偿.实验与理论符合得很好.     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .     

Analysis of Characteristic Impedance and Effective Dielectric Constant of Asymmetrical Coplanar Waveguide with Finite Dimensions

Conformal mapping techniques are used to obtain the closed-form expressions of the characteristic impedance and effective dielectric constant of the asymmetrical coplanar waveguide with finite line dimensions and substrate thickness. These closed-form expressions are generally applicable to design various particular types of coplanar waveguide transmission lines.     

砷化镓共面波导内部微波信号的电光取样检测

本文报道了共轴反射式电光取样系统。该系统时间分辨率不低于20ps,空间分辨率不低于3m。用它检测了砷化镓共面波导内部的微波信号。这套系统将被应用于砷化镓高速集成电路内部特性的在片检测。     

增益开关半导体激光超短脉冲研究

本文对增益开关法产生半导体激光超短脉冲进行了理论分析和实验研究，得到一些有意义的结论．     

1.3μm InGaAsP/InP大功率短脉冲SPB-BC激光器

本文在传统的掩埋新月型激光器的基础上，提出了一种１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ大功率激光器结构－选择性质子轰击掩埋新月型激光器（ＳＰＢ－ＢＣ）．文中对其制作过程及特性进行了详细的描述和测量．它的最低阈值电流小于１０ｍＡ，对于ｎ－ＩｎＰ衬底，它的最大输出功率为６５ｍＷ，ｐ－ＩｎＰ衬底，最大输出功率为８０ｍＷ．在重复频率为２．１ＧＨｚ时，测得光脉冲的半宽度（ＦＷＨＭ）为１８ｐｓ．