聚合物阵列波导光栅复用器的研究

介绍了聚合物阵列波导光栅（AWG）复用器的基本原理，进而用Al掩模制做聚合物AWG光波导。结果表明：AWG器件的制做工艺，Al掩模技术明显优于厚胶掩模技术。用这种技术制备的器件，其结构指标与理论设计相符合而且波导在1.55μm处实现了单模传输。     

氟化聚合物光谱响应平坦化阵列波导光栅的优化设计和制备

本文基于阵列波导光栅(AWG)的传输理论,利用含氟聚合物(PFS-co-GMA)共聚物材料,对17×17信道光谱响应平坦化AWG波分复用器进行了参数优化.由于在聚合物阵列波导光栅器件的制备过程中,选用了反应离子刻蚀(RIE)工艺和蒸汽回溶技术,形成的梯形截面波导芯,使AWG传输的光产生相位移,导致传输光谱移动,引起串扰...     

工艺公差对阵列波导光栅波分复用器性能的影响

依据阵列波导光栅(AWG)的传输理论,分析了工艺公差对硅基聚合物AWG波分复用器性能的影响.分析结果表明,工艺公差将引起AWG传输光谱的漂移,并使串扰增大.为了实现AWG器件正常的解复用功能,我们对AWG工艺公差的累积和补偿效应进行了讨论.     

工艺公差对阵列波导光栅波分复用器性能的影响

依据阵列波导光栅(AWG)的传输理论,分析了工艺公差对硅基聚合物AWG波分复用器性能的影响.分析结果表明,工艺公差将引起AWG传输光谱的漂移,并使串扰增大.为了实现AWG器件正常的解复用功能,我们对AWG工艺公差的累积和补偿效应进行了讨论.     

新型直波导阵列波导光栅的设计与仿真

提出了一种基于直波导的新型阵列波导光栅(AWG).与常规阵列波导光栅器件相比,该方法简化了器件结构与制备工艺,有望提高器件成品率,降低器件制作成本.器件的输入/输出耦合器采用自聚焦平板波导(GISLAB),其输入/输出均为平端面.阵列波导采用直波导取代常规AWG的弯曲波导,可采用光敏平板波导材料通过两次紫外写入实现.采用半矢量光束传输法对器件进行模拟,结果表明该器件可以实现多波长的解复用,其解复用的信道间隔为3.2 am,输出光谱非均匀性约为1.6 dB.     

偏振不灵敏硅基二氧化硅阵列波导光栅设计

以深刻蚀和热氧化工艺为基础,提出了一种新的阵列波导光栅(AWG)制备技术.这一工艺可使AWG中的波导侧向留有一硅层.采用有限元法和有限差分束传播法分别计算了存在这一硅层时的波导应力分布和有效折射率.结果表明由于这一侧向硅层的存在,使AWG中波导在水平和垂直方向的应力趋于一致,AWG的偏振相关波长明显减小     

偏振不灵敏硅基二氧化硅阵列波导光栅设计

以深刻蚀和热氧化工艺为基础,提出了一种新的阵列波导光栅(AWG)制备技术.这一工艺可使AWG中的波导侧向留有一硅层.采用有限元法和有限差分束传播法分别计算了存在这一硅层时的波导应力分布和有效折射率.结果表明由于这一侧向硅层的存在,使AWG中波导在水平和垂直方向的应力趋于一致,AWG的偏振相关波长明显减小.     

一种新颖结构紧凑的AWG器件

给出一种基于SOI材料结构紧凑的新颖AWG器件,它是将一个全内反射波导镜插入原波导阵列中间,并且利用全内反射时产生的相位差进行TE、TM模偏振补偿的方法,该器件具有尺寸小、制作工艺简单等特点.同时,给出一些实验结果,实验结果证实这种结构的AWG器件是可行的.     

一种新颖结构紧凑的AWG器件

给出一种基于SOI材料结构紧凑的新颖AWG器件,它是将一个全内反射波导镜插入原波导阵列中间,并且利用全内反射时产生的相位差进行TE、TM模偏振补偿的方法,该器件具有尺寸小、制作工艺简单等特点.同时,给出一些实验结果,实验结果证实这种结构的AWG器件是可行的.     

阵列波导光栅技术及其研究进展(本期优秀论文)

分析了AWG器件的基本原理,并介绍了近年来人们在研制小尺寸AWG、增加器件信道数量,改善器件的损耗、串扰、偏振敏感性和温度相关性等性能,以及AWG与其他器件集成等方面的最新研究进展.     

面向掩模精化的表面微加工MEMS器件几何建模

MEMS器件设计流程中,为优化MEMS器件,常常需要对MEMS掩模进行精化设计.为了在MEMS精化设计中同步更新MEMS掩模与几何模型,提出一种面向掩模精化的表面微加工MEMS器件几何建模方法.该方法主要通过建立MEMS器件几何模型和工艺模型之间的依赖关系图,通过变动依赖关系,求出掩模精化所影响的几何元素,而后在几何模型中仅仅更新所影响的几何元素;对于所对应的几何模型存在拓扑突变等情况,该方法采用参数限定或局部几何模拟进行更新.实例分析表明,提出的几何建模方法能快速有效地响应掩模精化,从而有效地促进MEMS器件设计.     

灰度掩模制作统掩模图形的生成及工艺研究

灰度掩模法是目前正在积极探索的一种二元光学器件制作方法.从基于空间光调制器的灰度掩模制作方法出发,就"掩模图形的生成"和"工艺"这两个难点问题进行了深入的研究,并具体地制作了几种常用的二元光学器件的灰度掩模,为该方法进一步投入实用提供了一条较好的思路.     

单侧耦合16×0.8nm阵列波导光栅的设计、制备及测试

介绍了一种新型16通道、100GHz通道间隔的硅基二氧化硅单侧耦合阵列波导光栅(AWG).通过增加一个Y分支波导结构,并且将AWG的输入、输出波导等间距整齐排列,实现了仅用一个光纤阵列进行AWG器件的耦合封装.这种AWG的结构设计可以有效地减小器件尺寸,增加波导结构的弯曲半径,减少器件抛光及耦合时间,并降低器件成本.     

激光直写系统制作掩模和器件的工艺

激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统,通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光,将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用,可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺,并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例     

单侧耦合16×0.8nm阵列波导光栅的设计、制备及测试

介绍了一种新型16通道、100GHz通道间隔的硅基二氧化硅单侧耦合阵列波导光栅(AWG).通过增加一个Y分支波导结构,并且将AWG的输入、输出波导等间距整齐排列,实现了仅用一个光纤阵列进行AWG器件的耦合封装.这种AWG的结构设计可以有效地减小器件尺寸,增加波导结构的弯曲半径,减少器件抛光及耦合时间,并降低器件成本.     

基于背向曝光的GaN基脊型LD制备工艺改进

GaN基脊型激光二极管（LD）的制备工艺中,面临的一个主要困难是p电极和窄脊结构的制备受到光刻对准精度的严重制约。设计和验证了一种基于背向曝光技术的激光器制备工艺。通过预先沉积一层200nm的铝作为挡光掩模和牺牲层,利用ICP蚀刻制备出宽为2.5μm的脊型结构,并使用PECVD沉积SiO2绝缘层。随后采用背向曝光实现二次光刻,将脊型图形精确地转移到电极窗口,继而采用湿法腐蚀SiO2绝缘层打开窗口,借助对的铝掩模腐蚀实现对残余绝缘层的辅助剥离,从而同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层侧向腐蚀条件难于把握的问题。     

1×8阵列波导光栅型波分复用/解复用器设计的一种简单方法

用有效折射率法 ,采用近轴近似和波导模场分布的高斯近似 ,简化了阵列波导光栅( AWG)器件的设计过程中繁杂的计算 ,且保证了器件的性能指标 .给出了设计思路 ,并给出了 1× 8路、中心波长为 1 550 .9nm,波长间隔为 1 .6nm的 AWG波分复用 /解复用器的设计实例     

硅各向同性深刻蚀中的多层掩模工艺

掩模制备是硅各向同性刻蚀中的一项重要工艺.要实现深刻蚀,掩模必须满足结构致密、强度大及抗腐蚀性好的要求.一般光刻胶掩模无法在刻蚀液中较长时间地保持其掩蔽性能,很难实现深刻蚀;而金属掩模也容易出现针孔及裂纹等缺陷.因此提出使用Su-8负性光刻胶结合铬金属制备多层掩模.这种掩模结构制备工艺简单,经济实用;提高了掩模在高速刻蚀时的掩蔽性能,实现了深刻蚀.实验表明,其能满足300μm以上深刻蚀的要求,可用于硅及玻璃等材料的微加工.     

阵列波导光栅技术及其研究进展

分析了AWG器件的基本原理,并介绍了近年来人们在研制小尺寸AWG、增加器件信道数量,改善器件的损耗、串扰、偏振敏感性和温度相关性等性能,以及AWG与其他器件集成等方面的最新研究进展。     

一种减小聚合物阵列波导光栅光谱漂移的有效方法

报道了一种在工艺制作过程中减小聚合物阵列波导光栅(AWG)器件光谱漂移的有效方法,通过调整波导芯层的旋涂转速来控制芯层的厚度进而可以有效地减小器件的光谱漂移.AWG器件的设计中心波长为1550.918 nm,制作的AWG器件的实际中心波长为1550.85 nm,即利用该方法使传输光谱的漂移减小到0.07nm,远远小于波长间隔0.8 nm,改善了器件的解复用功能.