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本文给出了直流等离子体CVD法合成金刚石膜的实验结果。衬底温度900℃时,在Si(100)上最高生长速率为150μm/h。实验结果表明金刚石膜Raman特征峰随生长时间和晶粒增大移向低波数方向,这主要是膜内应力所致。Raman谱还表明金刚石膜内非晶碳成份随放电电流密度和生长时间增加而减少,并主要集中在晶粒界面之间。文中还对高速率生长金刚石膜的机理及内应力形成的原因进行了讨论。 相似文献
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p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用.近来在这方面的研究取得了一些突出的进展.本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展. 相似文献
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CVD金刚石膜研究进展和应用 总被引:3,自引:0,他引:3
评论国内外化学气相沉积的金刚石膜制备技术,核化和生长,性质表征、异质外延生长及其应用等方面研究的最新进展和应用前景。 相似文献
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单层有机半导体微腔效应的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
制作了DBR/ITO/PPV/A1微腔结构,研究了这种结构PPV发光器件的光致发光和电致发光特性。实验结果表明,由简单地调节夹于两金属电极镜面之间的PPV层厚度可实现微腔效应。 相似文献
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