加强计算机软件工程管理应用的措施分析

随着科学技术日新月异的发展以及计算机领域科技的日益完善与进步,计算机软件工程领域的发展面也更为广阔,为诸多领域提供了简便、科技化的解决策略,也正因为如此,计算机软件工程的发展也面临着偌大的挑战,软件的开发、投入运行、效果测量等每个步骤都会由于计算机软件涉猎领域的广泛化而存在诸多问题,因此需要对计算机软件工程的管理应用制定出相应的方法以应对这些不利因素。     

基于广义S变换的高斯领域时频滤波方法

针对S变换时频滤波局部时频区域选择问题,提出了一种高斯邻域阈值滤波方法。首先,利用S变换的二维时频特性,构建时频分辨率可调的广义S变换,提高分析信号的时频分辨率。然后根据不同时频分布类型,定义了3种不同的高斯邻域时频滤波模型。针对不同模型高斯邻域,对信号中S矩阵高斯邻域内的时频数据采用局部阈值处理,保留有用信息,通过广义S反变换得到滤波后的信号。仿真与实验结果表明,广义S变换高斯邻域时频阈值滤波方法具有较高的滤波精度,该滤波模型能有效减小滤波均方差。     

Ultra high-speed InP/InGaAs SHBTs with ft and fmax of 185 GHz

An InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistor (SHBT) with high maximum oscillation frequency (f_max) and high cutoff frequency (f_t) is reported. Efforts have been made to maximize f_max and f_t simultaneously including optimizing the epitaxial structure, base–collector mesa over-etching and base surface preparation. The measured f_t and f_max both reached 185 GHz with an emitter size of 1 × 20 μ m², which is the highest f_max for SHBTs in mainland China. The device is suitable for ultra-high speed digital circuits and low power analog applications.     

Ultra high-speed InP/InGaAs SHBTs with ft and fmax of 185 GHz

An InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistor(SHBT) with high maximum oscillation frequency (f_(max)) and high cutoff frequency(f_t) is reported.Efforts have been made to maximize f_(max) and f_t simultaneously including optimizing the epitaxial structure,base-collector mesa over-etching and base surface preparation.The measured f_t and f_(max) both reached 185 GHz with an emitter size of 1×20μm~2,which is the highest f_(max) for SHBTs in mainland China.The device is suitable for ultra-high spee...     

能源消费革命是必由之路

与主要发达国家不同,正处在工业化、城镇化发展阶段的我国,同时遭遇能源安全、生态环境以及气候变化问题,因此必须创新发展思路。以能源消费革命控制能源消费总量,是一条必由之路。近日,习近平总书记在中央财经领导小组第六次会议上提出,面对能源供需格局新变化、国际能源发展新趋势,保障国家能源安全,必须推动能源生产和消费革命。     

基于GaAs HBT工艺的3.8GHz带宽4GS/s 4bit超高速ADC

报道了一种4GS/s 4bit超宽带（UWB）模数转换器（ADC）芯片,采用1.4um发射级宽度、2层金属布线的InGaP/GaAs HBT工艺实现。该芯片采用折叠内插架构来最小化其面积和电路规模。为了消除折叠内插电路中的偶发错误码,该ADC采用了一种新颖的比特同步电路。实测结果表明,其在4GS/s采样率下具有3.8GHz的模拟带宽和2.6GHz的有效精度带宽（ERBW）,在2.6GHz输入带宽内ADC的有效位数大于3.4bit,在4GHz输入带宽内有效位大于3bit。在6.001GHz输入并将输入功率提高4dB后,有效位仍然高达3.49bit,表明该ADC可采样的频率范围包含从第一到第三奈奎斯特区（DC~6GHz）。该芯片的DNL和INL在4GS/s下均小于±0.15LSB,总面积为1.45×1.45 mm2,总功耗为1.98W。     

共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性

制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器件功率特性进行测试。在功率优化匹配条件下,所测得最大输出功率密度和相应的功率附加效率(PAE)在10GHz下为1.24W/mm和50%,在18GHz下的数据为0.82W/mm和26%。测试同时表明,共发射极结构相对稳定和易于匹配,共基极模式具有更大的输出功率潜力,但需要进一步解决难于匹配、容易振荡和寄生参量影响等问题。在功放电路设计中,可以根据不同需求选择合适的电路拓扑结构。     

A 10 GHz high-efficiency and low phase-noise negative-resistance oscillator optimized with a virtual loop model

A virtual loop model was built by the transmission analysis with virtual ground method to assist the negative-resistance oscillator design, providing more perspectives on output power and phase-noise optimization. In this work, the virtual loop described the original circuit successfully and the optimizations were effective. A 10 GHz high-efficiency low phase-noise oscillator utilizing an InGaP/GaAs HBT was achieved. The 10.028 GHz oscillator delivered an output power of over 15 dBm with a phase-noise of lower than -107 dBc/Hz at 100 kHz offset. The efficiency of DC to RF transformation was 35 %. The results led to a good oscillator figure of merit of-188 dBc/Hz. The measurement results agreed well with those of the simulations.     

银硅纳米颗粒用于制备晶体硅太阳电池超高效陷光的研究

研究了制备硅纳米结构的方法,与之前的方法相比,本研究中的AgSi纳米颗粒能控制形成硅纳米结构的直径和深度,同时不需要光刻、反应离子刻蚀等高成本的复杂工艺.实验结果表明,将制备的硅纳米结构作为晶硅电池的绒面,在300～ 1000nm的波长范围内获得了低达5％的反射率;电池的表面复合与电极接触需要改进.     

75 GHz 13.92 dBm InP DHBT 共射共基功率放大器

报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率为13.92 dBm.放大器在72.5 GHz处输入为2 dBm时达到最大输出功率14.53 dBm.整个芯片传输连接采用共面波导结构,芯片面积为1.06 mm×0.75 mm.