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以不同浓度的钨源溶液通过水热法制备了W03纳米树叶阵列和W03纳米片阵列,并研究了其形貌、晶相和吸收光谱。基于WO3纳米树叶阵列作为骨架层的钙钛矿太阳电池实现了4.96%的光电转化效率(PCE),且开路电压(Voc)为0.48V,短路电流密度(Jsc)为19.66mA.cm-2,填充因子(fF)为0.52。基于WO3纳米片阵列的太阳电池的PCE,Voc,Jsc和fF分别为0.27%,0.14V,5.96mA·cm-2,0.32。WO3纳米阵列与空穴传输材料的直接接触增加了电子和空穴的复合,不利于电池的开路电压和填充因子。 相似文献
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利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。 相似文献
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以四氯化锡和氟化铵为原料,异丙醇和水为溶剂,采用喷雾热解法,在载玻片上制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜(fluorine-doped tin oxide,FTO)。研究了四氯化锡浓度、氟化铵浓度、双氧水浓度、异丙醇与水的体积比对FTO薄膜的透光率和方块电阻的影响。运用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪分别对FTO薄膜进行了表征。结果表明:在喷雾热解液中加入少量的H2O2(0.05mol/L)可明显提高FTO薄膜在可见光区的透光率,而不影响其方块电阻;当喷雾热解液组成为0.8mol/LSnCl4,0.1mol/LNH4F,0.05mol/LH2O2,异丙醇与水的体积比为8:2,衬底温度为500℃,喷涂100次时,所得FTO薄膜在可见光区的平均透光率为84%,方块电阻为15Ω/□,且FTO薄膜平整致密、二氧化锡晶粒均匀。 相似文献
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脉冲激光沉积制备SnS薄膜及其光学特性的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上制备SnS薄膜,研究了SnS薄膜的晶体结构、表面形貌以及有关光学特性。所制备的SnS薄膜样品为斜方晶系多晶结构,在(111)晶面上有很强的择优取向性;衬底温度在100~400℃范围内,表面形貌有所区别,随着温度升高,薄膜表面分别呈现大小晶粒共存、片状颗粒、针状颗粒和锥状颗粒的形貌特征;紫外区的SnS薄膜透过率极低,可见光范围的透过率很低,近红外区的透过率较大;样品在可见区和紫外区吸收强烈,吸收系数达105cm-1量级,直接禁带宽度为1.39~1.46 eV。 相似文献
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N,N’-二(2-羟丙基)哌嗪的合成及其在烟气脱硫工艺中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
利用无水哌嗪和环氧丙烷合成了N,N’-二(2-羟丙基)哌嗪(HPP),利用红外光谱对其进行了表征,利用滴定法计算出HPP的共轭酸的pKa1和pKa2值,通过热重分析仪研究了HPP的半盐溶液与SO2的反应行为和SO42-在湿法烟气脱硫中对HPP挥发损失的影响。结果表明,HPP的合成反应是按照反应物的化学计量比进行的,且工艺过程简单,得到的产物纯度较高。HPP的共轭酸的pKa1和pKa2分别为3.8和8.2。SO42-能够有效的抑制HPP的挥发,可以作为烟气脱硫工艺中HPP半盐溶液的阴离子。 相似文献
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采用喷雾热解法,以四氯化锡和氟化铵为原料、喷瓶为雾化装置,在载玻片上制得氟掺杂二氧化锡(FTO)透明导电薄膜。运用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪分别对薄膜进行了表征。研究了喷涂次数、衬底温度、前体浓度、掺杂浓度和醇水比对FTO薄膜光电性能的影响。结果表明,当衬底温度为500℃,SnCl4.5H2O浓度为0.81mol/L,NH4F浓度为0.1mol/L,醇水比为8:2,喷涂100次时,薄膜的光电性能较好,其方块电阻为13Ω/□,平均透光率为79%。 相似文献
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通过对聚合铁和聚合铝溶液中氢离子的有关近似计算,进一步说明了氢离子与铁铝形态、干燥方式等之间的关系,指出了进行聚合铁理论研究时应注意其制备方法、浓度和氢离子的重要性。 相似文献