首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   83篇
  免费   0篇
  国内免费   11篇
电工技术   7篇
综合类   5篇
化学工业   10篇
金属工艺   2篇
机械仪表   1篇
建筑科学   9篇
轻工业   5篇
水利工程   2篇
石油天然气   2篇
武器工业   2篇
无线电   30篇
一般工业技术   10篇
冶金工业   1篇
自动化技术   8篇
  2019年   2篇
  2018年   1篇
  2016年   1篇
  2015年   5篇
  2014年   8篇
  2013年   6篇
  2012年   5篇
  2011年   7篇
  2010年   11篇
  2009年   8篇
  2008年   5篇
  2007年   5篇
  2006年   3篇
  2004年   3篇
  2003年   3篇
  2002年   1篇
  2001年   2篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1996年   1篇
  1994年   2篇
  1993年   2篇
  1992年   5篇
  1990年   1篇
  1989年   5篇
排序方式: 共有94条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
Ti-24Al-11Nb金属间化合物的氢致滞后开裂张跃,王忆,王燕斌,褚武扬,肖纪美(北京科技大学北京100083)1引言复相金属间化合物Ti-24ALllNb合金是一种重要的新型高温结构材料,已被美国宇航局用作为新一代宇航飞机的发动机材料及结构件....  相似文献   
3.
王忆 《信息与电脑》2011,(1):136+138-136
本文系统详尽阐述了FOP编程范式的思想,通过类比,指出FOP与面向方面编程范式的异同。同时还说明FOP给形式化验证技术带来的挑战。本文还比较了现有的FOP形式化验证方法以及我们所做的相关工作的优缺点,并对FOP形式化验证今后可能的研究和发展方向进行讨论。  相似文献   
4.
Liska  VP  王忆 《电信快报》1989,(8):8-9
  相似文献   
5.
薄膜的表面形貌与生长机理相关,因此可以通过研究薄膜表面形貌的演变来外推其生长机理。利用热蒸发法在硅片上制备了纳米多孔二氧化硅薄膜,利用扫描电镜(SEM)和X射线能谱(EDS)对不同样品的形貌、成分进行了表征。研究发现所制备的薄膜是由线状结构或直立的片状结构所构成的多孔结构。利用马拉高尼效应和润湿理论,对薄膜的气-液-固生长机理和氧化物辅助生长机理进行了探讨。  相似文献   
6.
7.
硅酸盐是一种性能稳定的基质材料.综述了硅酸盐体系长余辉发光材料的发展历史、制备方法和发光机理等方面的最新进展,指出了目前该类材料研究中存在的问题,并提出今后的可能发展方向.  相似文献   
8.
在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层--薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)有源层材料p型掺杂金属诱导晶化(metal induced crystallized,MIC)多品硅(p+-MIC poly-Si)薄膜的版图适当延伸,来充当OLED的阳极,由于它具有低方块电阻、高功函数的电学特性和半反半透、低吸收率的光学特性.与OLED的金属铝阴极形成了微腔器件,成功地形成了显示基板上的多晶硅薄膜的光学功能层.对这一功能层的厚度进行了优化,比较了不同厚度下TFT器件的电学特性和OLED的光学特性.当其厚度为40nm时为最佳厚度,此时,TFT器件场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比和栅压诱导漏极漏电等性能为最佳,且红光微腔式OLED(microcavity-OLED,MOLED)的出光强度增大,光谱窄化,电流效率与功率效率均有所提高.这不仅使器件的性能有所提高,而且大大地简化了AM-OLED基板的制备流程.  相似文献   
9.
利用工作在亚阈值区的MOS管代替传统电流基准中的三极管或电阻器件,实现了一款全CMOS器件的电流基准.利用PMOS管的体效应实现进一步的温度补偿;利用共源共栅和反馈结构有效地增加了基准电流源德电源抑制比;并利用当工艺发生偏差时CMOS管阈值电压、电子(空穴)迁移率和亚阈值区MOS管漏源电流之间的关系,降低了工艺涨落对基准电流的影响.本设计采用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC公司的0.5 μm CMOS混合信号模型进行仿真设计,设计的基准电流中心值为1.62 μA.综合考虑温度、电压和工艺涨落对电流基准的影响,温度系数为1.58×10-4%/℃,电源抑制比为90.5 dB,工艺涨落仅造成基准电流±3.5%的变化.  相似文献   
10.
连续监测数据的时频分析及程序设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着各类自动化传感器在变化监测中广泛的使用,出现了大量的连续监测数据。在这些监测数据中含有大量的系统信息。正确分析并充分提取信息,是测量数据处理的一个重要内容。本文对连续监测数据在时域分析和频域分析中的处理特点和过程进行了讨论,并介绍了相应的应用程序。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号