四台矿均压硐室的优化与研究

四台矿属于近距离容易自燃煤层开采,综采工作面采用均压通风系统。在进风顺槽中布置的本巷均压硐室,风机吸风口距离均压风门近,吸风风流经过带式输送机,往往会造成均压风门漏风严重,均压硐室周围温度较高、煤尘较大。据此四台矿优化均压硐室布置方式,采用独立均压硐室代替先前的本巷均压硐室。对优化前后的数据进行研究分析,得出独立均压硐室的应用在减少风门漏风量,降低温度,抑制煤尘方面均有很大改善,实践证明了采用独立均压硐室的可行性及优点。     

某高铁钾长石矿除铁试验研究

某钾长石矿属高铁难选钾长石矿,通过探索试验(包括干式强磁试验、磁选尾矿浮选试验),对比不同选矿工艺的除铁效果,确定采用浮选工艺.通过浮选条件试验,选定了最佳的浮选工艺条件,长石产品Fe2 O3含量为0.20%,达到了工业应用的要求.     

基于正交灰关联分析的纳米碳粉/橡胶粉复合改性沥青制备工艺试验研究

为探讨纳米碳粉/橡胶粉复合改性沥青的性能变化、影响因素及制备工艺,采用物理性能试验确定了改性沥青的单配最佳掺量,运用正交试验法获得了不同掺量、反应时间、反应温度、剪切转速、发育温度和发育时间下纳米复合改性沥青的物理性能指标,进而借助灰关联分析法,计算出各项评价指标所占权重,将多指标转化为单指标,并结合极差和方差分析评价了纳米复合改性沥青最佳制备工艺.结果表明:纳米碳粉及橡胶粉的单配最佳掺量分别为2％和18％,改性效果均较基质沥青有所提高;各因素对沥青物理性能的影响程度依次为:复配比例>反应温度>发育时间>发育温度>反应时间>剪切转速,对比F值,得到复配比例对改性效果影响非常显著,其余因素均为显著影响;在综合评分指标下2％纳米碳粉/18％橡胶粉复合改性沥青物理性能最为优异,其最佳制备工艺为:剪切转速3500 r/min、反应温度190℃、反应时间60 min、发育温度170℃及发育时间60 min.     

财务数字化应用

针对年营业额在百亿甚至是千亿级别的大型集团企业,其缺少支撑企业继续增长的数字化应用,更亟需数字化办法与世界互联,文章展示了在财务领域,近年世界主流的并已经被证明成熟的数字化技术和应用场景,包括区块链技术、财务大数据、光学字符识别、机器人流程自动化、银企直连、交易汇率同步、税务数字化.企业对照并实施这些财务数字化应用,不仅可以支持业务持续发展,还可以在财务上与世界接轨.     

编织系统在建筑设计中的应用

介绍了编织的基本原理、特点,结合几个实际的案例分析了编织理论在建筑中的应用,提出通过对编程手段的借助,建筑的参数化设计对建筑的形式、空间以及建构等方面产生了极大的影响。     

钼矿选矿工艺发展现状

原生钼和共生钼是钼资源的主要来源,本文据此叙述了单一钼矿和铜钼矿的选矿方法。单一钼矿典型的选矿工艺是粗磨粗选-再磨再选,而铜钼矿分选主要采用混合浮选-铜钼分离的方法,即先通过粗选得到铜钼粗精矿,然后从铜钼粗精矿中分离铜和钼。并介绍了国内外主要钼选矿厂的选矿工艺。     

ADS模式低存储电容像素设计

高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C_(st))成为限制Dual Gate GOA 4K TV应用的主要因素。在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低C_(st)。本文采用一种双条形电极ADS结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成ADS结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低ADS模式C_(st)的目的。模拟结果表明:当ADS显示模式采用Dual Slit ADS设计时,像素的C_(st)可以下降30%~40%。实验结果表明:采用Low Cst Pixel ADS设计时,VGH Margin可以增大2.5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5%。     

ZFG3600/19/25液压过渡支架拉架系统的改造

通过对液压过渡支架拉架失败原因分析,提出支架拉架系统改造方案,并在实际生产中进行验证,获得了成功。     

ADS液晶面板划痕Mura研究

手指滑动ADS(Advanced Super Dimension Switch)液晶面板的L255画面时,由于按压导致的液晶分子形变和电场作用,滑动位置亮度会降低,表现为留下发暗的按压的痕迹。如果该痕迹在按压5 s后不能恢复,我们称之为划痕Mura(Trace Mura)。本文通过对比5种不同像素设计的液晶面板的滑动按压实验的结果,得到了像素电极设计、驱动电压对Trace Mura的影响;进一步模拟分析液晶分子状态,得到判断不同像素设计的Trace Mura风险的模拟方法。主要结论如下首先,像素电极尾部设计对于Trace Mura改善方面,弧角设计优于切角设计,切角设计优于开口设计;像素电极间距(Space)越小,Trace Mura风险越小。其次,Trace Mura需要在高灰阶电压下按压划动液晶面板才能发生;而发生Trace Mura的液晶面板,可以通过降低液晶面板的电压灰阶来消除按压痕迹。最后,对比液晶分子状态模拟结果,确认在电极末端的液晶分子方位角会发生突变(即向相反方向偏转),模拟的突变角度在-15°以上,预测有Trace Mura风险。