掺杂Ti对Fe－N薄膜结构与磁性的影响

用对向靶溅射仪制备出含多量Ｆｅ（１６）Ｎ２相的（Ｆｅ，Ｔｉ）－Ｎ薄膜，研究了掺杂Ｔｉ对Ｆｅ－Ｎ薄膜结构与磁性的影响，在溅射Ｆｅ－Ｎ薄膜时加入适量的Ｔｉ可提高Ｆｅ－Ｎ薄膜中Ｆｅ（１６）Ｎ２相的含量．Ｔｉ含量（原子分数）在０—２５％时薄膜饱和磁化强度均高于纯Ｆｅ的值；Ｔｉ浓度为１０％时，薄膜磁化强度高达２．６８Ｔ，比纯Ｆｅ的饱和磁化强度值高２０％．     

[Co／Ti],[Co／Cu（Ni）]多层膜的结构与磁性

用双对向靶溅射方法制备了具有非晶磁性的「Ｃｏ／Ｔｉ」３０，「Ｃｏ／Ｃｕ（Ｎｉ）３０」两组多层膜，分别用Ｘ射线衍射，透射电镜和振动样品磁强计做了结构和磁性测量，在以非晶Ｃｏ和Ｃｉｕ－Ｎｉ合金构成的「Ｃｏ／Ｃｕ（Ｎｉ）」多层膜中，发现饱和磁化强度Ｍｓ随非磁性层厚度ｄｓ的增国发生振荡变化；在以非晶Ｃｏ和Ｔｉ构成的「Ｃｏ／Ｔｉ」多层膜中，ＭＳ和则随ｄｓ的增加而减小。     

FeTiN纳米薄膜的结构和软磁性能

主要研究Ｔｉ质量分数对ＦｅＴｉＮ纳米薄膜的结构及软磁性能的影响，表明为获得具有优良软磁性能的ＦｅＴｉＮ薄膜，必须选择合适的Ｔｉ含量，研究了不同Ｔｉ质量分数时薄膜的性能和相组成并分析了其原因。     

对向靶溅射高饱和磁化强度(Fe,Ti)-N薄膜

本实验用对向靶溅射仪分别在S(100),NaCl单晶衬底上成功地制备出具有高饱和磁化强度的(Fe,Ti)-N薄膜,研究了氮气分压和衬底温度对薄膜结构与磁性的影响.氮气分压为0.04～0.07 Pa,衬底温度为100～150℃时,有利于Fe16N2相的形成,在此条件下制备的(Fe,Ti)-N薄膜的饱和磁化强度为2.3～2.46T,超过纯Fe的饱和磁化强度值.     

高饱和磁化强度FeCoN薄膜的制备

制备条件对ＦｅＣｏＮ薄膜的结构与磁性有重要的影响。选择合适的基片温度和退火方式,可以用溅射方法制备出具有高饱和磁化强度的ＦｅＣｏＮ薄膜。     

基片温度对Ni80Fe20薄膜结构和各向异性磁电阻的影响

本文用磁控溅射方法制备出一系列Ni80Fe20磁性薄膜,研究不同基片温度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响.基片温度在150～180 ℃时制备的Ni80Fe20薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量结果表明,基片温度通过改变薄膜的晶体结构、晶粒大小和均匀性等微观结构改变薄膜的零场电阻率和各向异性磁电阻,文章对实验结果做出了详细分析.     

CuO／ZnO复合膜异质结的制备及其湿敏特性

用直流气体放电活化反应蒸发及光刻技术，在普通玻璃衬底上制备出开放式薄膜型ＣｕＯ／ＺｎＯ半导体ｐｎ结，该ｐｎ结的Ｉ－Ｕ曲线呈整流特性，在室温下，正向伏安特性曲线随相对湿度的变化而改变。相对湿度增加，ｐｎ结的正向电流增大，而反向电流的变化可忽略，ｐｎ结的偏压不同，相对湿度变化所引起的电流变化不同。这种湿敏特性是由于对薄膜刻蚀图案形成的开放式ｐｎ结部分暴露天大气的结果。     

掺杂Ti对Fe—N薄膜结构与磁性的影响

用对向靶溅射仪制备出含多量Ｆｅ（１６）Ｎ２相的（Ｆｅ，Ｔｉ）－Ｎ薄膜，研究了掺杂Ｔｉ对Ｆｅ－Ｎ薄膜结构与磁性的影响，在溅射Ｆｅ－Ｎ薄膜时加入适量的Ｔｉ可提高Ｆｅ－Ｎ薄膜中Ｆｅ（１６）Ｎ２相的含量．Ｔｉ含量（原子分数）在０—２５％时薄膜饱和磁化强度均高于纯Ｆｅ的值；Ｔｉ浓度为１０％时，薄膜磁化强度高达２．６８Ｔ，比纯Ｆｅ的饱和磁化强度值高２０％．     

退火[Co＼Cu]多层膜的固相反应与磁性

用双对向靶溅射方法制备了两种成分的「Ｃｏ（１．２ｎｍ）／Ｃｕ（ｔＣｕ）」（ｔＣｕ＝１．０ｎｍ，３．４ｎｍ）纳米多层膜。分别用ＴＥＭ和ＴＧ方法研究了「Ｃｏ／Ｃｕ」多层膜结构和磁怀随温度的变化。结果表明：ｔＣｕ＝１．０ｎｍ的多层样品出现了两个磁性转变点，这是因为样品中存在的两种磁性物质。ＴＥＭ分析结果证明这两种铁磁相为ｈｃｐＣｏ－Ｃｕ固溶体。     

加入Co对Fe—N薄膜的结构与磁性的影响

研究了加入不同含量的Ｃｏ的Ｆｅ－Ｎ薄膜结构与磁性的影响,实验结果表明,Ｃｏ原子分数在０－１５％范围内薄膜的饱和磁极化强度Ｊｓ值随Ｃｏ含量的增加而增大;Ｃｏ的原子分数为１５％时,薄膜的ＪＳ达到最大值（２．７Ｔ）;随着ＣＯ的原子分数和进一步增至３０％,（Ｆｅ,Ｃｏ）－Ｎ薄膜的Ｊｓ值逐渐降低,但仍高于Ｆｅ－Ｃｏ合金的最大Ｊｓ值（２．４Ｔ）;当Ｃｏ的原子分数为３５％时,（Ｆｅ,Ｃｏ）－Ｎ薄膜的Ｊｓ值低于２