纳米材料在汽车尾气净化催化剂中的应用

阐述了纳米材料用作汽车尾气净化催化剂或载体的良好性能,对汽车尾气的净化催化活性远高于传统催化剂,具有应用前景.但多数纳米催化剂材料的制备目前还限于实验室规模,扩大到工业化生产有待于进一步研究.     

Si添加量对机械合金化Al-12%Sn合金组织与摩擦性能的影响

利用机械合金化方法制备出Al-12%Sn-x%Si合金粉末,然后将其压制成型,并进行烧结得到块体合金;运用X线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)等研究Si添加量对Al-12%Sn合金组织和性能的影响。结果表明:添加Si使得Al-12%Sn合金中Sn相变得更加细小且均匀分布,并且通过形成Al-Si共晶液相能够有效改善合金的烧结活性,提高合金的致密度;随着合金中Si添加量增加,合金的硬度、强度和塑性都有大幅度提升。此外,添加Si的Al-12%Sn合金的摩擦磨损性能也有较大提高,Si含量为2.5%时,合金具有最优的摩擦性能。     

原位合成金属基复合材料

综述了原位合成金属基复合材料的研究现状、制备方法。     

硅酸铝短纤维铝基复合材料耐磨性研究

本文研究了以硅酸铝短纤维作增强体，工业纯铝L00，铸造铝合金ZL101为基体的复合材料耐磨性。并与以颗粒状Al_2O_3为增强体进行对比。结果表明：硅酸铝纤维／ZL101复合材料的耐磨性为ZL101的321倍。在相同摩擦条件下，基体相同的铝基复合材料，以硅酸铝短纤维作增强体较以颗粒Al_2O_3为增强体有着更高的耐磨性。应用摩擦理论推导了磨损方程■与实测吻合。     

低压烧结温度对一步法制备超细晶WC-Co基硬质合金组织及性能的影响

采用等离子球磨技术制得W-C-10Co-0.9VC-0.3Cr_3C_2纳米复合粉体,并利用单向模压成型法将其压制成生坯,再经低压烧结一步法制备成硬质合金。研究表明,等离子球磨3h所获得的复合粉体呈片层状形貌,并且成分分布均匀。在1 380℃及1 400℃烧结时,由于等离子球磨的特殊作用,VC、Cr_3C_2对WC晶粒长大抑制作用突显。1 380℃烧结制备的硬质合金,致密度为99.2%,WC平均晶粒尺寸为250nm,硬度和横向断裂强度分别为92.3HRA和2 443 MPa,具有最佳的WC晶粒尺寸与致密度配合,以及最佳的综合力学性能。     

用于材料表面改性的空气介质阻挡放电发射光谱研究

设计了一套材料表面改性试验装置，对其放电特性以及由丝状放电向准辉光放电转变的条件进行了试验。利用发射光谱技术和电压电流测试技术，研究了常温常压下空气介质阻挡放电所加电压和输入能量对N2（C^3Πu→B^3g）发射光谱强度的影响。N2（C^3Πu→B^3Πg）的发射光谱强度随放电电压及输入能量的增加而增强，当电压（频率）和输入能量增大某一值后，N2（C^3Πu→B^3g）的发射光谱强度增强速率变大，介质阻挡放电从丝状放电过渡到准辉光放电模式，产生均匀分布的发光现象，这非常有利于对薄膜和金属材料表面的改性。     

介质阻挡放电等离子体及其在材料制备中的应用

介质阻挡放电等离子体(Dielectric barrier discharge plasma,DBDP)是一种在大气压下即可发生的低温等离子体,具有电子浓度大、电子平均能量高的特点,因此,DBDP应用在材料制备中具有独特的优势.综述了DBDP的发展历史、产生机理和基本特征、放电参数及其影响等,重点介绍了DBDP在臭氧发生、有机物合成、薄膜制备、材料表面改性、高能球磨等领域的应用,分析了研究中存在的主要问题及相应的解决方法,以期为相关领域的研究提供参考.     

纳米晶材料的晶粒长大

本文综述了纳米晶材料晶粒长大的研究进展,简述了纳米晶材料晶粒长大的等温动力学理论,讨论了溶质原子、孔洞、第二相粒子和微观应变对纳米晶材料晶粒长大的影响。     

互不溶Sn-Al合金中自发生长Sn纳米线及其作为锂离子电池负极的电化学性能

本文介绍互不溶Sn-Al合金表面上Sn纳米线(直径为100 ～ 500 nm)自发生长的两种情况,它们都不需要模板和催化剂.通过SEM、TEM分析和对Al、Sn相的相互作用机理研究表明,这些Sn纳米线具有[200]生长方向,它们的生长与Sn熔点和Al-Sn共晶点的差异,以及Sn-Al合金(块体、薄膜)中存在的残余压应力有关.将含有Sn纳米线的Sn-Al薄膜作为锂离子电池负极材料进行电化学测试,在0.3～1.5 V vs.Li/Li+(Li/Li+为对电极和参比电极)电压范围循环时,它的稳定可逆容量为300 mAh/g.通过与纯Sn薄膜负极比较研究可知,Sn纳米线的一维特征有利于改善Li+的扩散动力学,从而提高Sn-Al薄膜电极的电化学性能.     

热蒸发法制备Mg和Mg-Ni薄膜及其氢化性能

采用热蒸发法制备了纯Mg膜及Mg78Ni22合金膜，研究了薄膜的结构及其氢化性能．Mg膜具有典型的柱状晶结构，择优取向生长趋势明显；Mg78Ni22薄膜由纳米晶Mg2Ni，Mg及少量非晶组成，Mg2Ni相沿着平行于薄膜表面的(001)方向择优生长．纯Mg膜的吸放氢温度分别为593和653K，其吸氢过程遵循形核长大机制．Mg78Ni22薄膜的压力一组成等温曲线存在低压和高压两个平台区，分别对应Mg和Mg2Ni的氢化反应，薄膜内Mg的吸放氢温度可分别降至473和503K，薄膜的最大吸氢量(质量分数)达到5．7％．Mg的氢化性能改善与薄膜中纳米晶Mg2Ni和非晶相起到的催化作用有关．