热退火对 InGaN薄膜性质的影响

对采用金属有机化学气相沉积方法生长的In组分为0.14的InGaN薄膜在不同温度下进行了热退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和变温霍尔等测试方法研究了In0.14Ga0.86N薄膜的晶格质量、表面形貌以及光学特性和电学特性随着退火温度的变化情况.结果表明,有利于提高In0.14Ga0.86N薄膜质量的最佳退火温度为500℃.通过对变温霍尔实验数据的拟合,初步分析了退火前后InGaN样品中的多种散射机制以及它们的变化情况.     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.     

“竹节法”在低压理论线损计算中的运用

农网改造工作结束后，低压线损由原来的电力用户承担改由供电企业承担，低压线损管理工作也显得越来越重要。因此，必须重新制定线损管理制度和考核办法，加大管理力度，努力降低低压线损率，提高供电企业的经济效益。为了搞好低压线损管理工作，山东电力昌邑市供电公司对低压线损实行了包干考核奖惩，将全年线损以考核指标的形式按季度分站、分线、分片、分台区进行分解下达，并逐季度考核奖惩兑现。     

GaN缓冲层对生长InN薄膜的影响

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜，利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜，得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL). 通过比较未采用缓冲层，同时采用低温和高温GaN缓冲层，以及低温GaN缓冲层结合高温退火三种生长过程，发现低温GaN缓冲层结合高温退火过程能够得到更优表面形貌和晶体质量的InN薄膜，同时表征了材料的电学性质和光学性质. 通过对InN薄膜生长模式的讨论，解释了薄膜表面形貌和晶体结构的差异.     

直孔双心掏槽法在金属矿山的应用探讨

直孔双心掏槽法在中硬岩石矿山中提高一次循环掘进深度,降低爆破器材成本,充分发挥凿岩设备,总结在中硬岩层金属矿山中应用成功的经验。     

直孔双心掏槽法在金属矿山的应用探讨

直孔双心掏槽法在中硬岩石矿山中提高一次循环掘进深度,降低爆破器材成本,充分发挥凿岩设备,总结在中硬岩层金属矿山中应用成功的经验。     

液体静压导轨恒流量控制的设计与分析

阐述了液体静压导轨优点和基本原理;详细分析了采用多头泵进行恒流量控制静压导轨的方法和步骤,并进行了静态分析和动态分析.     

m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性

用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.     

牡丹籽油微胶囊的释放动力学和氧化稳定性研究

为深入了解微胶囊化技术对牡丹籽油储藏稳定性和货架期的影响,采用Avrami’s公式分析牡丹籽油微胶囊的油保留率,考察牡丹籽油微胶囊在储藏期间的释放动力学;通过监测过氧化值(POV)的变化,对牡丹籽油微胶囊进行氧化动力学研究。结果表明:牡丹籽油微胶囊的释放反应介于扩散限制动力学和一级释放动力学之间;经过微胶囊化,牡丹籽油的POV上升速率降低,25℃储藏条件下货架期显著延长,45℃储藏条件下仍然可保持较高不饱和脂肪酸含量。研究表明微胶囊化可有效降低牡丹籽油的氧化速度,提高牡丹籽油的储藏稳定性,延长货架期。     

抽油机井效能测试及应用研究

2006年,桩西采油厂日开机采井542口,油井电机总数513台,油井平均功率因数0.75,总装机功率14 043 kW,年耗电4 365×104kW·h,约占采油用电总量的1/3.机采井是采油厂主要耗能设备,是采油厂的耗能大户,只有依托完整真实的测试数据,分析系统的能耗损失,找出节能降耗点,采用先进的节能新技术,才能将科学技术转化为生产力,产生经济效益,达到创建节约型油田的目的.