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以崇左市某传染病医院为例,介绍传染病医院通风系统的设计计算全过程,提出加强隔离防护效果的几点措施,阐述其设计体会. 相似文献
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The pulsed laser facility for SEU sensitivity mapping is utilized to study the SEU sensitive regions of a 0.18/zm CMOS SRAM cell. Combined with the device layout micrograph, SEU sensitivity maps of the SRAM cell are obtained. TCAD simulation work is performed to examine the SEU sensitivity characteristics of the SRAM cell. The laser mapping experiment results are discussed and compared with the electron micrograph information of the SRAM cell and the TCAD simulation results. The results present that the test technique is reliable and of high mapping precision for the deep submicron technology device. 相似文献
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在宽的输入偏置电流范围条件下,开展了光电耦合器件低频噪声特性测试与功率老化和高温老化的可靠性试验研究。结果表明,光电耦合器件的低频噪声主要是内部光敏晶体管1/f噪声,并随输入偏置电流的增大呈现先增大后减小的规律,这与器件的工作状态密切相关。功率老化试验后,高输入偏置电流条件下的低频噪声有所增大,这归因于电应力诱发的有源区缺陷。高温老化试验后,整个器件线性工作区条件下的低频噪声都明显增大,说明温度应力能够更多地激发器件内部的缺陷。相对于1/f噪声幅度参量,低频噪声宽带噪声电压参量可以更灵敏准确地进行器件可靠性表征。 相似文献
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低频电噪声是表征电子器件质量和可靠性的敏感参数,通过测试低频噪声,可以快速、无损地实现光耦器件的可靠性评估。通过开展可靠性老化对光电耦合器低频噪声特性影响的试验研究,提出基于低频段宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法,并将可靠性筛选结果与点频噪声筛选方法结果进行对比分析。结果表明,与点频噪声参数等现有方法相比,宽频带噪声参数可以更灵敏和准确地表征器件可靠性,同时计算简便,基于宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法可以实现更为准确合理的可靠性分类筛选。 相似文献
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针对0.13 μm和0.35 μm工艺尺寸的两款商用SRAM器件进行了脉冲激光背部单粒子翻转效应试验方法研究。单粒子翻转效应主要测试单粒子翻转阈值和单粒子翻转截面,本文主要研究了激光聚焦深度、激光脉冲注量、测试模式和芯片配置的数据对测试两者的影响。试验结果表明:只有聚焦到芯片有源区才可测得最低的翻转阈值和最大的翻转截面,此时的结果与重离子结果基本一致;注量对翻转阈值测试无影响,但注量增大时翻转截面会减小,测试时激光脉冲注量应小于1×107cm-2;测试模式和存储数据对翻转阈值和翻转截面的影响不大,测试时可不考虑。 相似文献
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以GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,通过宽范围电流偏置条件下的低频噪声测试和高温应力试验,对三结太阳电池的低频噪声特性和可靠性表征进行研究分析。结果表明,三结太阳电池的低频噪声包括1/f噪声和G-R噪声。在宽范围电流偏置条件下,低频噪声随偏置电流呈先增大后减小的规律,并在频率为500 Hz时出现G-R噪声特征。高温应力试验后,太阳电池在小电流偏置条件下的低频噪声明显增大,与器件暗I-V特性的变化一致,归因于热应力诱发的器件缺陷。相对于单频点噪声参数,宽频带噪声参数可更准确稳定地表征太阳电池可靠性。 相似文献