Influence of growth temperatures on the quality of InGaAs/GaAs quantum well structure grown on Ge substrate by molecular beam epitaxy

Molecular beam epitaxy growth of an In_xGa_1-xAs/GaAs quantum well（QW） structure（x equals to 0.17 or 0.3） on offcut（100） Ge substrate has been investigated.The samples were characterized by atomic force microscopy,photoluminescence（PL）,and high resolution transmission electron microscopy.High temperature annealing of the Ge substrate is necessary to grow GaAs buffer layer without anti-phase domains.During the subsequent growth of the GaAs buffer layer and an In_xGa_1-xAs/GaAs QW structure,temperature plays a key role. The mechanism by which temperature influences the material quality is discussed.High quality In_xGa_1-x As/GaAs QW structure samples on Ge substrate with high PL intensity,narrow PL linewidth and flat surface morphology have been achieved by optimizing growth temperatures.Our results show promising device applications forⅢ-Ⅴcompound semiconductor materials grown on Ge substrates.     

弹药装药质量机理研究

文中对含有材料装填缺陷所引起的弹药系统失效现象进行了实验验证．从提高弹药装药质量的角度．分析研究了某产品在两种不同条件下的装药对比实验结果，对实验结果的分析表明．在注装或塑态装药条件下，辅助于振动、粒度级配及纳米金属粉等综合技术途径．可获得高密度．致密均匀和低缺陷的药柱．能有效提高装药的能量利用率及终点毁伤效能。     

星形串联装药的设计方法

为提高火箭发动机装填系数,增大火箭射程,提出了星形串联装药的结构,给出了此装药的初始燃烧面、初始通气参量、体积装填系数与装药几何尺寸之间的数学关系,并根据某火箭发动机的装药参数,计算了星形串联装药内弹道特性参数。设计及计算结果表明,星形串联装药能增大发动机装药量,降低通气参量,提高发动机总冲、推力等。     

与初学英语者一席谈

1 英语的特点 汉语是我们的母语,这大家都很熟悉,而英语对我们来说则是门外语,那么它和汉语比较,有什么特点呢?下面简要地用汉英比较的方式谈谈。     

高塑性W-Cu-Zr非晶合金药型罩材料

为获取高性能药型罩材料,采用铜模水淬制备W-Cu-Zr六元非晶合金。该非晶合金以Cu-Zr-Ni系铜基非晶为母合金,添加钨、钽、硼、锆、镍等元素,并根据各元素原子半径、密度、熔点、沸点,确定出最佳配比组合。结果表明:采用此材料制得?10 mm×50 mm圆柱形试样的抗拉强度为1 820 MPa,伸长率为16.5%,断裂强度达2 030 MPa,综合性能优越,用于药型罩材料有利于提高侵彻威力。     

高破片率钢预制破片弹毁伤效能分析

为提高某制式杀伤爆破榴弹毁伤能力,提出改普通D60钢弹体材料为高破片率钢弹体材料。文中将高破片率钢预制破片弹与某型号制式杀爆弹的毁伤能力进行理论计算对比,结果表明:钢预制破片弹杀伤威力较制式弹提高了70%;静爆试验对比,结果表明:钢预制破片弹对12m以内8mm厚装甲钢板具有较强的毁伤能力,杀伤威力较制式弹提高了73%。理论计算与静爆试验结果基本吻合,高破片率钢预制破片弹较制式杀爆弹毁伤能力显著提高。     

生长温度对于Ge衬底上分子束外延生长的InGaAs/GaAs量子阱结构质量的影响

本文研究了斜切割（100）Ge衬底上InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的分子束外延生长（In组分为0.17或者0.3）。所生长的样品用原子力显微镜、光致发光光谱和高分辨率透射电子显微镜进行了测量和表征。结果发现,为了生长没有反相畴的GaAs缓冲层,必须对Ge衬底进行高温退火。在GaAs外延层和InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的生长过程中,生长温度是一个至关重要的参数。文中讨论了温度对于外延材料质量的影响机理。通过优化生长温度,Ge衬底上的InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的光致发光谱具有很高的强度、很窄的线宽,样品的表面光滑平整。这些研究表面Ge 衬底上的III-V族化合物半导体材料有很大的器件应用前景。