一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130 nm标准CMOS工艺将其与128 kb的相变存储器实验芯片集成.相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15 kΩ左右降至7 kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升...     

非晶态砷化镓薄膜的研制

本文报道了制备a-GaAs 薄膜材料的一种新方法——PECTD法(等离子体加强的化学输运法).测量结果表明适当地选择并控制生长条件,可获得表面光亮、组分近化学比且重复性较好的a-GaAs 薄膜.文中对PECTD法的生长机理作了初步的分析.     

GaAs非对称波导形耦合器研究

在(100)GaAs同质结外延衬底上(波导层厚3μm,杂质浓度n~-≈10~(15)/cm~3)研制了非对称波导X交叉型3dB耦合器,对称波导条宽6μm,分叉角0.8°;非对称波导宽臂条宽6.5μm,窄臂条宽5.5μm。分叉角0.4°,波导脊高1μm。实验结果证明,该器件具有良好的3dB耦合特性,并获得15dB的消光比,可以成为集成光学的基础元件之一,在研制2×2集成光学器件方面有广泛地应用前景。     

a-GaAs薄膜电学及光学性质的研究

本文报导了用PECTD法制备的a-GaAs样品的基本电学和光学性质,未掺杂的a-GaAs薄膜在室温下呈N型,相应的电子漂移迁移率为10~(-2)～10~(-3)cm~2/V.s。讨论了a-GaAs薄膜材料组分配比的变化对其电学性质的影响及薄膜的热退火特性。