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采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9. 相似文献
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采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9. 相似文献
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以硅崩越二极管的高频化为目的,利用载流子扩散效应这一点,作出了有利的空穴漂移型二极管。二极管的杂质分布为p~ -p-n~ 型结构,它是在n~-硅上用离子注入及热扩散形成n~ 外延层。p~ -p-n~ 型结构在衬底的一面具有p-n结,比起从前的n~ -p-p~ 型来说,在高频段有减小特别成问题的串联电阻的优点。二极管减薄到5～10微米,减小了串联电阻。这种p~ -p-n~ 二极管观测到从70千兆赫到400千兆赫左右的带宽的连续振荡。具有代表性的特性是在187千兆赫下输出82毫瓦、效率2.5％和在285千兆赫下输出7.5毫瓦等。到现在为止得到的最高振荡频率为394千兆赫。 相似文献
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