首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4篇
  免费   0篇
  国内免费   2篇
无线电   6篇
  2020年   1篇
  2006年   3篇
  2004年   1篇
  2003年   1篇
排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
2.
利用800 nm抽运和400 nm探针技术,测量了CaF2和MgO的时间分辨反射率,研究了材料的电子激发和弛豫超快动力学过程。采用耦合动力学模型,探讨了飞秒激光对透明介质材料的激发,以及材料的激发对抽运激光在材料中的传输、分布和反射特性的影响。根据这个理论模型计算了时间分辨反射率的演化,计算结果和实验结果相吻合。研究表明,多光子电离(MPI)和碰撞电离(II)在介质材料的导带电子激发中起着重要的作用。  相似文献   
3.
氧化锌纳米颗粒缺陷能级发光特性研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
报道了在室温下用荧光光谱仪和飞秒脉冲激光激发诱导光致发光.获得氧化锌纳米颗粒(平均直径约为10nm)缺陷发光光谱的实验,验证了氧化锌纳米颗粒缺陷能级的位置。锌填隙缺陷在距离导带底0.4eV处产生浅施主能级.锌空位缺陷在价带顶0.3eV处产生浅受主能级,氧锌替位缺陷在价带顶1.08eV处产生深受主能级,在导带底1.56eV处有氧空位缺陷引起的深杂质能级产生.氧填隙缺陷在价带顶1.35eV处产生深受主能级。  相似文献   
4.
实验研究了ZnSe单晶的光学整流THz产生,借助电光取样技术得到THz脉冲的时域波形和FFT频谱分布,观察到约113fs的THz辐射场分布,及相应约5.8THz的频谱分布,辐射峰位于3THz左右.对比研究了不同表面的ZnSe晶体的THz辐射峰值强度随激发光功率的变化,通过轻微烧蚀模型定性解释了高激发功率下THz信号的饱和机制.  相似文献   
5.
实验研究了ZnSe单晶的光学整流THz产生,借助电光取样技术得到THz脉冲的时域波形和FFT频谱分布,观察到约113fs的THz辐射场分布,及相应约5.8THz的频谱分布,辐射峰位于3THz左右.对比研究了不同表面的ZnSe晶体的THz辐射峰值强度随激发光功率的变化,通过轻微烧蚀模型定性解释了高激发功率下THz信号的饱和机制.  相似文献   
6.
平晶谱仪谱线波长的直接标定   总被引:2,自引:3,他引:2  
提出一种简便的新方法用以实现X射线平晶谱仪谱线波长的直接标定 ,只需在谱仪晶体表面加上一个特制的辅助光阑 ,即可在不知光源位置和没有任何参考谱线的情况下精确标定谱线的波长。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号