a-Si:H薄膜的再结晶技术及Si膜的Raman光谱分析

论述了非晶硅薄膜的几种主要再结晶技术,着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景.另外,还讨论了通过Raman光谱求纳晶硅薄膜的晶粒尺寸和结晶度的方法.     

基于美特材料中电磁隧穿效应的无线电能传输技术

提出利用电磁波在两种单负材料和空气组成的三明治结构中的共振遂穿效应可以有效提高非辐射无线能量传输的距离与效率.理论计算显示,通过调节美特材料电磁参数,遂穿现象能够在数百倍器件厚度的尺度上发生,有效突破了中距离的限制.为了验证数值仿真结果,制备并测试了工作在微波波段的电单负(金属线结构)-空气-磁单负(金属蘑菇状结构)电磁遂穿结构.实验结果表明,基于美特材料三明治结构中共振遂穿效应的无线传能技术,能量传输的距离及效率和之前提出的方案相比均有明显提升.以上这些特性有助于推动非辐射无线能量传输技术在日常环境中的实际应用,同时有利于将美特材料应用于非辐射无线能量传输的理论研究.     

温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响

为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。     

光退火制备多晶硅薄膜与量子态模型

本文发现在用光退火制备多晶硅薄膜过程中退火温度、时间等与多晶硅薄膜晶粒大小等晶化性质符合量子态模型。并对其物理思想进行了分析。     

快速光热退火法制备多晶硅薄膜的研究

为了制备应用于太阳电池的优质多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术。先利用 PECVD 设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用 X 射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,用电导率设备测试其暗电导率。研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光热退火前先用常规高温炉预热有助于增大多晶硅薄膜的晶粒尺寸和暗电导率。     

快速光热退火制备多晶硅薄膜

用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火,得到了多晶硅薄膜,它与传统退火相比,退火时间大大缩短.用XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等手段对其进行了测量.对部分样品的照射光做了滤波,滤掉了波长600 nm以下的光,发现这对晶化及晶粒尺寸都有一定的影响.     

基于单负超材料的高品质因数亚波长谐振腔

首先对由两种单负超材料组成的异质结的传输特性进行了研究,发现该异质结具有谐振腔功能和亚波长特性。然后对该亚波长谐振腔品质因数的增强进行了研究,发现当在由两种单负超材料组成的异质结界面处引入类电磁感应透明超材料原胞时,谐振腔的品质因数得到大幅增强,从而获得了一种具有高品质因数特点的亚波长谐振腔。该谐振腔将有助于微波及更高频段元器件的小型化。     

a-Si:H薄膜的再结晶技术发展概述

论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术，包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化。着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。     

a-Si∶H薄膜的再结晶技术发展概述

论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化。着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。     

在共面波导上加载集总电容电感制备单负材料

为了探索实现单负材料的方法,研究了在共面波导上加载集总电容和电感元件制备单负材料。首先通过理论分析和微波实验,证实了在共面波导上周期性地加载集总电容和电感元件能够实现两种单负材料(电单负材料和磁单负材料)。然后,针对该制备方法,进一步研究了加载电容电感周期性的破坏及加载电感对称性的破坏对单负带隙的影响。结果表明:周期性的破坏对单负带隙基本没有影响;对称性被破坏后,如果电感分布在共面波导中心导带的两侧,仍然能够获得单负材料。