a-Si:H薄膜的再结晶技术及Si膜的Raman光谱分析

论述了非晶硅薄膜的几种主要再结晶技术,着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景.另外,还讨论了通过Raman光谱求纳晶硅薄膜的晶粒尺寸和结晶度的方法.     

降(低)轧花厂中皮棉清理机的噪音

自从美国大陆鹰三台24D型皮棉清理机用密实型缠绕的毛刷滚筒代替标准式毛刷滚筒后，在棉花加工厂运转时所产生的噪音竟奇迹般地降低了。毛刷滚筒引起的噪音值从93．6分贝降低为78．0分贝。加工棉花40，000多包，未出现任何操作问题。在轧花厂中使用这种类型的毛刷滚筒大大提高了操作工的舒适程度。     

丙烯酸双酚—S环氧酯的合成

本文用季铵盐,叔胺为催化剂合成了丙烯酸双酚-S环氧酯。讨论了反应温度、酸和双酚的分子结为、催化剂的种类对反应速率的影响。结果表明,反应转化率对温度的依赖性很大,在89℃反应2小时,其转化率不足30%,而在113℃反应2小时,转化率可达65%左右。甲基丙烯酸的反应速率比丙烯酸高,在89℃时,其反应速率常数分别为4.91×10~(-5)s~(-1)和8.66×10~(-5)s~(-1)。双酚S的反应速率比双酚A高,在99℃的反应速率常数分别为1.32×10~(-4)s~(-1)。叔胺的催化效果不及季胺盐。用N,N’-二甲基甲酰胺代替二氧六环作溶剂,虽同样用季胺盐作催化剂,但反应速率可增加,这是由于溶剂参与反应所致。     

太阳能级多晶硅标准的现状及发展

回顾了太阳能级多晶硅标准这一问题的由来,分析了制定太阳能级多晶硅标准中的有关杂质含量的争论,对太阳能级多晶硅标准提出了一些看法和思考:应加快以物理法多晶硅为原料制作太阳能电池技术问题的研究;解决太阳能电池的衰减、生产工艺改进及物理法多晶硅性能的稳定性问题;多晶硅标准最终应该是一个不区分生产方法的、以主要杂质含量为指标的标准.     

光和传统热固化对SiO2减反膜影响的对比

以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,采用溶胶-凝胶技术,通过调节添加剂控制溶胶溶液性能,然后分别用光固化和传统电阻炉固化两种不同的热处理方案,制备出低折射率SiO2光学减反薄膜。分别采用椭偏仪、扫描电镜等对所制备薄膜的结构、物性进行研究。研究结果表明:光固化比传统电阻炉固化减反膜折射率低。     

轧花工艺对棉花质量的影响——初级研究报告

棉成品布的品质长期以来一直是纺织工业的一项重要指标,时至今日依然如此。美国农业部及与棉花轧花和纺织工业相关的部门对鉴定染色布里瑕疵的来源曾作了许多努力。皮尔森(1933年)在讨论疵点作为影响质量问题的渊源时,把疵点描述为缠绕在一起的结头,当这些结头被织进布里后,便不能很好地上色,于是在成品布的表面呈现为浅色的斑点。皮尔森认为部分原因是轧花机引起的,此时的皮棉被描述为“预加工不良”或“轧花损伤”,致使皮棉可能含有疵点。她还验证或推测了环境状况、棉花品种和纺织厂的梳棉工序增加了疵点出现的数量。皮尔森在后来(1944年…     

退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响

通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h.于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点.     

N+注入ZnO薄膜表面性质的变化

用直流反应磁控溅射法制备ZnO薄膜,将N+注入ZnO薄膜经快速热退火(RTA)后,通过XRD,AFM,UV-VIS-NIR分光光度计等比较了N+注入后ZnO薄膜的电阻率、导电类型、表面形貌和可见光透过率等的变化。经不同条件处理后的ZnO薄膜均具有相同的择优取向(002)。经RTA后颗粒普遍增大;N+注入后经RTA颗粒增大明显,最大有1μm。N+注入后,使ZnO膜的导电类型由原来的n型转变为弱p型。     

PVA对SiO2减反膜表面结构的影响

以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H2O为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,加入PVA(聚乙烯醇)添加剂,在玻璃上用旋涂法制备减反膜,并对其进行热处理;分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究PVA添加剂对减反膜结构、折射率的影响。结果表明:适量的PVA添加剂可以控制SiO2太阳电池减反膜的开裂。     

快速热退火前后ZnO及ZnO/Al薄膜性质的研究

鉴于直流反应溅射制ZAO膜对反应条件敏感,研究发现,经快速热退火(RTA)处理能放宽对反应条件的要求。实验中ZnO及ZnO/Al薄膜用直流反应磁控溅射法制备。选用金属Zn及金属合金Zn/Al靶。经快速热退火(RTA)后,通过XRD,UV-VIS-NIR分光光度计、四探针测方电阻等,研究了经不同温度RTA后ZnO及ZnO/Al薄膜的结晶状况、方电阻、电阻率、可见光透过率等的变化。对传统热退火和RTA进行了比较:经RTA600℃后电阻率减小5~9个数量级,达1×10–3·cm。