Ag纳米粒子修饰ZnO纳米线特性研究

利用水溶液法制备ZnO纳米线,使用真空热蒸发方法用Ag对ZnO纳米线进行表面修饰。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)仪、吸收谱仪分析它们的表面形貌、物相结构及光学性质,同时分析了其场发射性能。结果表明,随着Ag修饰量的增加,ZnO纳米线表面上的Ag纳米粒子分布会由稀疏逐步到致密,最后Ag的纳米粒子几乎连在一起。测量吸收谱线发现修饰后的ZnO纳米线的吸收能力变强,但存在一个临界值,当修饰量超过临界值后,ZnO纳米线的光吸收能力会减弱。对修饰后ZnO纳米线的场发射性能进行初步测试,结果表明适当量的Ag修饰可以有效降低ZnO纳米线的场发射开启电压。     

测试参数对掺As ZnO微米线光致发光谱的影响

光致发光谱是发光材料在特定光源照射下发出的不同波长光的强度分布,可广泛应用于材料的光学及掺杂特性研究领域,是一种非破坏性的测试技术。利用水热法生长了ZnO微米线,用闭管热扩散方法进行了掺As处理,获得掺As的ZnO微米线,并对掺As的ZnO微米线进行光致发光谱测试。通过改变两个测试参数:CCD探测器的曝光时间及光入射狭缝的宽度,研究这两个参数的变化对测试谱线的影响。测试结果表明只有在适合的曝光时间及狭缝宽度时才能较充分地反映材料的特性。     

小鼠骨髓基质细胞标志酶的电镜细胞化学研究

本文应用电镜酶细胞化学技术在电镜下观察正常小鼠骨髓基质细胞标志酶的特征。在小鼠骨髓基质中除静脉窦外,还有网状细胞和巨噬细胞。小鼠骨髓酶细胞化学反应表明,碱性磷酸酶(ALP)是窦周和窦间网状细胞的良好标志酶,显示特异性细胞膜阳性反应(图1、2);而酸性磷酸酶(ACP)和酸性非特异性酯酶(ANAE)则是巨噬细胞的标志酶,其胞     

粗糙界面对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响

研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的氧化层的影响.对于栅厚为3nm的超薄栅MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿电流的影响,数值模拟的结果表明:界面粗糙度对电子的直接隧穿有较大的影响,且直接隧穿电流随界面的粗糙度增加而增大,界面粗糙度对电子的直接隧穿的影响随着外加电压的增加而减小.     

超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流

用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流.结果表明,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略,中性陷阱的存在使隧穿电流增加,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制.     

一个超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流经验公式

建立了一个直接隧穿电流的经验公式 .将氧化层厚度作为可调参数 ,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物 n MOSFET器件的直接隧穿电流 .在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压 -电容方法模拟得到的氧化层厚度小 ,其偏差在 0 .3nm范围内 .     

病毒感染电镜诊断和病毒分类命名的新进展

病毒感染电镜诊断和病毒分类命名的新进展陈德蕙张贺秋王国华（军事医学科学院基础医学研究所，北京１００８５０）电镜是检出病毒感染和对病毒进行分类、鉴定的有力工具。从理论上讲，电镜可以检出任何在体外或体内组织细胞内复制、增殖的病毒及其所产生的细胞病变，并提...     

电镜在病毒感染诊断中的应用

本文系统温习了动物病毒分类与命名以及人类重要致病病毒电镜诊断的形态学指征。自１９６９年以来，我们应用超薄切片，负染和免疫电镜技术对６００余份病毒感染的培养细胞，实验动物组织以及少数临床样品（血清和粪便病毒提取液以及皮肤活检组织等）进行了电镜检查和诊断。检出的病毒有：触染性软疣病毒、鼠痘病毒、疱疹病毒、原病毒、人乳头瘤病毒、马脑炎病毒、乙型脑炎病毒、登戈病毒、流感病毒、鼠副流感病毒、合胞病毒、狂犬病     

微波辐射固定及其在免疫金标记技术中的应用

应用微波辐射快速固定大鼠胰腺组织和白血病病人骨髓细胞悬液,再按常规制作电镜超薄切片。包埋后超薄切片免疫金标记β细胞中的胰岛素分泌颗粒显示组织细胞结构清晰,标记率高,(图1)。骨髓细胞悬液包埋前免疫金标记和酶反应定位血小板表面糖蛋白(GPⅡb/Ⅲa)和胞浆内过氧化物酶均呈现阳性结果(图2)。电镜观察结果表明,经微波辐射固定的生物样品能较好地保存细胞的超微结构,抗原性及其酶活性。根据多次反复试验,我们取得的经验是,在进行微波辐射固定生物样品时,电镜样品固定温度和时间以26～28℃,15秒为宜。由于微波辐射加热温度升高很快,我们采用在炉室内四角放置四个盛有     

MgO薄膜的制备方法及工艺条件对薄膜特性的影响

综述了MgO薄膜的主要制备方法,包括电子束蒸发、脉冲激光沉积、磁控溅射、金属有机物化学气相沉积、分子束外延和溶胶-凝胶法等。阐述了各种方法在制备MgO薄膜方面的优点和不足,重点讨论了不同的生长条件对薄膜结晶取向、表面形貌等性质的影响。