多波长光谱法测定红糖中总铁和亚铁的含量

国家标准采用原子吸收光谱法测定食品中铁含量,其前处理需要灰化等步骤,操作繁琐,耗时耗能,测的为总铁的含量。本文建立了一种三波长邻菲罗啉显色法测定红糖总铁和亚铁含量的方法,先将红糖直接溶解成一定浓度的红糖溶液,然后按照邻菲罗啉显色法并基于423、510和700 nm波长处的吸光度测出总铁的含量,并进行了红糖中总铁含量的回收率试验。红糖溶液在不添加还原剂的情况下按照相同方法测出亚铁的含量。该方法能够有效扣除了红糖中多种色素以及基线漂移对结果的影响,结果发现试验的红糖样品,其中总铁的含量为(13.65±0.29)mg/kg,亚铁含量为(13.29±0.18)mg/kg,以二价铁为主,占总铁含量98%以上;红糖中总铁含量的回收率约103%。本方法避免了灰化前处理时的繁琐,测定较简便,结果准确,适用于生产企业使用。     

用于量子电压基准中约瑟夫森结阵列的CMP平整化工艺研究

化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)工艺处理Si02绝缘层是一种获得高度集成化超导电路的关键技术,尤其适合于多层堆叠约瑟夫森结阵列器件的平整化.设计了应用于热氧化生长的Si02薄膜和化学气象沉积生长的Si02薄膜的CMP工艺,得出两种薄膜的抛光速率分别为2 nm/...     

新型5×5分束达曼光栅的设计与制作北大核心

基于理论设计了一种面内旋转对称的新型5×5分束达曼光栅,研究并优化了光栅制作中曝光、显影及深刻蚀等关键工艺参数。采用接触式曝光和感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术,在石英基底上制作出达曼光栅结构。实验中通过优化石英基底上接触式曝光时间和显影时间,较好控制了曝光图形失真;进一步通过控制ICP刻蚀工艺参数,获得了刻蚀深度为（750±10）nm的石英衬底,实现了达曼光栅器件的制备。通过衍射光学特性评测得到了理论设计的零级衍射场均匀分布的5×5点阵,总的衍射效率达到53%,不均匀性仅为0.19%。实验证明了理论设计与工艺技术的可靠性,为达曼光栅器件的集成光学系统应用奠定基础。     

TES用超导薄膜制备及特性研究

超导转变边沿传感器(TES)是光强单位坎［德拉］量子化所需的单光子探测器,金属超导薄膜物理特性的研究是TES研究的基础。采用不同电源功率磁控溅射制备高纯Al、Ti超导纳米薄膜,分析其薄膜生长速率随气压和功率的变化。利用表面应力仪及电学测量仪,分析薄膜表面应力及电学特征。最后将薄膜放入商用稀释制冷机中,进行超低温测试,获得其超导特性。研究发现超导转变温度Tc以及转变沿宽度ΔT是影响TES能量分辨率以及时间常数的重要参数。实验结果将为TES器件的制备奠定基础。     

超导Nb膜表面减反膜技术研究

针对单光子探测芯片中超导Nb膜减反的问题,研究了磁控溅射Nb膜折射率光谱特性随Nb膜厚度变化的规律,同时研究了化学气相沉积法制备的SiO₂和SiN_x介质膜的折射率光谱特性。为降低超导Nb膜对633 nm光的反射比,在Nb膜表面设计和制备了SiO₂和SiN_x减反膜。测试结果表明:SiO₂和SiN_x使反射比明显减小,计算结果验证了这一趋势。     

约瑟夫森结阵器件的研究进展

介绍了约瑟夫森效应在电压基准方面的应用,综述了目前国内外对用于电压基准的约瑟夫森结阵的研究和发展过程,重点介绍了国内用于电压基准的Nb/NbxSi1-x/Nb单结的研究进展。     

毫米波功率计量标准器芯片的研制

针对毫米波WR-6波段功率标准器核心芯片需求,设计了芯片整体结构,研究了结构中各层的微加工工艺,制备了温度传感用Pt薄膜,在250 ℃退火后,100 nm Pt薄膜的电阻温度系数(TCR)达到2.4×10^-3/K,相对稳定度为2.4×10^-6。安装在毫米波功率标准器上的芯片对110～170 GHz的反射率低于-23 dB。直流功率灵敏度为0.83 mΩ/mW。     

QB/T 4093-2010液体糖标准的问题及其修订建议

本文结合蔗糖液体糖的生产和应用实际,对"QB/T 4093-2010液体糖"存在的诸如液体糖产品的分类依据、范围及其规定还原糖分的指标值,还原糖的测定方法的选定,以及全蔗糖糖浆中微量或少量的还原糖对其蔗糖分测定的影响等问题进行研究分析,提出了相应的解决办法和修订建议,可供同行企业使用以及供今后修订完善该标准做参考,使标准更加严谨和符合生产实际情况。     

SiO2-SiNx体系光学谐振腔中Ti超导薄膜特性的研究

设计良好的光学谐振腔是提高超导转变边沿传感器(TES)光学效率的有效手段，光学谐振腔结构厚度的变化，不仅对TES的光学效率有影响，而且会产生不同的残余应力进而影响TES的超导特性。研究了以超导Ti膜为TES功能层材料，同时选用SiO₂-SiN_x体系作为光学谐振腔薄膜。通过对数值仿真，确定了SiO₂-SiN_x体系光学谐振腔薄膜厚度变化对Ti-TES光学吸收效率的影响。分析了SiO₂-SiN_x体系光学谐振腔不同薄膜厚度的变化自身应力随之变化的趋势，最后制备了不同厚度SiO₂-SiN_x光学谐振腔的TES,并进行光学吸收效率的测试，验证了SiO₂-SiN_x体系光学谐振腔薄膜厚度对Ti-TES光学吸收效率变化的规律。