混合型白色有机电致发光器件的研制

制备了一种"混合型"结构的有机电致发光器件,膜层结构为ITO/MEH-PPV/AND:TBPE/Alq3(30nm)/LiF(0.5 nm)/Al(200 nm),研究了MEH-PPV的质量以及TBPE的掺杂对器件性能的影响.当MEH-PPV的质量约为0.09 mg,TBPE的掺杂浓度为4.5%时,获得了亮度均匀的白光器件.研究中发现器件的电致发光光谱中存在黄光成分,并对此现象进行了讨论.     

ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响。制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω·cm,其光电特性已达到了TN LCD透明电极的要求。     

底发射OLED中阳极形状对器件性能的影响

通过改变有机电致发光显示器件的阳极形状,制备了三种具有不同表面状态及形状阳极的器件,对它们的电流-电压、亮度、电流效率等特性进行了测试和分析．结果表明,阳极出光侧采用凹凸结构、且A1膜连续、致密,器件的亮度和电流效率相比于传统器件分别增加了40％和10oA．当阳极薄膜制备于凹凸面上时,器件性能较差．分析了三种器件性能差距较大的原因．     

锡掺杂对ITO膜方阻和结构的影响

以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜,在热处理温度为450℃条件下制备不同锡掺杂(质量分数11%~33%)的ITO膜,研究锡掺杂对ITO膜方阻和结构特性的影响。用四探针法测量ITO膜的方阻并对样品进行X射线衍射分析,结果表明:锡掺杂量在20%时ITO膜的方阻最小,不同锡掺杂的ITO膜均为立方铁锰矿结构,锡掺杂会影响ITO膜晶粒尺寸、晶格常数和晶面取向等结构特性,ITO膜的晶粒较大、晶格畸变小、择优取向小时薄膜方阻较小。     

偏光干涉法检测LCD间隔子的均匀性

由于液晶显示器中间隔子的均匀性影响着对比度、色调变化等性能,因此,本文对液晶显示屏间隔子均匀性的检测方法进行了研究。首先分别利用干喷和湿喷法制备了对应的液晶盒,然后采用偏光显微镜研究了所制备液晶显示屏间隔子的分布特性。研究发现,正常情况下,液晶盒内间隔子最小距离接近20μm,最大距离超过100μm;间隔子分布不良的主要缺陷为间隔子团聚;在实验室条件下,干喷法间隔子团聚比较严重,湿喷法基本上无此现象。所以,利用偏光干涉法,通过调节偏光显微镜上下偏光片的相对角度,可以在不破坏液晶显示屏的前提下直接观察到其内部的间隔子及间隔子的分布情况。文中还分析了利用偏光干涉检验间隔子均匀性的原理。     

OLED中NEA材料复合阴极影响电子注入效率的作用机理

负电子亲和势材料具有较窄的禁带宽度、功函数低,在OLED的工作电场强范围内可以发射电子,同时在吸收有机材料所发光子能量后可以产生光电子发射,再次注入有机层,提高了电子注入效率.介绍了负电子亲和势材料的形成,理论上分析了其对有机半导体能级的影响以及如何改善有机电致发光器件中电子注入水平,从而提高发光效率.     

微腔OLED的视角特性研究

文章研究了微腔OLED的视角特性,结果表明,亮度和发光效率随着视角的增加逐渐减小,当视角增加到50°时,其亮度降为正面输出的1/3;发光效率下降了约40%左右;色坐标随着视角的增加产生漂移,而光谱峰值和半高宽基本不随视角的变化而变化。同时分析并讨论了视角特性产生的原因。     

界面对液晶分子锚定作用的探讨

在热平衡条件下 ,对液晶显示器中的锚定作用以及液晶体系的自由能进行了理论分析 ,指出界面对液晶分子锚定作用的强弱可以由外推长度b来描述 ,b的大小主要取决于分子的平均线度a、表面能的各向异性部分EWN 以及液晶分子之间的相互作用能E。强锚定时 ,EWN ≈E ,b≈a ,表面作用可以能忽略不计 ,液晶体系的自由能主要表现为体畸变能 ;弱锚定时 ,E EWN,b a ,这时表面能不能忽略 ,液晶体系的自由能表现为体畸变能和表面能之和     

光输出增强型微腔OLED器件研究

文章利用特制的玻璃作为OLED基板,一面为平整光滑的平面,另一面为具有规则凹凸形貌的粗化面。采用光输出增强型微腔OLED结构,器件结构为:玻璃基板(光面)/Al(15nm)/MoO3(40nm)/NPB(30nm)/Alq3(30nm):C545T(3%)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(150nm),研究了器件的电流密度、亮度、发光效率、光致发光光谱等特性。结果表明,这种结构的器件相比于传统微腔型器件,相同电压下亮度约增加了40%,发光效率约提高了15%,具有更强的光萃取能力。     

晶振温补网络研究

介绍了有关晶体振荡器的温度补偿技术。对模拟补偿和数字补偿所用的网络和电路结构进行了研究和探讨，结合生产实际给出了常用的补偿网络、电路形式、补偿前后晶振的f～T曲线等。