Fe3O4纳米粒子与细胞的相互作用研究

研究10 nm粒径的表面未修饰Fe3O4纳米粒子在体外对人正常肝细胞HL-7702及人肝癌细胞SMMC-7721的生长影响.通过倒置显微镜、透射电镜(TEM)观察加入Fe3O4纳米粒子后肝癌细胞和正常肝细胞的形态变化及磁性纳米粒子在细胞内分布状态.用CCK-8测定加入磁性纳米粒子培养后细胞增殖能力的变化.倒置显微镜、透...     

基于Hg~(2+)诱导DNA双链形成的汞离子检测试纸条研制

Hg2+能特异性地与2个胸腺嘧啶碱基(T)共价结合,介导T-T错配形成稳定的T-Hg2+-T结构。基于DNA修饰的纳米金探针研制了一种可检测水溶液中Hg2+浓度的层析试纸条。试纸条包含1条控制线和2条测试线,检测结果在5 min内可见,裸眼可见检测灵敏度为100 nmol/L。金标条阅读仪分析结果在10 nmol/L~10μmol/L范围内具有良好的线性关系,且对常见二价重金属离子Cu2+,Ni2+,Mg2+,Zn2+,Pb2+具有很好的选择性。该试纸条灵敏特异、快捷简单、操作方便、成本低廉,在环境监测和食品安全的现场快速检测中具有很好的应用前景。     

生物样品富集微芯片

微全分析系统(micrototalanalyticalsystem,μTAS)是一个快速发展的领域,生物样品的富集和提取是样品分析的重要环节。由于生物样品种类多、成分复杂,在微芯片上富集和分离较为困难,是微全分析系统发展需要突破的瓶颈之一。介绍了不同类型的生物样品微富集芯片工作的原理、近来的研究进展情况以及存在的问题。     

Gleeble 3500热模拟HFW焊接工艺研究

采用Gleeble 3500实验机模拟了HFW焊接过程,研究了焊缝区金属挤出温度及其硬度和组织。结果表明:挤压形变量、挤压应力的波动变化主要与焊缝区金属挤出过程及焊后冷却过程中的相变有关;试验钢碳当量越高,焊缝区金属挤出开始温度就越高,终止温度就越低,不仅影响焊接质量,而且影响生产效率。     

高速光纤通信用定时恢复判决电路

对光纤通信用定时恢复判决电路进行了研究,设计了由1μm耗尽型GaAs金属－半导体势垒场效应晶体管（MESFET）器件构成的判决电路和时钟提取电路。判决电路的基本单元为源耦合场效应晶体管逻辑（SCFL）电路,时钟提取电路由预处理器和锁相环构成。模拟分析表明,时钟提取电路可从输入信号中提取判决电路所需的时钟脉冲,频率达2．5GHz,判决电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决,并经时钟抽样后,输出正确的数字信号,传输速率达2．5Gbit/s。实测电路可正确判决,时钟抽样后,输出正确的数字信号,传输速率达2．5Gbit/s。     

不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究

分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET Vth均匀性研究宜采用平面工艺     

2.5Gb/s GaAs MESFET定时判决电路

设计了2.5Gb/s光纤通信用耗尽型GaAs MESFET定时判决电路.通过SPICE模拟表明恢复的时钟频率达2.5GHz,判决电路传输速率达2.5Gb/s.实验证明经时钟信号抽样后判决电路可产生正确的数字信号,传输速率达2.5Gb/s.     

GaAs数字电路输入输出接口电路的设计

本文讨论了ＧａＡｓ电路和ＳｉＥＣＬ电路的输入输出接口问题，对ＧａＡｓ电路中ＢＦＬ、ＤＣＦＬ、ＳＤＦＬ等电路形式的典型输入输出接口电路进行了分析研究，用电路模拟程序计算并给出了ＢＦＬ输入输出接口电路的转移特性曲线。     

微通道电泳芯片系统中信号识别算法的设计与实现

介绍适用于微通道电泳芯片系统的DNA测序软件的总体流程，以及其中的信号处理与识别算法。以激光诱导荧光检测系统所采集到的原始数据为源信号，以小波平滑和小波去噪为理论基础，将滤波算法和峰值识别算法综合在一起进行设计，从而使其适用于检测速度更快、样品量更少的微通道电泳芯片系统。将本算法应用于DNA片段的分离实验中，可以有效地达到滤波以及信号识别的目的。     

用于PDMS微芯片塑性成型的SU-8模具制作工艺的优化

PDMS是制作微流控芯片的主要材料.PDMS芯片制作的主要方法是模塑法,模塑法要求有良好的塑性成型模具.SU-8以其良好的微加工特性,目前已广泛应用于微机械结构的制作,也用于PDMS塑性成型的模具.本文根据模具的特殊性,如平整、无裂纹、可多次使用等要求,研究了影响SU-8模具结构与基底材料硅片的黏附性和形成裂纹的因素,优化了SU-8微模具加工工艺,在以0.5℃/min进行升降温、210 mJ/cm2的曝光剂量、200℃条件下硬烘30min条件下得到较好的SU-8模具,提供了一种快速、复用性高、低成本的PDMS微芯片塑性成型的SU-8模具的制作方法.