排序方式: 共有38条查询结果,搜索用时 193 毫秒
1.
2.
本文介绍单靶直流磁控溅射三元复合(Ti,Al)N硬化膜的研制结果。制得的Ti_(0.5)Al_(0.5)N腹具有(111)面择优取向Bl NaCl立方结构,显微硬度达到2700kg/mm~2,并具有良好的抗氧化性和抗酸腐蚀性。文中着重讨论了沉膜过强中氮分压、基片负偏压以及基片温度对薄膜显微硬度、形貌、晶粒尺寸和晶格常数的影响。 相似文献
3.
4.
5.
6.
基于EDA设计的调试大纲及波形生成技术 总被引:1,自引:0,他引:1
在现代电子产品的研发过程中,存在一个普遍问题:在电路设计师和调试工之间,缺乏有效的沟通。这延长了产品的设计周期,调试工作已成为电子装备批量生产的“瓶颈”。该文提出一种基于EDA软件设计过程的调试大纲半自动生成技术,它融合了EDA工具的大部分设计信息,有利于调试工和设计师之间的沟通。仿真波形作为调试大纲的组成部分,该文也对波形绘制加以阐述。 相似文献
7.
金刚石材料具有低的介电常数、小的微波损耗、良好的导热性能,成为太赫兹电真空器件发展过程中非常有研究价值和应用价值的材料。它可以作为输能窗的介质窗片和高频结构的介质支撑材料。本文介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石材料在太赫兹电真空器件中的具体应用实例,以及在W波段行波管中的实际应用情况,包括MPCVD金刚石的制备过程,及其与金属材料的封接工艺。研制出的W波段金刚石窗冷测结果显示其在75 GHz-110 GHz频段内性能良好:驻波系数(VSWR)≤1.5,传输损耗≤0.5 dB。这种窗已经成功用于W波段折叠波导连续波与脉冲行波管中。 相似文献
8.
在Spindt场发射阴极制作工艺流程中,剥离层对于形成良好的发射尖锥形状至关重要,同时它也是实现阴极阵列中尖锥均匀性的关键因素.本文研究了几种常用的剥离层材料包括金属铜,Al2O3以及水溶性的NaCl和NA2CO3.实验表明NaCl和Na2CO3用作剥离层,可以被去离子水迅速、容易地去除,并同时实现很好的腐蚀选择性.但用这些水溶性材料得到的发射尖锥形状不很规则且表面粗糙,由此也会带来整个阴极阵列上尖锥的不均匀性.使用Al2O3作为剥离层则较为理想,可以得到光滑的栅极收口和很好的尖锥阵列.但传统用来腐蚀Al2O3的热H3PO4,对于加热制作的Al2O3剥离层腐蚀较为困难.尝试了使用基于NaOH的腐蚀液来剥离加热Al2O3层,通过严格的工艺参数控制,如腐蚀液浓度和刻蚀时间,可以制作出质量较好尖锥发射体阵列. 相似文献
9.
为解决现有多晶金刚石用于太赫兹(THz)真空电子器件输能窗存在慢性漏气风险的技术难题,介绍了一种高断裂强度、良好真空密封性能、低微波损耗的新型超薄复合多层金刚石膜的研制方法。该复合超薄金刚石膜采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过合理的结构设计和优化工艺,实现微米晶金刚石(MCD)和超纳米晶金刚石(UNCD)交替沉积的三明治结构。测量100 μm厚不同结构的复合膜断裂强度,是同样厚度的MCD的2~3倍。将研制的复合多层金刚石膜用于180 GHz和220 GHz 太赫兹行波管输能窗,通过气密性检测,漏率≤1×10-10 Pa?m3/s。窗的冷测结果显示,180 GHz窗的S11≤-15 dB(10 GHz带宽),220 GHz窗的S11≤-10 dB(20 GHz带宽),均具有良好的射频(RF)性能,满足使用要求。为太赫兹行波管输能窗的研制提供了一种成本低、可靠性高的超薄金刚石膜的技术途径。 相似文献
10.
半导体中等离子激发的能量与其载流子浓度有一定的关系。利用高分辨率电子能量损失谱仪(HREELS)检测到的等离子激发能量的变化则可以反应出某些半导体表面区域载流子浓度的变化。对于InSb(100)的研究表明:(1)低能离子溅射(≤500eV)以及随后的退火处理都在n型和p型InSb(100)近表面区域形成一个自由载流子累积层;(2)低能离子的这种损伤效应延伸到100nm以下的深度。 相似文献