多孔NiO纳米棒:可牺牲模板法制备及其磁性(英文)

本文基于微乳液法制备了长度几微米、直径20-100纳米的NiC2O4纳米棒,以此为可牺牲模板得到多孔NiO纳米棒,并采用FESEM、TEM、HRTEM、XRD、FTIR对产物的形貌和结构进行了表征。研究表明,所制多孔NiO纳米棒是由NiO颗粒组成,且NiO颗粒的直径可随热处理温度变化。同时研究了NiO纳米棒的磁性性能,制备的NiO纳米棒显示出随NiO颗粒尺寸变化的铁磁性特征。     

铜杂质在太阳电池用多晶硅中的沉淀及吸杂行为(英文)

采用扫描红外显微镜、光学显微镜、电感耦合等离子质谱仪和微波光电导衰减仪对铜杂质在多晶硅中不同缺陷状态区域的沉淀和吸杂行为进行研究。发现铜杂质沉淀行为与缺陷密度密切相关,在低缺陷密度区域铜杂质大多易于均质形核形成沉淀,而在高缺陷密度区域铜杂质通常会聚集在缺陷处异质形核而沉淀下来。当铜沾污量较高时,由于在硅基体中的肖特基二极管效应,铜沉淀会令多晶硅中的载流子寿命明显缩短。在900℃下进行快速磷吸杂处理后,这两种区域中的铜杂质都不能得到有效去除。     

扩硼硅pn结二极管室温近红外电致发光性能

采用扩散法制备了两种掺杂浓度的硅pn结二极管,对它们的室温近红外电致发光性能进行了研究。结果表明,轻掺硅pn结二极管室温电致发光谱中只有带边峰(1.1eV),而重掺硅pn结二极管在较大的注入电流下,除带边峰外还有0.78eV发光峰,该发光峰的强度随注入电流增加呈指数增长。在低温光致发光谱中没有出现与缺陷相关的发光峰,在高分辨截面透射电镜照片中也没有发现位错或位错环等缺陷。0.78eV发光峰可能是由于大量硼扩散进入硅晶格内产生的应力造成带隙变化,注入的载流子在此处进行辐射复合产生的。     

ZnO纳米线光学特性测试的倏逝波耦合

使用纳米氧化硅光纤探针,利用倏逝波耦合方法,将紫外到红外的激光成功地耦合进单根ZnO纳米线,耦合效率可达25%.实验观测了单根纳米线的荧光特性,发现ZnO纳米线光传输损耗很低.研究证明:采用透镜聚焦激发纳米线发光的传统耦合方法,只能使用特殊激发波长的光;而倏逝波耦合方法具有高效、适用性强的特点,在半导体纳米线和纳米带的光学特性研究中有广泛的应用前景.     

大直径直接硅单晶中的空洞型原生缺陷

空洞型（Void）原生缺陷在大直径直硅单晶中的重要性日渐突出，本文在论述大直径硅单晶中Void缺陷基本性质的同时，详细综述了这类缺陷的控制方法以及它与轻元素（氧，氮，碳，氢）杂质的相互作用，并简要讨论了关于Void缺陷的研究方法和今后的研究方向。     

TEM电子束诱导硅表面氧化的分析

洁净硅表面在电子束的作用下产生诱导氧化现象,在AES分析中已得到证实。本文利用TEM 200CX型电镜研究了洁净硅表面在电子束作用下的结果,实验表明,在TEM中同样存在着电子束诱导硅表面氧化的现象,氧化生成了SiO_2微晶,其氧主要来自硅晶体内氧的局部富集和电镜中残余气体在硅表面的吸附。