p型轻掺多孔硅的发光特性研究

采用阳极氧化法在p型轻掺硅片上制备多孔硅,研究了电解液配比、电流密度和反应时间对多孔硅发光性能的影响.实验研究发现多孔硅形貌随氢氟酸浓度而变化,电流密度、电化学腐蚀时间对多孔硅的发光均有影响.随着氢氟酸浓度和电流密度的增大,多孔硅的光致发光光谱强度先变大后减小;随反应时间的延长,多孔硅的光致发光光谱峰强度增强.氢氟酸浓度、电流密度和反应时间对傅立叶红外光谱中与Si-H、Si-H2键相关的振动峰具有明显影响,且与发光强度的变化相对应.结合多孔硅的成核理论、量子限制理论以及红外光谱中Si-H、Si-H2键红外振动峰的变化解释了上述现象.     

氮化前显微组织对SmFeN合金磁性能的影响

本文研究了Sm含量,凝固速度及Nb和Zr元素的添加对Sm-Fe合金微观组织及氮化后Sm2Fei7Nx合金磁性能的影响.研究结果表明:采用真空感应炉熔炼Sm-Fe合金,当Sm的补偿量大于10wt%时,合金铸锭组织中出现大量的富Sm相,这将导致氮化后磁体磁性能的恶化;提高铸锭的冷却速度及添加Nb和Zr等元素可以有效地细化铸锭中α-Fe相的晶粒,减少均匀化退火后α-Fe相的数量,提高磁性能.     

多孔硅基体系发光特性研究进展

综述了多孔硅基复合体系发光特性的研究进展，阐述了多孔硅基体系及其发光特性，详细介绍了影响多孔硅基体系发光特性的因素和制备多孔硅基体系的方法，并讨论了多孔硅基体系的发光机理。最后综述了目前有待于进一步深入研究的问题及发展趋势。     

快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响

本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD).     

重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示

本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间.此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨.     

金刚线切割多晶硅片表面减反射绒面的制备

为解决金刚线切割多晶硅片表面制绒的问题,提出了一种创新的两步腐蚀制备硅表面陷光结构的方法。先以浓硫酸作为添加剂去除表面线痕,然后通过酸雾腐蚀法获得一种微米纳米复合的多孔陷光结构。样品在300～1100nm波长范围内的平均光反射率被降至8.6%,减反射效果优良,少子寿命提升0.6μs以上。此方法具有操作简单,无需复杂设备,成本低等优点,易实现工业化生产。     

PHP优于ASP的七个理由

动态服务器页面(ASP)是微软用来显示动态Web页面的技术。ASP支持多种编程语言,其中最常用到的是VBScript。而PHP则是可以替代ASP的一种开放源码技术,能运行在多种操作系统上,包括Linux和Windows。ASP是一种很好很有用的技术,但终究,PHP将显示其优越性——无论是在技术上还是在人气上。之所以这样认为,有七个原因:     

EJB技术背景

要理解企业JavaBeans(EJB)技术,有必要先来看一点背景。在九十年代早期,传统的企业信息系统提供商开始响应客户需要,从两层客户端/服务器应用模式转向更灵活的三层和多层应用模式。这种新模式把业务逻辑从系统服务和用户界面中分离出来,并放置在这两者之间的一个中间层上。中间件服务的不断发展——事务监视器、面向消息的中间件、对象请求代理和其它——给这种新体系结构赋予了额外的推动力。对轻量级的、容易部署的客户端的更加强调推动了互联网和内联网对企业应用系统的日益使用。     

氩等离子体处理增强TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件的电致发光

在我们以前的工作[1]中,报道了基于重掺硼硅片(p~+-Si)上掺Er的TiO_2(TiO_2∶Er)薄膜的TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件的电致发光。本文研究了TiO_2∶Er薄膜的氩(Ar)等离子体处理对TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件电致发光的影响。研究发现:Ar等离子体处理使TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件与Er3+离子相关的可见和近红外电致发光都得到了显著的增强,同时也增强了与TiO_2基体中氧空位相关的电致发光。这是由于Ar等离子体处理显著提高了TiO_2∶Er薄膜中的氧空位浓度,不但增强了与氧空位相关的电致发光,而且增强了以氧空位为敏化中心的从TiO_2基体向Er3+离子的能量传递,从而增强了Er3+离子的发光。     

单晶硅中过渡族金属镍对洁净区形成的影响

研究了过渡族金属镍在快速热处理作用下对直拉单晶硅中洁净区形成的影响.实验结果发现:硅中魔幻洁净区(MDZ)形成后,氧沉淀及其诱生缺陷能有效地吸杂金属镍;而沾污金属镍的硅中,随后的快速热处理工艺不能形成MDZ,硅片近表面出现大量沉淀.采用传统的内吸杂工艺,镍沾污的次序对洁净区的形成没有影响.实验表明由于硅片表面形成的镍硅化合物的晶格常数比硅小,所以在硅片近表面产生高浓度的空位,导致近表面的氧依然能够在MDZ工艺中形成沉淀.