罩式退火温度对高强IF钢组织及性能的影响

为研究不同退火温度下高强IF钢的组织性能及织构的变化规律,采用温箱式电阻炉加热模拟罩式退火工艺,研究了不同退火温度下高强IF钢210P1冷轧板力学性能;对不同退火温度钢板的r90进行了统计并对其进行显微组织观察;采用X射线衍射仪及热场发射扫描电镜对不同退火温度的罩式退火成品板进行了织构分析。结果表明,在高强IF钢210P1冷轧板的罩式退火过程中,提高退火温度将使晶粒明显长大。随着退火温度的升高,屈服强度及抗拉强度下降,伸长率升高,n值略有上升,板材横向r值增加较明显,有利织构{111}取向密度增加,不利织构{100}取向密度降低。     

热处理对雕塑用铜铝合金微观组织和力学性能的影响

以雕塑用铜铝合金为对象,研究不同退火温度对其微观组织和力学性能的影响。结果表明,随着退火温度的提高,铜铝合金的抗拉强度不断降低,伸长率逐渐增大。退火温度为300℃时,铜铝合金的综合力学性能最优。     

5052铝合金无缝薄壁管扩口性能研究

通过对比进口料和国产料的组织,确定了提高5052合金管材扩口性能组织的改进方向为细化组织晶粒度,消除组织各向异性。对比拉伸法和轧制法,发现轧制法生产的管材退火后组织晶粒更细小且各向异性更小。通过退火制度摸索,确定采用(470℃～490℃)×4h制度退火后的轧制管材组织的均匀程度最好,扩口成功率最高,完全可以达到实际应用需求。     

Mg-3Li-1Ce合金的组织与力学性能

通过微合金化法制备了Mg-3Li-1Ce合金,研究轧制态和不同退火态下合金的微观组织和力学性能。结果表明,Mg-3Li-1Ce合金中弥散分布在晶粒内部的点状或者球状析出相为Mg12Ce相。经350℃退火1 h后,合金具有良好的强度与塑性。     

DP980+Z烘烤硬化值与退火温度的关系

摘要：为了研究退火温度对镀锌DP980+Z烘烤硬化值的影响，退火温度控制在760～820℃之间，系统分析退火温度对烘烤硬化值的影响。通过准静态拉伸试验机测量烘烤硬化值及抗拉强度，采用lepara试剂对组织中的马氏体进行着色，利用金相显微镜及图像处理软件测量马氏体的体积分数；采用扫描电镜观察DP980+Z的双相组织特点，并且将组织图片通过CAD转化成有限元图进行网格划分，建立代表性体积单元（RVE），通过有限元分析铁素体、马氏体强度对烘烤硬化值的影响。在同样的变形量情况下，DP980+Z的原始屈服强度越高，烘烤硬化值越高。     

RF磁控溅射制备钛酸锶钡BST纳米薄膜

钛酸锶钡(BST)薄膜作为一种高K介质材料在微电子和微机电系统等领域具有广阔的应用前景,人们已对BST薄膜的制备工艺技术和介电性能进行了大量的研究。BST纳米薄膜的制备工艺直接影响和决定着薄膜的介电性能(介电常数、漏电流密度、介电强度等)。对RF磁控反应溅射制备BST纳米薄膜的工艺技术进行了综述。从溅射靶的制备、溅射工艺参数的优化、热处理、薄膜组分的控制,及制备工艺对介电性能的影响等方面,对现有研究成果进行了较全面的总结。     

Si基n型GaN的欧姆接触研究

GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线，X射线衍射以及二次离子质谱分析，揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响，提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。     

退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响

研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200～1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的ZnO薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在640℃的应力松弛温度(SRT)下,ZnO薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时ZnO薄膜的结晶性能最优.     

超深冲IF钢退火过程中织构变化的ODF分析

采用ＯＤＦ分析方法对ＩＦ钢冷轧板在退火过程中织构变化进行了分析。结果表明，随退火时间的延长，冷轧ＩＦ钢板在呔α，γ取向线上的｛１００｝〈１１０〉，｛１１２｝〈１１０〉，｛１１１｝〈１１０〉，｛１１１｝〈１１２〉织构有所增减，其中｛１１１｝〈１１２〉织构明显增加。最终形成以｛１１１｝〈１１０〉，｛１１１｝〈１１２〉为主的退火织构。这正是使ＩＦ钢获得优良深冲性能必要条件。     

As＋注入Si1—xGex的快速退火行为

用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的快速退火行为进行了研究，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３，Ａｓ注入剂量为２×１０＾１６ｃｍ＾－２，注放能量为１００ｋｅＶ，快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒，实验结果表明，Ｓｉ２－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快，对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样吕，Ａｓdispla