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1.
利用猪毛、风化煤和腐植酸钠的水解液为增效剂制备了一种增效过磷酸钙,探讨了增效过磷酸钙的增效机制及其对玉米生长的影响。结果表明,蒸馏水浸提条件下,增效过磷酸钙能减缓水溶磷的释放,具备较高的pH值缓冲性。与普通过磷酸钙相比,增效过磷酸钙处理的玉米生物量平均增加了41.9%,吸磷量和吸钙量分别增加了61.7%和27.8%,根系活力增加了24.3%。该研究结果对过磷酸钙生产的技术改进具有指导意义。 相似文献
2.
Journal of Computer Science and Technology - New non-volatile memory (NVM) technologies are expected to replace main memory DRAM (dynamic random access memory) in the near future. NAND flash... 相似文献
3.
提出了一种基于光纤环的光缓存器的结构,对结合半导体光放大器作光开关的此结构的物理模型进行了详细描述,并根据此模型分析了其增益、噪声、信噪比等方面的特性. 相似文献
4.
5.
6.
7.
一种低功耗Cache设计技术的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
低功耗、高性能的cache系统设计是嵌入式DSP芯片设计的关键。本文在多媒体处理DSP芯片MD32的设计实践中,提出一种利用读/写缓冲器作为零级cache,减少对数据、指令cache的读/写次数,由于缓冲器读取功耗远远小于片上cache,从而减小cache相关功耗的方法。通过多种多媒体处理测试程序的验证,该技术可减少对指令cache或者数据cache20%~40%的读取次数,以较小芯片面积的增加换取了较大的功耗降低。 相似文献
8.
本文对CIMS装配线和拆卸线的可靠性问题进行研究。文中分析了它们的运行状况,求出了两种生产线的稳态可用度,并用一个例子加以说明。 相似文献
9.
R. D. Dupuis J. C. Bean J. M. Brown A. T. Macrander R. C. Miller L. C. Hopkins 《Journal of Electronic Materials》1987,16(1):69-77
We report the results of studies which have been made on heteroepitaxial layers of GaAs and AlGaAs grown by metalorganic chemical
vapor deposition on composite substrates that consist of four different types of heteroepitaxial layered structures of Ge
and Ge-Si grown by molecular beam epitaxy on (100)-oriented Si substrates. It is found that of the four structures studied,
the preferred composite substrate is a single layer of Ge ∼1 μm thick grown directly on a Si buffer layer. The double-crystal
X-ray rocking curves of 2 μm thick GaAs films grown on such substrates have FWHM values as small as 168 arc sec. Transmission
electron micrographs of these Ge/Si composite substrates has shown that the number of dislocations in the Ge heteroepitaxial
layer can be greatly reduced by an anneal at about 750° C for 30 min which is simultaneously carried out during the growth
of the GaAs layer. The quality of the GaAs layers grown on these composite substrates can be greatly improved by the use of
a five-period GaAs-GaAsP strained-layer superlattice (SLS). Using the results of these studies, low-threshold optically pumped
AlGaAs-GaAs DH laser structures have been grown by MOCVD on MBE Ge/Si composite substrates. 相似文献
10.
本文对双总线结构工业控制计算机网给出了其Petri网和高级Petri网的建模及性能指标评估方法。文中考虑了信包缓冲区容量有限、信包最大允许服务时间有限、不同的站点优先级和系统总线故障率等因素影响下的网络性能指标评估问题。克服了以往对网络性能评估的某些局限。本文讨论了带计数禁止弧的高级随机Petri网(HDSPN)的特性,并对给出的DSPN模型进行了仿真计算,对影响网络性能的系统指标进行了讨论。 相似文献