基于MATLAB的ZNⅡ真空电容投切开关操动机构设计

ZNⅡ型真空电容投切开关专为频繁投切电容器组的场合设计,其操动机构由凸轮传动机构和弹簧储能机构组成。根据文献研究,开关的速度输出特性能够体现其灭弧性能的好坏。笔者综合分析开关各参数的影响,利用MATLAB软件的优化工具箱对ZNⅡ型真空电容投切开关进行设计,能够得到比较理想的速度输出特性。     

真空断路器欠压线圈失效分析

文章简要介绍了案例中真空断路器欠压线圈故障现象及事态影响，重点分析了欠压线圈失效机理，进而找出元件失效的真正原因。     

真空开关触头结构形式对磁感应强度和电磁力的影响

笔者采用仿真计算的方法,对不同结构形式的横磁触头磁感应强度和电磁力进行了分析,得出了触头结构形式对磁感应强度和电磁力的影响规律。16匝横磁触头结构的最大磁感应强度值(49.21 m T)最小,4匝横磁触头结构的最大磁感应强度值(63.86 m T)居中,螺旋槽横磁触头结构的最大磁感应强度值(74.54 m T)最大。16匝横磁触头结构电弧模型的电磁力(0.042 1 N)最小,4匝横磁触头结构电弧模型的电磁力(0.063 6 N)居中,螺旋槽横磁触头结构电弧模型的电磁力(0.117 6 N)最大。     

空气对HAC太阳电池晶体硅/本征非晶硅界面污染情况分析

采用热丝CVD法在N型体硅上以全程真空环境镀膜与IN镀膜后破真空再镀IP的不同形式,分别生长IN-IP非晶硅膜层,用WCT-120对薄膜钝化性能进行分析,并用wxAMPS软件模拟样品电池效率。比对结果表明:全程真空环境镀膜样品的反向饱和电流密度（J0）和理论开压（iVOC）分别为5.12×10-15 A·cm-2和0.731 V,模拟效率为23.15%;IN-IP破真空镀膜样品的J0和iVOC分别为9.06×10-14 A·cm-2和0.654 V,模拟效率为20.24%。因此,热丝CVD全程真空环境相对于IN-IP破真空镀膜具有更优的膜层生长方法。     

真空加料技术及应用研究

开发一种新的烟叶加料方式——真空加料技术,通过实验确定贵烟(国酒香)产品最佳的料液浓度以及工艺方式,并对加料的均匀性及加料后烟叶的致香成分进行检测,试验表明:国酒香料液最佳浓度1.96%,最佳工艺方式为进行三次加蒸汽并分别闷车2分钟,加料后车仓内上中下层烟叶吸料均匀,致香成分增加明显,烟叶感官质量明显提升。     

汽轮机真空降低的原因分析及处理

对汽轮机运行过程中真空下降的原因进行分析,并且对其进行技术整改以及调整,这样可以有效地将机组的真空提升上去,不仅可以确保机组迎高峰度夏的安全性以及稳定性,也可以降低能源消耗及生产成本。     

SiC_p/A356制动盘铸造成形工艺设计和缺陷预测

SiCp/A356复合材料制动盘具有轻质低噪长寿命等突出优点,在城市轨道列车基础制动系统中具有广阔的应用前景。但SiCp/A356复合材料铸造性能较差,成形过程中极易形成气孔、缩孔缩松及裂纹缺陷。本文利用ProCAST凝固模拟软件对制动盘的金属型真空调压成形工艺进行仿真分析,基于流场、缩孔缩松、凝固时间及固相率等结果,确定了制动盘内部成形质量良好的浇注系统设计和浇注工艺参数,成形了内在质量完好的SiCp/A356制动盘。     

HfN含量对ZrB2基陶瓷材料微观组织和力学性能的影响

以HfN为增强剂、Ni为金属添加剂, 通过真空热压烧结工艺制备了ZrB₂-HfN陶瓷材料, 研究了HfN含量(质量分数)对ZrB₂基陶瓷材料微观组织和力学性能的影响。结果表明: 随着HfN质量分数从5%增加到15%, ZrB₂-HfN陶瓷材料的硬度和抗弯强度先增大后减小, 而断裂韧度逐渐增大; 当HfN质量分数为15%时, ZrB₂-HfN陶瓷材料的断裂模式为穿晶断裂与沿晶断裂共存; 当HfN含量为10%时, ZrB₂-HfN陶瓷材料具有较好的综合力学性能, 其硬度、抗弯强度和断裂韧度分别为: (16.47±0.24) GPa、(734.48±25) MPa和(5.37±0.20) MPa·m 1/2。     

高效液相色谱法测定VMCPP薄膜中芥酸酰胺的含量

采用高效液相色谱法(HPLC)测定了真空镀铝聚丙烯薄膜(VMCPP)中芥酸酰胺的含量。芥酸酰胺在25～250 mg/L范围内线性良好,相关系数R0.999,检出限为0.2 mg/kg,定量限为1 mg/kg。外标法具有良好的稳定性和灵敏度。对比了4种样品提取溶剂的提取效果,选择环己烷作为提取溶剂,并从回流时间、回流次数两个方面对提取方法进行了优化。对比分析了5个国内外芥酸酰胺的检测标准和本试验方法的差异,指出更具包容性的检测标准是未来发展的趋势,这些相近的检测标准可以促进检测技术的国际交流,扩大知识与科学的合作。