全文获取类型
收费全文 | 103489篇 |
免费 | 8468篇 |
国内免费 | 6402篇 |
专业分类
电工技术 | 8158篇 |
综合类 | 10664篇 |
化学工业 | 11809篇 |
金属工艺 | 4571篇 |
机械仪表 | 9599篇 |
建筑科学 | 8668篇 |
矿业工程 | 5022篇 |
能源动力 | 2756篇 |
轻工业 | 6521篇 |
水利工程 | 3180篇 |
石油天然气 | 6756篇 |
武器工业 | 1818篇 |
无线电 | 15207篇 |
一般工业技术 | 7522篇 |
冶金工业 | 3245篇 |
原子能技术 | 903篇 |
自动化技术 | 11960篇 |
出版年
2024年 | 573篇 |
2023年 | 2451篇 |
2022年 | 2834篇 |
2021年 | 3156篇 |
2020年 | 3149篇 |
2019年 | 3631篇 |
2018年 | 2032篇 |
2017年 | 2811篇 |
2016年 | 3196篇 |
2015年 | 3914篇 |
2014年 | 6677篇 |
2013年 | 5306篇 |
2012年 | 6068篇 |
2011年 | 6402篇 |
2010年 | 5719篇 |
2009年 | 5893篇 |
2008年 | 6431篇 |
2007年 | 5761篇 |
2006年 | 5160篇 |
2005年 | 5026篇 |
2004年 | 4475篇 |
2003年 | 3951篇 |
2002年 | 3243篇 |
2001年 | 2803篇 |
2000年 | 2392篇 |
1999年 | 2026篇 |
1998年 | 1821篇 |
1997年 | 1691篇 |
1996年 | 1633篇 |
1995年 | 1461篇 |
1994年 | 1298篇 |
1993年 | 1090篇 |
1992年 | 993篇 |
1991年 | 1000篇 |
1990年 | 836篇 |
1989年 | 894篇 |
1988年 | 156篇 |
1987年 | 96篇 |
1986年 | 81篇 |
1985年 | 53篇 |
1984年 | 47篇 |
1983年 | 36篇 |
1982年 | 37篇 |
1981年 | 23篇 |
1980年 | 15篇 |
1979年 | 8篇 |
1977年 | 3篇 |
1965年 | 4篇 |
1959年 | 1篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
使用结构为42°Y-X LiTaO3(600 nm)/SiO2(500 nm)/Si的SOI衬底,通过抑制横向模式等优化设计,研制了单端谐振器和声表面波滤波器。经测试,谐振器的谐振频率为1.5 GHz,品质因数(Q)值高达4 000;滤波器的中心频率为1 370 MHz,插入损耗为-1.2 dB,1 dB带宽为74 MHz,相对带宽达到5.4%,阻带抑制大于40 dB,且温度系数在-55~+85 ℃时优于-9×10-6/℃。该产品具有高频、宽带、低损耗、低温漂、高阻带抑制的特点,其性能指标优异,具有很好的实用性。 相似文献
2.
低轨互联网星座是当前全球研究和发展的热点,互联网星座支持随遇接入遥感卫星和信息在轨直接处理的应用前景备受期待,但由于轨道高度不同会产生双向高动态异构星座的接入互联问题。首先,通过设定低轨卫星互联网星座在不同轨道特性、不同卫星数量情况下的随遇接入仿真场景,重点探讨了时空非连续可视性和多普勒频移问题对遥感卫星接入性能的影响;其次,基于遥感卫星随遇接入互联网星座场景的特点,分析了不同时延性在轨处理任务的流程及其星地功能分配;最后,对当前在轨智能处理算法存在的问题和未来研究重点进行阐述,为未来低轨互联网星座及遥感卫星的发展和联合组网应用提供可靠的理论支撑。 相似文献
3.
应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。 相似文献
4.
报道了一款在101.6 mm(4英寸)InP晶圆上制备的特征尺寸为0.25μm的磷化铟双异质结双极型晶体管。采用发射极自对准技术和介质钝化工艺,器件的发射极典型尺寸为0.25μm×3.00μm,最大电流增益为25,当发射极电流密度为10μA/μm^(2)时,器件的击穿电压达到了4.2 V,电流增益截止频率为390 GHz,最高振荡频率为620 GHz。建立了用于提取器件寄生参数的小信号等效电路模型,模型的仿真结果与高频实测数据具有很好的拟合精度。 相似文献
5.
利用数字图像处理和有限元技术,生成沥青混合料非均质有限元模型,并分析沥青混合料各组分对其抗车辙能力的影响,从沥青混合料细观角度研究其永久变形规律,为沥青路面设计提供理论指导。结果表明,数值模拟得到的沥青混合料的车辙深度和车辙实验结果吻合较好,非均质有限元模型可对沥青混合料车辙深度进行预测;在各温度条件下提高集料的模量不能有效的提高沥青混合料的抗车辙能力;沥青混合料抗车辙能力增加速率随着沥青砂模量的增加呈现出先增加后减小的趋势;选用密级配的集料级配在软化点以上时可以较好的提高沥青混合料的抗车辙能力,低于软化点时影响不大。 相似文献
6.
7.
5G蜂窝网络发展迅猛,其覆盖面积将逐渐增大,因此使用5G蜂窝网络进行定位是有研究潜力的研究方向。本文提出一种新的深度学习技术来实现高效、高精度和低占用的定位,以代替传统指纹定位过程中繁重的指纹库生成以及距离计算。该方法建立了一个特殊的卷积神经网络,并根据5G天线信号的接收信号强度指示、相位和到达角等特征量,选择合适的输入数据格式构造样本组建训练集,对该卷积神经网络进行训练。训练得到的卷积神经网络可以替代指纹定位中的庞大指纹库,非常有利于直接在5G移动设备端实现定位。虽然卷积神经网络在训练过程中需要大量时间,但在训练完毕后直接进行分类定位的速度非常快,可以保障定位实现的实时性。本文所实现的卷积神经网络权重与偏置所占内存不到0.5 MB,且能够在实际应用环境中以95%的定位准确率以及0.1 m的平均定位精度实现高精度定位。 相似文献
8.
9.
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献