一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管(photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件--光电双耦合区晶体管(photoelectric dual coupled area transistor,PDUCAT),它是由一个P+N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制

为了提高硅MSM结构光电探测器的光电响应度,制备了U型凹槽电极结构的探测器.5 V偏压下,对650 nm波长入射光的绝对光电响应度测试表明,凹槽电极结构的探测器最大光电响应度值为0.486 A/W,比同样尺寸的平版结构光电探测器提高了约6倍.文中也对比了具有抗反射膜和不具有抗反射膜的器件相对响应光谱的差别,并且比较分析了叉指间隙分别为5 μm和10 μm器件光电响应的不同.     

非线性光耦合器及其响应保持功能

将发光器件和硅光电负阻器件面对面地封装在一起,其间实现电隔离,构成一种新型光耦合器.由于光电负阻器件具有双稳和自锁特性,这种非线性光耦合器具有响应保持功能.文章以PDUBAT为例从实验方面证实了响应保持功能的存在,并提出利用PLBT实现响应保持功能的设想.     

光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究

光电双向负阻晶体管(PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件.本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究,给出了器件等效电路.PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性.模拟和实验结果均表明:光照强度增大,维持电压基本保持不变,转折电压减小,负阻电压摆幅减小;而增大控制电压,维持电压和转折电压均增大,输出负阻特性曲线右移.上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景.     

新型多孔硅在空气环境中的电子发射和光电响应特性研究

以开发空气环境中低电压离子源和光电器件为目的,采取光照辅助电化学阳极腐蚀法结合水热铁钝化法制备了一种新型多孔硅.研究了此多孔硅在空气环境中的电子发射性能和光电响应特性.发现这种多孔硅在空气环境中有2-3 min 较稳定的电子发射性能;且具有黑暗下即有开路电压(-120 mV)和光照下有反向电压(-30 mV)的光电响应特性.结果表明,这种新型多孔硅具有空气环境下低电压离子源和光电响应器件的开发潜力.     

紫外成像用高响应ZnS肖特基光电二极管阵列

基于分子束外延(MBE)生长技术,制备出了新颖的8×8 ZnS肖特基光电二极管阵列,研究了制备该器件的标准光刻,金属沉积,湿化学腐蚀,SiO2绝缘层沉积等一系列微电子处理工艺.该肖特基光电二极管阵列的光谱响应截止边为340nm.在400～250nm的可见光盲区域,光电响应测试显示该器件在截止边波长处具有0.15A/W的高响应度,相对应的量子效率为55%.成像测试显示该器件具有良好的紫外成像特性.     

紫外成像用高响应ZnS肖特基光电二极管阵列

基于分子束外延(MBE)生长技术,制备出了新颖的8×8 ZnS肖特基光电二极管阵列,研究了制备该器件的标准光刻,金属沉积,湿化学腐蚀,SiO2绝缘层沉积等一系列微电子处理工艺.该肖特基光电二极管阵列的光谱响应截止边为340nm.在400～250nm的可见光盲区域,光电响应测试显示该器件在截止边波长处具有0.15A/W的高响应度,相对应的量子效率为55%.成像测试显示该器件具有良好的紫外成像特性.     

硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究

成果简介 β-FeSi2作为一种新型半导体材料,具有Eg＝0.84-0.89eV直接带隙,并能在硅表面外延,为利用成熟的硅器件工艺发展硅基近红外光源,探测器等光电器件,并进而发展光电器件与VLSI及ULSI的集成提供了可能.     

单电源线性光电耦合器的研制

研制了一种单电源线性光电耦合器,器件采用隔离式DC/DC电源供电.叙述了该器件的工作原理和部分电路设计,分析了研制过程中遇到的一些问题及解决办法.给出了主要参数的测试结果,结果表明该器件具有很好的隔离特性和线性度.     

双绝缘层MIMIS隧道结发光性能的研究

介绍了一种新型光电器件,即双绝缘层MIMIS隧道发光器件的结构和制备.根据量子力学隧穿共振效应解释了该结构发光光谱的特点,利用俄歇谱仪和原子力显微镜分析了器件失效的原因,对进一步优化双绝缘层MIMIS器件的结构和工艺条件具有一定的指导意义.     

基于石墨烯纳米条带阵列的光电探测器模型

提出了一种基于石墨烯纳米条带阵列的光电探测器(GNR-PD)结构,讨论了器件的解析模型.基于二维泊松方程,在弱非局域近似条件下建立了GNR-PD的器件模型,推导了其I-V特性和光响应特性.结果表明,GNR-PD具有极高量子效率和光电增益,可以获得高达150 A/W以上的光响应度.     

高压隔离高线性度光电耦合器

研制了一种高压隔离高线性度光电耦合器.采用混合集成技术,在6DIP陶瓷管座内成功制作出了高压隔离线性光电耦合器.叙述了该器件的工作原理、工作特性及设计考虑,并在在此基础上进行了实验,实验结果表明此器件具有结构简单、精度高、线性度好的优点.     

光电收发模块主要发展方向

近年来,全球光纤通信市场迅猛 发展,极大地推动了光电器件的研究开发和生产,多种多样的新型光电器件应运而生。 美国市场调查公司Ｄａｔａｑｕｅｓｔ新近发布的一份统计报告显示,１９９９年全球光电器件市场总销售额达５５亿美元,比上一年增长了４０％。在光有源器件中,具有代表性的光收发模块最能反映出光纤通信有源器件的发展动态和水平。光收发模块广泛地应用于光纤接入网、电信传输网和各种数字通信网络。据这份报告预测,小型化、集成化、高传输速率的光电一体模块将是光电器件今后的主要发展趋势。 展望未来,全球光电元器件将…     

光敏电阻的种类、原理及工作特性

这里,向大家介绍一种光电器件——光敏电阻。介绍其优缺点、种类、工作原理、应用及主要特性参数。 1.定义 光敏电阻是一种典型的光电导器件。该电阻具有光电导效应,即其组成材料(或器件)在受到光辐射以后,它的电导率(或阻值)会发生变化。     

光电器件及光电集成发展

1.光电器件的发展 光电子器件技术是推动光纤通信技术发展的核心技术。它经历了分立元件—组件—模块—光集成和光电集成的发展过程。在第一代点对点光通信系统中采用的主要光器件有半导体激光器、光纤、,连接器和光检测器。随着光电器件性能的提高及新功能光电器件的商用化,第二代大容量光通信系统也已得到广泛应用。在第二代光通信系统中除了第一代系统的光电器件外,还加进了合/分波器、光放大器、低速光开关和外调制器等。     

高频硅基光电晶体管SPICE模型的建立及关键参数的提取

硅基光电晶体管在高频通信、自动控制、电力系统领域具有广泛的应用前景.从系统验证和仿真的角度,迫切需要建立光电晶体管的等效电路模型,该模型需要包含电学特性和光学特性.本文提出了一种高频(100MHz～1GHz)硅基光电晶体管的SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)等效模型,包含器件的主要光电特性,通过TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真建立了模型中关键电学和光学参数的提取方法.基于所建立的高频光电晶体管的SPICE模型等效电路进行仿真,所得到的仿真结果能够完整描述光电晶体管的电学特性和光学特性,并验证了模型在器件模拟与电路应用上的可行性,表明本文所提出的SPICE模型和参数提取方法,对于基于高频光电晶体管的系统仿真,具有参考价值.     

金属键合技术及其在光电器件中的应用

系统阐述了金属键合的发展概况、基本工艺和方法、表征技术及其在光电器件中的应用.金属键合制备光电器件的一般工艺流程分为三步:蒸镀金属薄膜、键合、腐蚀去除衬底,列举了常用的金属键合方法及其工艺条件;并着重论述了该技术在光电器件特别是垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构制作中的应用.金属键合可以实现衬底倒扣和改善器件热学性能,而对器件原有的光学性质影响不大.     

光电探测器噪声特性分析

光电探测器输出信号的真实性和稳定性是衡量其工作性能的重要指标.分析光电探测器的输出噪声,对提高器件工作性能的研究具有指导意义.针对光电探测器不同的噪声来源,从光电探测器噪声产生机理上全面分析了其输出噪声,给出了几种噪声电流的理论计算关系,为进一步研究光电探测器的噪声特征打下了一定的基础.     

二硫化钼光电探测器的研究进展

二维材料由于独特的光学和电学特性,在光电子器件领域具有广阔的应用前景.作为最具代表性材料之一的二硫化钼,因具有原子级界面和层数关联的能带结构,在光电探测领域拥有诸多重要的优势.近年来,基于纯粹的二硫化钼器件性能已达瓶颈.为进一步提升性能,能带工程、铁电极化、等离激元共振等方法也已被用于光电探测器,并取得重要进展,但整个知识体系尚未建立完善.基于此,从光电探测器理论和应用出发,简要总结了二硫化钼光电探测的最新研究现状,重点阐述了上述三种二硫化钼新型器件的原理、结构设计、制备与光电性能,为进一步深入研究机理和应用提供了重要参考和指导.