InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角,又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器,并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于１４０ｍＷ,激射波长为９８０ｎｍ的脊形波导应变量子阱激光器,其微分量子效率为０．８Ｗ／Ａ,垂直和平行结平面方向远场发散角分别为２８°和６．８°     

浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应

利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱（ＭＱＷ）激光器外延结构实施浅注入,经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火,结构的光致发光（ＰＬ）峰值波长蓝移了７６ｎｍ,所作宽接触激光器的激射波长蓝移了７７．９ｎｍ．发现具有应变结构的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ,在较低的诱导因素作用下即可产生较大的量子阱混合（ｉｎｔｅｒｍｉｘｉｎｇ）效应     

量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器

对ＳｉＯ２薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱无序和ＳｒＦ２薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合（称为选择区域量子阱无序技术）应用于脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器，研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构３μｍ条宽激光器的最大输出功率为３４０ｍＷ，和没有窗口的同样结构的量子阱激光器相比，最大输出功率提高了３６％。在１００ｍＷ输出功率下，发射光谱中心波长为９７８ｎｍ，光谱半宽为１．２ｎｍ。平行和垂直方向远场发散角分别为７．２°和３０°     

应变InGaAs／AlGaAs量子阱激光器的工作特性

人们对激射波长在０．９＜λ＜１．１μｍ的应变ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱（ＱＷ）激光器很感兴趣。主要应用有泵浦晶体或玻璃主体中的稀土离子（特别是掺Ｅｒ３＋光纤放大器的９８０ｎｍ泵浦），研制透明衬底的面发射激光器和增加倍频二极管激光器的可用波长范围。本文叙述了多种结构应变ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量于阱激光器的工作特性。     

MBE生长InGaAs／GaAs应变层单量子阱激光器结构材料的研究

采用ＶａｒｉａｎＧｅｎⅡＭＢＥ生长系统研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层单量子阶（ＳＳＱＷ）激光器结构材料。通过ＭＢＥ生长实验，探索了Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）ｔＡｓ／ＧａＡｓＳＳＱＷ激光器发射波长（λ）与Ｉｎ组分（ｘ）和阱宽（Ｌ＿ｚ）的关系，并与理论计算作了比较，两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响，主要包括：Ⅴ／Ⅲ束流比，量子阱结构的生长温度Ｔ＿ｇ（ＱＷ），生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础，通过优化器件结构和ＭＢＥ生长条件，获得了性能优异的Ｉｎ＿（０．２）Ｇａ＿（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变层单量子阱激光器：其次长为９６３ｎｍ，阈值电流密度为１３５Ａ／ｃｍ￣２，微分量子效率为３５．１％。     

MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器

利用低压金属有机金属化合物气相沉积方法,以液态ＣＣｌ,为掺杂源生长了高质量Ｃ掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ材料,并对生长机理、材料特性以及Ｃ掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以Ｃ为Ｐ型掺杂剂的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能９８０ｎｍ大功率半导体激光器。     

980 nm高功率列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素．利用分子束外延生长方法生长出ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱激光器材料．利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（１００ Ｈｚ,１００ μｓ）输出功率达到 ８０Ｗ（室温）,峰值波长为 ９７８～９８１ｎｍ．     

低阈值量子结构激光器的优化结构设计

针对低阈值半导体量子结构激光器（简称量子结构激光器）,包括量子阱、量子线和量子点结构,给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈值条件所需要的有源区结构。以对数形式给出了量子结构激光器材料增益和注入载流子浓度的关系,并且以ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ量子阱激光器和ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组装量子点结构激光器为例,分别计算了为得到最低阈值电流所需要的量子阱阱数和自组装量子点的面密度以及激光器的腔长。     

应变单量子阱InGaAs／GaAs的光谱研究

应变单量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ的光谱研究沈文忠，唐文国，沈学础（中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海２０００８３）近来，人们对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格和量子阱结构产生了浓厚的兴趣是基于高速器件设计的需要。随着...     

生长在硅衬底上的砷化镓量子点激光器

密执安大学的研究人员已证明,通常使硅（Ｓｉ）上砷化镓（ＧａＡｓ）生长遭殃的高密度位错可用来生长有生命力的自组织砷化铟镓（ＩｎＧａＡｓ）量子点激光器。这是用分子束外延在激光二极管激活区内产生高应变量子点的首例成功报导。为减小ＧａＡｓ／Ｓｉ界面处堆迭缺陷的形成,激光器结构生长在偏离［１１０］方向２°的（１００）取向的硅衬底上。激光器结构由具有１．５ｎｍＧａＡｓ势垒的Ⅲ－Ⅴ族分层ＩｎＧａＡｓ量子点激活区构成。宽域边缘发射激光器用标准光刻技术制造,发射波长为１．０１３μｍ,７８８ｍＡ电流时线宽（半高全宽…     

"干放"工作电平及技术指标裕量与"干放"级联数的关系分析

对“干放”最小输出电平、最大输出电平和输出电平工作裕量与“干放”级联数的关系进行分析，得出“干放”实际最大级联数的求法。对“干放”在最佳输出工作电平时的干线技术参数及其指标裕量与“干放”输出电平工作裕量及“干放”级联数的关系进行较为详细的分析、计算与研究。     

室内空气污染的元凶--甲醛

本文综述了甲醛的特性、来源以及对人类健康的影响与危害，分析了室内甲醛浓度的测定方法，并提出了降低其浓度的措施和污染防止方法。     

一种实用的指数渐变线喇叭天线

文章介绍一种指数渐变线形式的最佳角锥喇叭天线的设计与制作。该天线适用于频率在１０００－２０００ＭＣ之间作为定向天线使用，而且加工简单、电性能指标高、尺寸小，非常适合遥控遥测、移动通讯等场合使用。     

集成光学移相干涉仪的研制与性能表征

干涉仪是综孔径望远镜的核心器件,与传统的分立元件干涉仪相比,集成光学移相干涉仪结构紧凑,用于构建综合孔径望远镜能显著优化望远镜结构并提高系统稳定性。文中报道了二氧化硅基集成光学移相干涉仪的设计和制作,并给出了对这种器件主要性能的表征结果。研究结果表明,集成光波导制作技术可以保证干涉仪芯片上两个方向耦合器的耦合特性的一致性;器件的插入损耗优于1.8 dB,插入损耗均匀性优于0.1 dB;通过对MZ干涉仪插入损耗的测量估计了移相器的偏差,结果显示干涉仪中90 移相器的偏差大约为1.5 。分析表明,二氧化硅基光波导技术用于综合孔径望远镜用光干涉仪制作具有显著的优势。     

A glow discharge for uniform charging of electrophotographic layers

This correspondence reports results of investigations concerning a glow discharge under normal pressure and temperature conditions. Because of its high current efficiency and its good charging uniformity, the glow discharge is well suited for electrophotographic devices (charging as well as discharging) and for contactless discharging of clear dielectric foils.     

蓝牙技术及其应用

由于具有短距离、低成本的特点，蓝牙技术日益引起了通信业界和用户的关注。蓝牙技术的应用包括在手机、掌上电脑、数字设备、传统家电上的应用，以及用于电子钱包、电子锁和零售商店的电子付款。     

射频遥控切换方式

介绍一种基于射频信号的遥控切换方式以及它的一些优点 ;对方案组成进行详细说明 ,简要分析其工作原理     

电子光学与微电子技术的关系浅析

本文简单介绍了电子光学的起源、基本原理、发展及其与微电子技术的关系。     

嗅觉模拟技术综述

详细阐述了嗅觉模拟技术的基本原理,介绍了嗅觉模拟技术研究的历史、应用现状与发展趋势,指出了嗅觉模拟技术研究中需要解决的问题,展望了嗅觉模拟技术在香料香精、卷烟、酒等轻工业品香气质量定性评定中的广阔应用前景.     

双模式码分多址移动通信系统概述

介绍了双模式码分多址移动通信系统的概念和用途，它的网络结构和公众电话交换网的连接、频带配置、容量计算和提高容量措施以及所提供的业务。