共查询到20条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
2.
3.
基于HHNEC 0.35μm 40 V BCD工艺,采用峰值电流检测模式的脉冲宽度调制方式,设计了一款能在8~42 V的输入电压范围内,-40~125℃的温度范围内正常工作的高转换效率、高输出电流精度的发光二极管(LED)驱动电路,版图面积为925.3μm×826.8μm。利用带负反馈的预稳压电路为基准源电路和线性稳压器提供稳定的工作电压,新颖求和型CMOS基准电流源提供低温漂、高精度的偏置电流,带预抑制电路的基准电压源提供高精度的参考电压,提高了输出电流的精度。仿真结果表明,在典型工艺角TT下,当输入电压为40 V,驱动9个LED,输出电流为400 mA时,该LED驱动电路转换效率为95.8%,输出电流精度为1.75%。 相似文献
4.
双极型高精度大负载电流集成电压基准源设计 总被引:1,自引:0,他引:1
设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,实现高精度大负载电流的目标.通过Cadence软件平台下的Spectre仿真器对电路的温度系数、负载调整率、噪声、交流电源纹波抑制比、负载电流、启动时间等电参数进行仿真验证,得到了初始精度±0.5%,在-40~85℃范围内温度系数小于6×10-6/℃,负载电流0~50 mA,电源电压4.5~36 V,输出为2.5 V的集成电压基准源电路.该电路采用6 μm/36 VK极型工艺生产制造,芯片面积为1.7 mm×2.1 mm,具有过热保护、过流保护和反接保护功能. 相似文献
5.
温度系数可调的基准电压产生电路研究与设计 总被引:1,自引:1,他引:0
由于TFT-LCD显示屏的物理特性随温度而发生变化,驱动电路必须提供具有相同温度特性的驱动电压,以补偿显示屏的温度特性,进而提高显示画质。文章研究并设计了一种用于TFT-LCD彩屏手机驱动芯片的基准电压产生电路,其输出电压的绝对值与温度系数可编程调节,从而可实现与液晶显示屏的温度特性相匹配。介绍了该电路的各子模块电路,包括偏置电路、带隙基准电路和输出电压调节电路,详细分析了带隙基准电路所产生的基准电压的温度系数及其调节原理。用Hspice对采用0.25μmCMOS工艺设计的电路进行了仿真。仿真结果表明,基准电压的温度系数可从-1.24~1.13mV/℃变化,输出电压的绝对值可从1.8~2.1V调节,最大可提供负载电流40mA。 相似文献
6.
基于标准N阱CMOS工艺设计了一种带隙基准电压产生及输出驱动转换电路。该电路采用0.6μmCSMC-HJN阱CMOS工艺验证,HSPICE模拟仿真结果表明电路输出基准电压为1.25V左右;在–55℃~125℃温度范围内的典型工艺参数条件下,电路温度系数仅为7×10-6/℃;电源电压范围为4V ̄6V,在产生标称1.25V基准电压的同时,可以为负载提供1mA ̄2mA的电流驱动能力。 相似文献
7.
基于XFAB 0.6 μm CMOS工艺,设计了一种具有大电流驱动能力的低温度系数带隙基准电压源。通过设置不同温度系数的电阻的比值,实现带隙基准的2阶曲率补偿。采用新的电路结构,使基准源具有驱动10 mA以上负载电流的能力。经过Hspice仿真验证,常温基准输出电压为2.496 V,-55 ℃~125 ℃温度范围内的温度系数是3.1×10-6/℃;低频时,电源电压抑制比为-77.6 dB;供电电压在4~6 V范围内,基准输出电压的线性调整率为0.005%/V;负载电流在0~10 mA范围内,基准输出电压波动为219 μV,电流源负载调整率为0.022 mV/mA。 相似文献
8.
9.
提出一种用于LED驱动的恒流控制电路,通过对一个基准电流进行放大,得到LED的输出电流;通过改变基准电流的大小,可以按比例改变输出电流的大小,即实现LED驱动的模拟调光功能.该电路对基准电流进行2000倍的放大,基准电流可以在5~110 μA的范围内变化,能满足常规LED驱动芯片模拟调光功能的要求.仿真结果表明,该电路产生的LED输出电流误差小于0.03%,对温度敏感性小,能在较大温度范围内保持正常工作,且设计了相关的修调电路,使电路的匹配性更好、精度更高. 相似文献
10.
11.
GaAs高效率高线性大功率晶体管 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率;通过严格控制栅凹槽的宽度,实现了较好的线性特性。测试结果表明,器件在5.3~5.9GHz频段内,P1dB为45W,功率附加效率ηadd为41%,实现了预期的设计目标。 相似文献
12.
一种高速高精度比较器的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
基于预放大锁存快速比较理论,提出了一种高速高精度CMOS比较器的电路拓扑.该比较器采用负载管并联负电阻的方式提高预放大器增益,以降低失调电压.采用预设静态电流的方式提高再生锁存级的再生能力,以提高比较器的速度.在TSMC0.18μm工艺模型下,采用Cadence Specture进行仿真.结果表明,该比较器在时钟频率为1GHz时,分辨率可以达到0.6mV,传输延迟时间为320ps,功耗为1mW. 相似文献
13.
14.
15.
16.
17.
18.
大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合 总被引:2,自引:0,他引:2
将条宽为 10 0μm ,有源区厚度为 1μm的大功率激光二极管 (L D)的输出光束高效地耦合到芯径是 5 0μm的多模光纤中 ,得到了高亮度、高功率密度的光纤输出 .功率密度高达 3.6× 10 4W/cm2 ,耦合效率为 70 % . L D输出光束的发散角较大并且存在较大的像散 ,因此耦合系统中需要结构复杂、性能可靠的微透镜 .采用在一个玻璃衬底上 ,具有两个不同曲率半径的双曲面透镜实现 L D与多模光纤的耦合 . 相似文献
19.
20.
高能量高效率钕玻璃再生放大器 总被引:4,自引:2,他引:2
为了获得高能量、高效率的钕玻璃前置放大器,设计了一套钕玻璃再生放大系统。通过调节单程增益和优化腔模设计,使得增益介质中的小尺度自聚焦效应得到有效控制。在重复频率1Hz运行下,获得最大输出能量21mJ、脉冲宽度2.65ns的激光输出,相应的光-光转换效率为5%,总增益达108,光束质量因子M2=1.5,脉冲能量稳定性均方根(RMS)值小于2%(超过2h连续工作),光谱的中心波长为1052.92nm。 相似文献