稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的巨法拉第效应

在７０－３００Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ为０．０１，０．００３和０．０６的稀磁半导体Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系．首次用多振子模型拟合实验结果，获得了布里渊区Γ点的激子能量Ｅθ和Ｌ点的能隙Ｅ１随组分ｘ的变化规律和Ｅ０的温度关系．讨论了Ｆｅ＋＋离子内部能级间跃迁对实验结果的影响．     

Gd1—xMnxTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁

在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１，０．２，０．３，０．４，０．４５，０．５，０．６，０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律，用单振子模型拟合实验结果，给出激子能量随组分和温度的变化规律，本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响。     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xTe的巨法拉第旋转和激子能量

在９０～３００Ｋ温度范围测量和研究了组分为０．２≤ｘ≤０．６的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ的法拉第旋转随入射光子能量和组分的变化．利用单振子模型获得了激子能量与组分的关系．还研究了法拉第旋转随温度的变化，得到激子能量的温度系数为－７．３×１０－６ｅＶ／Ｋ（ｘ＝０．３），首次从法拉第旋转测量获得了该晶体的居里温度．     

Cd_（1－x）Mn_xTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁

在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１、０．２、０．３、０．４、０．４５、０．５、０．６、０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律．用单振子模型拟合实验结果，给出了激子能量随组分和温度的变化规律．本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响．     

量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响

计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器阈电流温度关系．计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象，并且与器件温度特性符合．     

α—（SbxFe1—x）2O3半导体的固溶与导电机制的相关性

用化学共沉淀法，经热处理制得ｎ型半导体α－（ＳｂｘＦｅ１－ｘ）２Ｏ３。ＸＲＤ分析确证０≤ｘ≤０．２是固溶体。实验发现在ｘ≤０．０３区间内材料电阻降低幅度很大，而在ｘ＝０．０３￣０．２区间的电阻却缓慢上升，根据体系中存在ＳｂＦｅ＾ｘ→ＳｂＦｅ＾－＋２ｅ缺陷平衡，讨论其原因和导电机制；相应於此缺陷平衡的Ｓｂ＾３＋和Ｓｂ＾５＋的含量由ＸＰＳ分析予以证实。     

As＋注入Si1—xGex的快速退火行为

用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的快速退火行为进行了研究，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３，Ａｓ注入剂量为２×１０＾１６ｃｍ＾－２，注放能量为１００ｋｅＶ，快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒，实验结果表明，Ｓｉ２－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快，对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样吕，Ａｓdispla     

As~＋注入Si_（1－x）Ge_x的快速退火行为

用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的快速退火行为进行了研究．Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３．Ａｓ＋注入剂量为２×１０（１６）ｃｍ（－２），注入能量为１００ｋｅＶ．快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒．实验结果表明，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中Ａｓ的扩散与Ｇｅ组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快．对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈现“盒形”（ｂｏｘ－ｓｈａｐｅｄ），表明扩散与Ａｓ浓度有关．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ａｓ的快     

红外椭圆偏振光谱研究GaxIn1—xAsySb1—y材料的禁带宽度

采用红外椭辰我谱研究了与ＧａＳｂ衬底近晶格匹配的不同组分ＧａｘＩｎ１－ｘＡｓｙＳｂ１－ｙ样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱。根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效率确定了ＧａｘＩｎ１－ｘＡｓｙＳｂ１－ｙ样品的禁带宽度,并发现在组分ｘ＝０．２￣０．３之间禁带宽度随组分ｘ近似于线性变化。     

InP与In1—xGaxAsyP1—y／InP的电解液电调制反射光谱

研究了ＩｎＰ样品和Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ液相外延片在３００～８００ｎｍ范围内的电调制反射光谱，利用Ａｐｓｎｅｓ三点法计算了临界点能量，增宽因子和自旋轨道分裂值。通过实验曲线与理论公式的拟合，确定了临界点能维数及相位因子，并且间接提供了被测Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ四元合金的组份值及其它临界能量值Ｅ０和Ｅ２。     

电流控制LPE生长In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－Y）

用电流控制液相外延（ＣＣＬＰＥ）方法首次在（１００）ＩｎＰ衬底上成功地生长出Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ（０．３０＜ｘ＜０．４７，０．７０＜ｙ＜０．９６）外延层，并对外延层特性进行了详细研究，提出在ＩｎＰ衬底上生长电外延层的机理，推导出生长动力学的理论模型，该模型与上述实验结果十分吻合。     

生长在Si（001）衬底上的Ge_xSi_（1－x）合金的电子能带结构

采用紧束缚方法对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金形变层的电子能带结构进行了计算，并与ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的能带结构进行了比较．计算结果表明，对大部分合金组分ｘ（０≤ｘ≤０．９），形变层的导带底处在△轴上；当ｘ≥０．９后，导带底处在Ｌ点．形变层的直接能隙Ｅｇ（）及间接能隙Ｅｇ（△）和Ｅｇ（Ｌ）都比同组分ｘ的合金小，其下降量随组分ｘ的增大而增大．形变层的价带顶自旋－轨道分裂值△ｓ。也比相同组分的合金大，其增大值也随合金组分的增加而增加．     

Al_xGa_（1－x）As／GaAs价带偏移的理论计算

ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ合金型异质结价带偏移的研究中，采用以平均键能为参考能级的ΔＥｖ理论计算方法，得到ΔＥｖ（ｘ）＝０．５３１ｘ＋０．００１ｘ２的理论计算结果．该计算结果与目前的一些实验结果符合较好．     

Two-Dimensional Quantum Well Wire Semiconductor Laser Arrays

ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ合金型异质结价带偏移的研究中，采用以平均键能为参考能级的ΔＥｖ理论计算方法，得到ΔＥｖ（ｘ）＝０．５３１ｘ＋０．００１ｘ２的理论计算结果．该计算结果与目前的一些实验结果符合较好．     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究

用分子束外延生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格．由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在低组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ）中观测到当温度升高时，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／Ｚｎｓｅ超晶格中由ＺｎＳｅ为阱、Ｚｎ１－ｘＳｅ为垒转换成Ｚｎ１－ｘＳｅ为阱，ＺｎＳｅ为垒．瞬态光致发光结果表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格中Ｍｎ＋＋离子的激发态弛豫时间远大于Ｚｎ１＝ｘＭｎｘＳｅ外延模中Ｍｎ＋＋离子的弛豫时间，这可能是由于     

AlxGa1—xAs／GaAs价带偏移的理论计算

ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ合金型异质结价带偏移的研究中，采用以平均键能为参考能级的ΔＥＶ理论计算方法，得到ΔＥｖ（ｘ）＝０．５３１ｘ＋０．００１ｘ＾２的理论计算结果。该计算结果与目前的一些实验结果符合较好。     

稀磁半导体Zn1—xMnxSe外延薄膜与超晶格的光学特性的研究

用分子束外管生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格，由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在爸组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ）中观测到当温度升高时，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格中由ＺｎＳｅ为阱、Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ为垒转换成Ｚｎ－１ｘＭｎｘＳｅ为阱，ＺｎＳｅ为垒，瞬态光致发光结果表明，Ｚｎ１－ｘＭｎ     

InAsP/InGaAsP量子阱的子带跃迁计算

采用有效质量框架下一维有限深单阱的Ｋｒｏｎｉｇ － Ｐｅｎｅｙ 模型对ＩｎＡｓｙＰ１ － ｙ／Ｉｎ１ － ｘＧａｘＡｓｙＰ１ － ｙ 量子阱结构的跃迁波长与组分及阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此材料体系的生长临界厚度。计算结果表明,ＩｎＡｓｙＰ１ － ｙ／Ｉｎ１ － ｘ ＧａｘＡｓｙＰ１ － ｙ 是制作１ ．３ μｍ 或１ ．５５ μｍ 波长量子阱激光器的良好材料体系,此材料体系在２ ～３ μｍ 的中红外波段也有很大潜力。采用ｙ 约为０ ．４ 的组分和约１ ．３ ％ 的压应变可以满足１ ．３ μｍ 波长激光器的要求, 而ｙ 约为０ ．５５ 的组分和约１ ．８ ％ 的压应变可以满足１ ．５５ μｍ 波长激光器的要求。     

三元合金（GaSb）1—xGe2x,（InP）1—xGe2x的亚稳有序无序相变以及相变…

根据普适参数紧束缚方法得到的最近邻对原子相互作用能以及改进的Ｋｉｋｕｃｈｉ近似，我们计算了合金（ＧａＳｂ）１－ｘＧｅ２ｘ，（ＩｎＰ）１－ｘＧｅ２ｘ的亚稳相图，在计算亚稳相图时，Ｇｅ原子取为无序分布以消除相分离，对于亚稳合金（ＧａＳｂ）１－ｘＧｅ２ｘ，相应于亚稳有序无序相转变点的临界转变浓度Ｘ０为０．２６，对于亚稳合金（ＩｎＰ）１－ｘＧｅｘ，ｘ０为０．１６，计算机值及实验值符合较好，根据关联虚晶近似     

La—Ca—Mn—O薄膜的巨磁效应

报道了Ｃａ掺杂量对Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ巨磁薄膜材料的巨磁效应影响，测量薄膜电阻（外磁场强度Ｈ＝０．５Ｔ）磁化强度，温度关系曲线，认为Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３体系中Ｍｎ＾４＋的含量是由于掺杂量Ｃａ的调制Ｍｎ＾４＋的含量变化导致磁性结构转变，用双交换模型解释了该象现，对实验给出满意的解释。