紫外激光作用下四甲基硅的MPI光谱和TOF质谱研究

本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离（ＭＰＩ）光谱及飞行时间（ＴＯＦ）质谱的研究。得到了激光激发波长在３８３～３７３ｎｍ内的多光子电离光谱，获得了某些波长点处的飞行时间质谱，并据此讨论了该分子可能的ＭＰＩ机理。     

碘化钠分子的光离解及其生成物钠原子的共振电离研究

利用脉冲激光与分子的相互作用，用波长３３０ｎｍ激光脉冲对ＮａＩ分子进行了光离解；同时对光离解后的产物之一Ｎａ原子实行了共振电离。通过对Ｎａ＋离子飞行时间质谱（ＴＯＦＭＳ）结果的分析，讨论了Ｎａ＋离子质谱的特点，并对过程中存在的多光子电离（ＭＰＩ）进行了讨论。     

深冷中性铝团簇的产生和光电离

报道了用激光蒸发／分子束方法产生深度冷却的中性金属团簇。产生的铝团簇Ａｌ．（ｎ＝２，……，６，７）用１９３ｎｍ的准分子激光电离，由飞行时间质谱（ＴＯＦＭＳ）探测。对激光蒸发／分子束技术产生的团簇束的特点作了简单评述并与其它团簇源作了比较。     

紫(外)激光作用下Si(CH3)4的MPI与Si原子的共振电离

在紫（外）激光作用下,利用平行板电极装置及飞行时间（ＴＯＦ）质谱仪,研究了Ｓｉ（ＣＨ３）４分子的多光子电离（ＭＰＩ）、多光子解离（ＭＰＤ）及由Ｓｉ（ＣＨ３）４解离产生的Ｓｉ原子的共振电离。得到了４０４－３７８ｎｍ内Ｓｉ（ＣＨ３）４的ＭＭＰＩ光谱及某些波长点处的ＴＯＦ质谱。根据实验结果,讨论了Ｓｉ（ＣＨ３）４的ＭＰＩ机理,得到了一些有意义的结论。     

410～373nm激光作用下四甲基硅的多光子电离与解离

利用平行板电极装置测定了四甲基硅于某些波长点处的激光光强指数，讨论了多光子电离（ＭＰＩ）谱中某些话线的归属。通过对飞行时间（ＴＯＦ）质谱峰宽的分析并结合质谱实验结果，讨论了该分子可能的ＭＰＩ过程，得到了较高能量下Ｓｉ＋的产生仍以中性碎片的解离──硅原子的电离为主，而Ｓｉ＝（ｎ＝１～３）的形成则以中性碎片的自电离为主的结论。     

激光烧蚀等离子体与氮离子束反应生成CnN-m的质谱研究

采用飞行时间（ＴＯＦ）质谱（ＭＳ）方法,研究脉冲ＹＡＧ激光烧蚀石墨产生的碳团簇与氮原子离子束的空间反应,发现了一系列ＣｎＮ－ｍ团簇产物。对碳氮复合团簇负离子在空间形成的机理进行了分析。     

丙酮和丙醛分子的我光子电离碎片化机理

用多光子电离－飞行时间质谱法在激光波长为５３２ｎｍ处获得了丙醛和丙酮分子的ＭＰＩＦ－ＴＯＦ质谱，实验测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系，并用这些实验结果对丙酮和丙醛分子的ＭＰＩＦ机理作了分析。这对Ｈ、Ｃ和ＣＨ＾＋等小质量碎片离子的可能形成过程作了讨论。     

碘乙烷分子共振增强多光子电离飞行时间的质谱研究

在４７３～４８３ｎｍ波长范围内对碘乙烷分子共振增强多光子电离（ＲＥＭＰＩ）飞行时间（ＴＯＦ）质谱（ＭＳ）作了研究。分析结果表明在该波段碘乙烷（Ｃ２Ｈ５Ｉ）分子吸收双光子激光能量跃迁激发至Ａ带的３Ｅ,２Ａ１及１Ａ２态,激发态分子碎裂成中性碎片,中性碎片再吸收光子电离,产生了Ｃ２Ｈ＋５和Ｉ＋离子。Ｃ２Ｈ＋５离子进一步吸收光子并碎裂形成了碘乙烷分子ＲＥＭＰＩ－ＭＳ中其他的碎片离子。     

用TOF-SIMS研究半导体芯片铝键合点上的有机沾污

铝键合点的表面沾污增强了对铝合金化表面的腐蚀，并导致微芯片的失效．过去大量的工作多集中在由等离子工艺引起的含氟的无机沾污；很少接触到键合点的有机沾污．飞行时间二次离子质谱（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）提供了一个探测和分析微芯片键合点上有机沾污的有力武器．作者比较了两个ＴＯＦ－ＳＩＭＳ的正离子谱，一个是经目检发现键合点有沾污点的芯片，另一个是无沾污芯片．根据对ＴＯＦ－ＳＩＭＳ特征谱线和离子像的研究，认为沾污点是由某些以ＣＨｘ和ＮＨｙ结构组成的有机化合物造成的，并对铝有腐蚀作用．经分析发现这些有机沾污来源于微芯片的工艺     

一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究

合成了新型的有机半导体ＬＢ膜气敏材料（ＣＯＴＤＭＡＰＰ），其ＬＢ多层膜拉制在场效应晶体管上，形成了具有ＬＢ－ＯＳＦＥＴ结构的化学场效应晶体管（ＣｈｅｒｎＦＥＴ），该器件置于ＮＯ２，ＮＨ３，ＣＯ和Ｈ２Ｓ等有害气体中，结果表明在ＮＯ２气氛中元件漏电流ＩＤＳ发生变化，并可检测到２ｐｐｍ的ＮＯ２．这种器件的气敏特性在于ＦＥＴ的电流放大作用及ＬＢ膜的有序性的影响．     

时间色散信道中格形编码的正交频分复用(TC-OFDM)技术

本文提出了一种格形编码的正交频分复用（ＴＣ－ＯＦＤＭ）方案，研究把正交频分复用（ＯＦＤＭ）和格形编码（ＴＣＭ）有机地结合，来克服时间色散信道中的频率选择性和多径衰落。文中对码率２／３格形编码的８ＤＰＳＫ－ＯＦＤＭ在时间色散信道中的误码率性能进行了分析和模拟，并讨论了不同正交载波数情况下格形编码的设计。结果表明，在比特误码率ＢＥＲ为１０－３时采用ＴＣ－ＯＦＤＭ方案与未编码系统相比可以提供６ｄＢ的编码增益。     

共束声光可调滤光器研究

声光可调滤光器（ＡＯＴＦ）具有独特的光波长调谐功能，可望用于光通信的波分复用（ＷＤＭ）技术。而共束声光滤光器（ＣＢ－ＡＯＴＦ）兼顾了共线和非共线ＡＯＴＦ的优点。给出ＣＢ－ＡＯＴＦ的工作原理和设计方法。获得了在２０ｍＷ下９８％的衍射效率，旁瓣抑制优于３３ｄＢ和线宽０．８ｎｍ的结果。     

时间—数字转换器结果的修正及其应用

时间－数字转换器测量中存在“多个离子同时到达”和“死时间”效应。在飞行时间质谱计的应用中造成谱图变形，给成分分析带来很大不便，还大大降低了系统性线性范围的上限。本文讨论了两种效应的起因和危害，并提出了有效的修正方法。通过修正，在一定范围内消除了上述两种效应给ＴＯＦＭＳ带来的负面影响。     

EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

SPRITE探测器时空滤波特性分析

用ＳＰＲＩＴＥ探测器的脉冲响应（格林函数）描述了基于时间频率和空间频率变化的ＳＰＲＩＴＥ探测器光学传递函数（ＯＴＦ）、调制传递函数ＭＴＦ和相位传递函数（ＰＴＦ）,并由此分析了该探测器对红外辐射图像在时间域和空间域的联合滤波特性     

有机薄膜电致发光的回顾和展望

综述了有机薄膜电致发光（ＯＴＦＥＬ）的发展过程，总结了ＯＴＦＥＬ的四种器件结构和工作原理，介绍了器件的制备并了选择有机发光材料的基本原则，文末展望了ＯＴＦＥＬ的应用前景。     

P－MOSFET的TEM研究

Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的最大缺点就是电流驱动能力弱。为此，人...     

自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究

本文描述了用自对准工艺制各自对准结构的α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－ＳｉＴＦＴ。它可以有效地提高自对准α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的开态Ｉ＿（ＯＮ），其通断电流比Ｉ＿（ＯＮ）／Ｉ＿（ＯＦＦ）＞１０￣５。     

低通滤波器结构的改进分析及模拟

在高频域，ＭＯＳＦＥＴ的分布参数对全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ滤波器的特性有很大影响，本文应用ＳＰＩＣＥ（Ⅱ）通用模拟电路程序，采用非理想运算放大器单极点电路模型，考虑到ＭＯＳＦＥＴ的寄生电容，对一个六阶切比雪夫低通滤波器全ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ平衡结构应用传输线模型进行了仿真分析。     

MOSFET－C滤波电路TT平衡结构的CCⅡ±实现及仿真

本文提出了全集成ＭＯＳＦＥＴ电流传输器ＣＣⅡ±为基础的平衡结构积分器，并对其消除非线性因素进行了理论分析。同时提出了以全集成ＭＯＳＦＥＴ电流传输器ＣＣⅡ±为基本电路元件的有源ＲＣＴＴ滤波器平衡模式，并利用ＳＰＩＣＥ（Ⅱ）通用模拟电路程序，对全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ平衡结构精确连续时间二阶滤波器输出电压幅频特性进行了仿真分析。