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一种简便有效的多孔硅后处理新方法 总被引:5,自引:0,他引:5
本文报道了一种简便有效的多孔硅(PS)后处理新方法,即在(NH4)2S/C2H5OH溶液中浸泡PS,并用紫外光辐照激发.后处理PS的光致发光(PL)强度约为未经处理的5倍;样品处理后的PL峰值90min内随激光连续激发时,在大气中呈现先指数衰减后线性增长,在真空(约1Pa)中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点.通过样品的傅里叶变换红外吸收(FTIR)谱的测试与分析,表明后处理在样品表面产生了SiH(O3)、Si-O-Si和Si3N4三种提高PS的PL强度和稳定性的优质钝化膜 相似文献
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针对Si-SiO2过渡区对于离子注入较为敏感的特点,用1.2MeV,剂量1×1010cm-2的Fe+和H+先后注入SiO2-Si样品,并用XPS技术重点分析了Si-SiO2界面附近硅的化学结构、组分的变化。结果表明,在界面附近,除了Si4+,Si0价态,还存在明显的Si2+价态。这和注入H+产生的高温退火以及Si—Si键或Si—H键的形成有关。 相似文献
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介绍了用阳极氧化腐蚀形成多孔硅的工艺,并分析了它的微结构,实验测定了多孔硅光致发光谱(PL),由PL谱的峰值位于可见光区,不同于Si的带隙能量;用纳米量子限制效应(Q-CE),解释了多孔硅中进入量子线中电子和空穴能量增量为ΔEc和ΔEv,于是多了孔硅有效带宽成为E=E。+ΔE。而E。是Si的带宽为l.08eV,ΔEc和上ΔEv分别为h2/4meq2和h2/4mhq2,由此计算与实验结果一致。 相似文献
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介绍了LPCVD法Si3N4膜与PECVD法SiO2膜的淀积工艺,以及Si-Si3N4-SiO2钝化工艺在高可靠大电流开关二极管中的应用,并指出了工艺的适用范围。 相似文献
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硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
实验研究表明热生长13nm薄SiO2的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系.氧化前稀HF酸及HF/乙醇漂洗不会提高热氧化薄SiO2的可靠性;氧化前用NH4OH/H2O2/H2O(0.05∶2∶5)溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄SiO2可靠性很有效;用H2SO4/H2O2(3∶1)溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显,在之前增加比例为0.05∶2∶5或1∶2∶5的NH4OH/H2O2/H2O溶液清洗和稀HF酸漂洗效果更好.另外,薄栅介质抗电离辐射性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗 相似文献
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本文基于对Si3N4、SiO2、α-Si薄膜本身结构及其层间结构的分析,在半导体器件的表面钝化中做了选择应用。并将此用于生产实践,在Si3N4-α-Si-SiO2结构中解决了由SiO2/Si界面的表面电荷及SiO2中Na+的漂移运动等引起的器件电学特性变差的问题。 相似文献
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本文主要是以SiH4、N2O和Si3H4、NH3、N2作为气体源,在平行板电容耦合式淀积设备上,采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiO2-Si3N4复合钝化膜。 相似文献
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本文分析了硅/玻璃静电键合过程中硅表面SiO2钝化膜的作用.SiO2膜的存在使键合过程中的静电力减弱,键合工艺所选择的电压上限受SiO2膜击穿电压的控制,对于商用抛光硅片与玻璃,要完成良好的键合,一般SiO2厚度要小于0.5μm. 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si应变超晶格样品中深能级中心的性质.在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心.在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品中深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为EC-0.22eV.并且在正向注入下随着E2峰的消失观测到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV.在Ge/Si应变超晶格中,深中心H1的能级位置为EV+0.44eV,深中心H2的能级位置为EV+0.24eV 相似文献
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硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用硅分子束外延技术和B2O3掺杂源,成功地实现了硅中的硼δ掺杂,硼δ掺杂面密度NB可达3.4e14cm-2(1/2单层)以上,透射电镜所示宽度为1.5nm.我们首次用原位俄歇电子能谱(AES)对硼在Si(100)表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究,发现在NB<3.4e14cm-2时,硼δ掺杂面密度与时间成正比,衬底温度650℃,掺杂源温度9000℃时,粘附速率为4.4e13cm-2/min;在NB>3.4e14cm-2时,粘附有饱和趋势,测量表明在硼δ掺杂面密度NB高达4.4e14c 相似文献
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本文用半经验紧束缚法(LCAO)对赝形生长在(001)Si1-yGey(0≤y≤1)衬底上的Sim/Gen(2≤m+n≤40)应变层超晶格的能带结构进行了系统的计算.结果表明,当Si层和Ge层的厚度m和n的取值分别为(1,4),(2,3),(3,2),(4,1),(2,8),(3,7),(4,6),(6,4),(3,6),(6,3),(7,7)时,对称应变Sim/Gen超晶格的能带结构为直接带隙,其中m+n=10的规律已为近两年其它理论计算和部分实验结果所证实.本文所得的m+n=5及其它m+n≠10的直接 相似文献
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在确定的开管扩镓装置中,以氢气做为镓源Ga2O3的反应和输运气体,凭借准确的控制扩散条件,镓在SiO2/Si系统中扩散,可获得良好的扩散均匀性和重复性。根据镓在Si和SiO2中扩散行为,分析讨论了镓在裸Si系和SiO2/Si系扩散所产生的杂质Rs效应,及其氧化膜质量和厚度对Rs的影响。 相似文献
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田敬民 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):284-288
采用静电喷雾高温分解工艺制备SnO2气敏膜,并与Si3N4-SiO2集成多层介质膜,用催化金属Pt作栅电极,制成新型的MSIS结构气敏电容。通过检测平带电压的变化,研究对H2和O2的气敏特性,分析其气敏机理并提出了检测的物理模型. 相似文献
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多孔硅的氢化、氧化与光致发光 总被引:2,自引:1,他引:1
对于刚阳极氧化完的,阳极氧化后紧接着在H2O2中光照处理的及长期存放(10个月)的三种多孔硅样品进行了持续激光照射,不断监视它们的光致发光(PL)与富利埃变换红外(FTIR)吸收光谱,并在最后对它们作了X射线光电子能谱(XPS)测量,以确定它们所含氧化硅的情况.得出如下几条结论:(1)氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的.(2)Si—H键不是发光所必须的.(3)氧对多孔硅表面的钝化是稳定的,纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的.对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释. 相似文献
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掺Er~(3+)和掺Er~(3+)/Yb~(3+)光纤中1313nm到780nm的频率上转换过程 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了在连续锁模和调Q锁模两种脉冲泵浦条件下,掺Er(3+)和掺E3+/Yb3+单模GeO2/SiO2石英光纤中,1313nmNd:YLF激光到780nm波长的频率上转换过程。Er3+离子在共振吸收两个光子后到4F9/2态,再经快速的无辐射转移到4I9/2态.形成780nm辐射。在连续锁模泵浦条件下.1313nm至780nm的转换效率比调Q锁模条件下更高.而后者的峰值功率是前者的几百倍。 相似文献
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