PECVD SiO_2-InP MIS结构研究

本文报导用正硅酸乙酯等离子增强化学汽相淀积(PECVD)技术在InP上淀积SiO_2膜的方法,用C—V,DLTS,AES,XPS等手段测量分析了PECVD SiO_2-InP MIS结构的电学性质和界面化学结构,研究了淀积前InP表面的不同处理对界面特性的影响。     

离子辅助淀积SiO_2和TiO_2膜的特性

用同Ebert研制成的类似的氧离子源研究了SiO_2和TiO_2膜的反应淀积。这离子源通过直流气体放电产生负氧离子,然后用石墨出孔把锥形负离子束引向衬底。此源在400V放电电压下产生1.26mA的离子流。淀积所用原料是由电阻加热舟蒸发的SiO和TiO。测得TiO_2膜的光学常数表明,提高离子流就降低了膜的吸收常数,提高了膜的折射率。借助红外衰减全反射率测量研究SiO_2膜的化学配比、潮气含量及悬挂键。这些测量指出,离子流提高时,SiO_2膜的化学配比接近SiO_2。     

InP上等离子增强化学汽相淀积SiO_2膜及其MIS结构C-V特性研究

本文研究了利用正硅酸乙酯在InP上等离子增强化学汽相淀积SiO_2膜的方法.研究了InP表面处理对SiO_2-InP界面的影响.测量分析了SiO_2膜的性质,InP-MIS结构的C-V特性及其滞后、频散效应.结果指出,用这种方法可获得性能较好的SiO_2膜和SiO_2-InP界面.     

光CVD SiO2钝化膜在红外探测器中的应用

本文评述了光 CVD SiO_2钝化膜的原理和方法,介绍了在50～300℃温度下,在 Si、InSb 和 HgCdTe 晶片上光 CVD SiO_2钝化膜。讨论了膜的淀积条件和性质以及光 CVDSiO_2钝化膜在 InSb、HgCdTc 红外探测器中的应用。     

锑化铟红外探测器用PECVD二氧化硅钝化膜的研究

本文是在正交实验方法的基础上,比较系统地研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)的工艺参量(射频功率、反应气体的压强、淀积温度、淀积时间)的变化,对SiO_2膜层的物理及化学性能的影响。本文又研究了在阳极氧化钝化膜上再生长PECVD SiO_2膜的电性能及其在多元锑化铟探测器上的实验结果。     

肖特基势垒二极管SiO2-Si3N4复合钝化膜研究

对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究。研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO_2和LPCVD Si_3N_4膜的介电强度E、介电常数ε_r、耐压V、针孔密度、漏电流I、内应力σ、片间均匀性以及片内均匀性等性能。研究了PECVD SiO_2膜的增密技术。提出了一种应力小、漏电流小且抗辐照能力较好的PECVD SiO_2/LPCVD Si_3N_4复合介质膜钝化工艺方法和技术条件,提高了肖特基势垒二极管的性能。     

Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应

利用四探针、AES、XRD、XPS和SEM等技术研究了快速热退火中Co与Si和SiO_2反应动力学、相序、层的形貌。测量了薄层电阻与退火温度和时间的关系。结果表明,随退火温度的升高,淀积在硅衬底上的钴膜逐步转变为Co_2Si、CoSi_(?)最后完全转化为CoSi_2。CoSi_2对应的电阻率最低。Co与SiO_2不会反应,即使在1050℃的高温下也没有观察到任何形成钴硅化物的证据。     

自控刻蚀保护膜引线孔的方法

在半导体器件生产中为提高器件的可靠性,避免工艺中划伤铝膜,以致影响划片后管芯成品率,可在刻铝后先淀积一层SiO_2保护膜.当在铝引线上淀积SiO_2保护膜后,必须解决保护膜引线孔的刻蚀问题.通常对SiO_2膜的刻蚀基本分两类:一是液相化学腐蚀,一是等     

高频溅射SiO2膜掩蔽GaAs和AlGaAs／GaAs中Zn扩散的研究

本文报导了在GaAs、AlGaAs表面上用高频溅射法制备SiO_2膜的淀积规律,特别对用SiO_2膜掩蔽GaAs、AlGaAs/GaAs中的Zn扩散进行了实验研究,结果证明用高频溅射制备SiO_2膜可以有效地掩蔽GaAs,AlGaAs/GaAs中的Zn扩散。     

多晶硅膜的热壁低压化学汽相淀积

目前多晶硅膜的淀积与其他Si_3N_4、SiO_2等薄膜工艺一样,一般都采用CVD技术,国内生产都是在冷壁常压系统中淀积.本文介绍热壁低压CVD技术,使装片容量增加到常规CVD技术的4到5倍,且膜厚的均匀性好,含氧量低,不用携带气体和加热基座,因此工艺简单,能节省电力与高纯气体,具有较大的经济效果.试验中采用的硅源为20%SiH_4气体,系统压力为0.5～1托,淀积温度为640℃～700℃,SiH_4气流量为25～45毫升/分,淀积膜厚2000～7000埃的多晶硅膜,淀积速率为90～160埃/分.膜厚每增加1000埃,R(?)比值降低约1.2倍,淀积温度每增加20℃,R(?)比值降低约1.3倍.根据电子衍射分析,多晶硅膜的最低淀积温度为600℃左右,一般以640℃至700℃为宜.薄膜表面晶粒大小随淀积温度与膜厚增加而增加.     

HfO2/SiO2高反射薄膜的应力控制技术研究

物理气象沉积的薄膜通常都有应力.为了防止高反膜应力破坏基底的面型,采用数字波面干涉仪对电子束蒸发方法制备的薄膜的应力进行了测量,并讨论了影响光学介质薄膜应力的多种因素.使用了一种交替沉积HfO2和SiO2薄膜的技术路线,HfO2薄膜作为高折射率材料体现出张应力,SiO2薄膜作为低折射率材料体现出压应力.结果表明,在稳定了很多实验条件的情况下,通过调整镀膜时的充氧量和镀膜材料的蒸发速率实现了应力的平衡;高反射薄膜有比较高的损伤阈值.     

氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究

大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。     

LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究

采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试.通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响.结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度、反应压力基本呈线性增大.通过多次试验改进,提出了SiO2膜淀积的典...     

三层金属磁控溅射复合膜的XRD应力分析

用磁控溅射方法沉积制备的Ag/Ti-W/Ni-Cr三层复合电极薄膜上的Ag膜在工艺中容易脱落,而SiO2衬底上的Ag膜则具有良好的粘附性能.X射线衍射方法常用来检测薄膜中的应力,用X射线衍射技术(XRD)衍射峰位置的移动可判断膜中出现的是压应力还是张应力.实验中,用XRD对三层复合薄膜作了薄膜的应力分析,确定在160℃溅射沉积后,Ag膜中存在压应力,该应力使Ag膜(111)晶面间距(d)比SiO2衬底上的Ag膜晶面间距小约0.35%.采用500℃,15 min N2热退火的方法,可使三层复合膜中Ag膜的XRD峰位回复到与SiO2衬底上Ag膜相同的谱峰位置,说明采用热退火的方法可有效消除复合膜的应力,防止Ag膜的脱落.     

低温多晶Si TFT-LCD技术

介绍了大面积低温多晶Si薄膜晶体管液晶显示技术的发展水平。最近，低温多晶Si薄膜晶体管业已取得很大进展，比如高质量多晶Si薄膜的受激准分子激光退火(激光再结晶）工艺，大面积掺杂用离子掺杂工艺，以及低温原子团簇射式化学汽相沉积工艺。     

A photo-oxidation generated low-k dielectric film deposited by reactive evaporation of SiO

A non-stoichiometric silicon oxide film has been deposited by evaporating SiO as a source material in Ar and O₂ mixed gas. The film is composed of SiO and SiO₂, and has a porous structure. The SiO₂ results from some part of SiO reacting with O₂ and its amount depends on the pressure in the chamber. The residual SiO in the film can be photo-oxidized into SiO₂ by ultraviolet radiation with a Hg lamp. The dielectric constant of the film after photo-oxidation is 1.89±0.04 (at frequency of 1 MHz), which shows that this porous structure film is promising for potential application as a low-k dielectric.     

采用TEOS和H2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜

开展了使用TEOS和H2O混合物进行PECVD生长SiO2膜的研究工作.氧化硅折射率分布在1.453±0.001的范围,且随偏离中心距离基本不变.薄膜厚度是中央大,边沿薄,其厚度相对变化不超过±1.5％（51mm衬底).利用TEOS源PECVD,并结合退火技术,摸索出厚膜氧化硅生长工艺,已成功地在硅衬底上生长出厚度超过15μm氧化硅厚膜,可用于制备氧化硅平面波导器件.     

单轴应力下热氧化SiO_2的介电电致伸缩系数研究

微机电系统和集成电路中常用的热氧化SiO2是各向同性材料,研究了其在单轴应力场中介电常数的变化规律。依据介质在自由和束缚两种边界条件下受到单轴应力作用产生的应变不同,从电动力学基本关系出发推导了各向同性电介质两种边界下的介电电致伸缩系数计算公式,表明介电电致伸缩系数是与电介质的初始介电常数、杨氏模量和泊松比有关的常数。计算得到热氧化SiO2薄膜在自由和束缚条件下的介电电致伸缩系数M12分别为-0.143×10-21和-0.269×10-21 m2/V2。搭建了基于三维微动台的微位移加载系统,测量了在单轴应力下微悬臂梁SiO2薄膜电容的变化,测量得到热氧化SiO2薄膜的M12为(-0.19±0.01)×10-21 m2/V2,表明实际SiO2薄膜介质层的边界条件处于自由和束缚之间。     

真空气相沉积生长PTCDI C8 N型有机薄膜晶体管

在大气环境下N型有机薄膜晶体管(OFET)的性能不稳定,为提高晶体管在大气环境稳定性,该文分别制作了SiO2单绝缘层器件和SiO2/PMMA双绝缘层器件。采用N型新材料PTCDI-C8作为有源层,Ag作为源、漏电极,对制作的不同绝缘层的器件进行聚对二甲苯的封装,对有源层进行形貌和晶体结构分析。并进行电流-电压(I-V)曲线测试。在相同工作电压下,双绝缘层器件比单绝缘层器件具有更大的场效应迁移率、开关电流比和更小的阈值电压。     

微硅型光机电系统集成化技术中的金属布线

针对微硅型光机电系统集成化技术中电路和金属布线与硅微各向导性深腐蚀工艺之间的不相容问题，从寻求一种电路和金属布线保护层的思想出发，提出了用ＳｉＯ２／Ｃｒ复合膜作电路和布线保护膜的新工艺方法。解决了微硅型光机电系统集成技术中长期存在的电路和布线中的关键技术。