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用常压MOCVD方法在GaAs(100)衬底上生长了CdZnTe/ZnTe多量子阱。在室温下,观测到了CdZnTe/ZnTe多量子阱的三个谱带发光。 相似文献
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本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值7~12mA的1.3μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值9~15mA的1.55μm量子阶激光器以及高功率1.3μm量子阱发光二极管和InGaAsPIN光电探测器. 相似文献
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半导体超晶格物理与器件(11)彭英才(河北大学电子与信息工程系071002)第三章超晶格异质结的结构表征20余年来,材料物理学家们已采用MBE和MO-CVD等现代超薄层外延工艺生长了各种超晶格和量子阱微结构,并对这些人工结构所具有的新鲜电子和物理性质... 相似文献
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在(100)和(111)BGaAs衬底上,同时用MOCVD生长出In0.14Ga0.86As多量子阱子结构,对两种晶向的样品进行了低温(2K)光致发光谱特怀性地比研究,测量与理论的光发射能量对比表明;(100)面样品两一致,而(111)B样品比测量值高出10-15meV,这一差别用(111)B面量子阱中的压电效应产生的知建电场引起的发射能量红移作出解释。 相似文献
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用MOCVD生长发射波长为808nm的ALGaAs/GaAs量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒(MQB)层,有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱外,从而降低了激光器的阈值电流,提高了它的特征温度。增加了MQB后,器件的阈值电流密度I_(th)从原来的400~600A/cm ̄2下降到300~400A/cm ̄2,特征温度从160K提高到210K。 相似文献
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用MOCVD生长发射波长为808nm的AlGaAs/GaAs量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒(MQB)层,有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱外,从而降低了激光器的阈值电流,提高了它的特征温度。增加了MQB后,器件的阈值电流密度Ith从原来的400 ̄600A/cm^2下降到300 ̄400A/cm^2,特征温度从160K提高到210K。 相似文献
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本文主要介绍1um双阱双层金属布线硅栅CMOS专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术,对多种材料如LPCVD、Si3N4、PECVESi3N4、热SiO2、PEVEDSiO2、PSG、BPSG、多晶硅和Al-Si(1.0%)-Cu(0.5%)合金等进行高选择比的,各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸(CD)总损失<0.08um的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀 相似文献
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用低压MOCVD(LP-MOCVD)生长三种不同的InGaAs/GaAs应变层量子阱材料,其中两种含AlGaAs限制层。结果表明,AlGaAs限制层对量子阱的发光强度影响很大,与没有AlGaAs限制层的结果相比,带AlGaAs限制层的结构的发光强度要强一个数量级以上。在低温(18K)PL光谱图中,我们看到,除了存在主峰以外,在主峰两侧还各有一个子峰,这些子峰可能与量子阱的质量有关。 相似文献