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文中通过求解薛定谔方程得到抛物型形量子阱的变换矩阵与透射系数。利用这一结果计算透射系数可以达到任意高的精度，最后，讨论了结构变化对抛物型量子阱的共振隧穿的影响。 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1997,(1)
TN301 97010351多t子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响/李存志,刘云腆,罗恩泽,梁昌洪洒安电子科技大学)11电子科技一19%,(4)一41~45 文中通过求解薛定谬方程得到由N个矩形势垒构成的量子系统的变换矩阵和电子透射系数的精确解,研究了多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影 相似文献
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电子隧穿问题的数值算法 总被引：2，自引：0，他引：2
文中给出了计算电子隧穿问题的一种新的数值方法，该方法适用于任意形状的一维势垒。在该算法中，首先用Ｎｕｍｅｒｏｖ算法注解薛定谔方程，然后再利用所得结果计算电子透射系数，为检测算法的精度，计算了电子对矩形双势垒及三角形势垒的透射系数，并与相应的精确解做了比较，结果表明该方法具有很高的精度。 相似文献
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共振隧穿是电子的隧穿概率在某一个能量值附近以尖锐的峰值形式出现的隧穿,是目前为止最有希望应用到实际电路和系统的量子器件之一,其特点是器件的响应速度非常快。本文用传递矩阵的方法分别计算了在外加偏压下,对称双势垒、三势垒应变量子阱结构的透射系数与入射电子能量和隧穿电流与偏置电压的关系,模拟了应变多量子阱结构的隧穿系数和I-V特性曲线。计算得到隧穿电流峰值位置与实验测试值符合得很好,对于设计共振隧穿二极管并为进一步实验提供理论指导具有重要的意义。 相似文献
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文中通过求解薛定谔方程得到由Ｎ个矩形势垒构成的量子系统的变换矩阵和电子透射系数的精确解，研究了多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响。 相似文献
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文章对电子透射几率问题进行了数值求解，这种方法能够处理形状复杂的一维势垒。首先利用龙格一库塔法和Numerov方法，联立求解薛定谔方程，然后利用得到的结果计算电子的透射几率，并考虑了计算误差的影响和减小方法。将该方法得到的数值解与精确值进行了比较，并用此方法考虑了不同双势垒结构中的共振隧穿问题。 相似文献
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提出了一种精确求解隧穿电流的模型。通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程,得到NMOS器件的半导体表面电势分布、反型层二维电子气的量子化能级以及对应的载流子浓度分布。为计算隧穿电流,采用了多步势垒逼近方法计算栅氧化物势垒层的隧穿几率,从而避免了WKB方法在突变边界处波函数不连续带来的缺陷。通过考虑(100)Si衬底的导带多能谷效应和栅极多晶硅耗尽效应,讨论了不同栅氧化层厚度下隧穿电流与栅压的依赖关系。模拟结果与实验数据吻合。 相似文献
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首先介绍了共振隧穿理论和一种新效应--介观压阻效应,对AlxGa1-xAs/GaAl/AlxGa1-xAs共振隧穿双势垒结构的轴向施加压应变作了分析,然后计算了轴向应变对垒宽和垒高的影响,对透射系数和隧穿电流用Matlab作了仿真.发现压应变可以使隧穿电流线性增加,偏压不同电流增加的速率也不同,为设计共振隧穿器件提供了理论依据. 相似文献
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文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展。概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算。重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展,即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的解析计算。 相似文献
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本文对双垒二极管中的电子隧穿作了数值分析。引入隧穿矩阵，建立了透射系数的公式；利用该公式，计算了隧道电流。此外，本文还分析了势垒结构对伏－安特性的影响。 相似文献
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本文通过求解薛定谔方程得到由分段线性势垒构成的量子系统的变换矩阵和透射系数的精确解,并利用这一结果计算了双量子阱系统的偏压隧道电流,讨论了双量子阱系统结构变化以其伏安特性的影响。与单量子阱系统的比较表明,双量子阱系统在某些方面,如电流峰谷比,负微分电阻区等优于单量子阱系统。 相似文献
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