低温低噪声红外前置放大器的计算机辅助设

通过ＰＳＰＩＣＥ５．０的模型参数提取工具ＰＡＲＴＳ软件，提取并确定了低温低频低噪声双极晶体管的器件模型参数，利用ＰＳＰＩＣＥ５．０对低温红外前置放大器进行了计算机辅助设计和优化，成功地对双极模拟电路进行了温度为１２０Ｋ（—１５３℃）的多种模拟分析。采用ＭＣＭ技术制作出了混合集成低温红外前置放大器，实际电路的ＣＡＴ测试结果与计算机辅助设计结果相吻合。     

低温ECL电路的直流特性分析

本文在对低温双极晶体管的直流特性的分析基础上，推导出ＥＣＬ电路在低温下的直流解析模型，并与实验结果和计算机模拟结果进行了比较，还对ＳＰＩＣＥ Ⅱ模型在低温下的修正和低温ＥＣＬ电路的设计进行了一些探讨。     

2．4Gb／s跨阻型光前置放大器CAD及验证

阐述了光纤通信前置放大器的设计原理，分析了光接收机中ＰＩＮ二极管和ＧａＡｓＦＥＴ器件的信号模型和噪声模型，提取了放大器用ＧａＡｓＦＥＴ器件的模型参数（包括大信号、小信号和噪声模型参数）。利用ＰＳＰＩＣＥ程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计，并实际制作了用于２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的ＰＩＮ－ＨＥＭＴ前置放大器。实测结果表明放大器３ｄＢ带宽达到ＤＣ～４．４ＧＨｚ，增益为１８±１ｄＢ；加入ＰＩＮ二极管后的光接收模块的３ｄＢ带宽为ＤＣ～１．６８８ＧＨｚ，满足了２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的需要。     

电子束偏放电路的计算机辅助设计

本文介绍了应用现行的ＰＳＰＩＣＥＶ５．０软件和ＣＡＤ优化技术，对亚微米电子束曝光机高速偏放电路的ＶＭＯＳＦＥＴ参数进行处理。针对电路中的关键参数：导通电阻、开关速度、温度影响、灵敏度及噪声干扰进行分析、设计。     

低通滤波器结构的改进分析及模拟

在高频域，ＭＯＳＦＥＴ的分布参数对全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ滤波器的特性有很大影响，本文应用ＳＰＩＣＥ（Ⅱ）通用模拟电路程序，采用非理想运算放大器单极点电路模型，考虑到ＭＯＳＦＥＴ的寄生电容，对一个六阶切比雪夫低通滤波器全ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ平衡结构应用传输线模型进行了仿真分析。     

微机环境下的集成电路CAD工具

集成电路计算机辅助设计技术是当今集成电路设计的重要技术手段。本文主要介绍在微同上运行的集成电路ＣＡＤ软件：电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ，电路设计软件包ＶＩＥＷＬｏｇｉｃ中的逻辑模拟软件ＶＩＥＷＳｉｍ；半导体集成电路工艺模拟软件ＳＵＰＲＥＭ；集成电路版图编辑软件Ｌ－ＥＤＩＴ。     

利用PSPICE实现数字模拟电路的混合模拟

ＰＳＰＩＣＥ是一种能够数字模拟电路的混合模拟电子线路ＣＡＤ软件，文中讲述了ＰＳＰＩＣＥ的描述语言，使用方法，模型与参数，并讨论了ＰＳＰＩＣＥ的优势与不足。     

红外焦平面CMOS单元读出电路

研制出一种 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ 差分放大器组成的电容反馈互导放大器（ Ｃ Ｔ Ｉ Ａ） 型红外焦平面读出电路,其输出端带有相关双取样（ Ｃ Ｄ Ｓ） 电路。对读出电路的注入效率进行了计算机模拟。介绍了器件的设计与工艺分析。实验结果表明,在７７ Ｋ 下,读出电路的动态范围为６６ ｄ Ｂ,功耗典型值为０ ．５３ 毫瓦／ 位     

CMOS／SOI电路模拟与参数提取

ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。     

薄膜SOI／CMOS的SPICE电路模拟

鉴于ＳＰＩＣＥ是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序，具具有可扩展模型的灵活性，我们通过修改ＳＰＩＣＥ源程序把新器件模型－－ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型移植入ＳＰＩＣＥ中，通过我们的模拟工作，证实了我们模型的正确性和电路实用性，分析了器件参数对ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速率的影响，这些结论可以很好地指导电路设计和工艺实践。     

BiCMOS例相器延迟特性的计算与分析

本文对ＢｉＣＭＯＳ倒相器延迟特性进行了系统研究，在分析比较ＭＯＳ与双极器件及其组成电路不同状态下的工作特点基础上，得到ＢｉＣＭＯＳ倒相电路在小注入、大注入和集电极寄生电阻等不同限制条件下的延迟时间的解析关系式，结果表明该模型具有近似于ＳＰＩＣＥ数值模拟精度，为各类高性能ＢｉＣＭＯＳ电路的优化设计与分析提供了理论依据．     

基于运放的电流模式六阶低通全集成新型滤波器

本文提出了以运算放大器为基础的一种新型电流模式ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ全集成精确连续时间平衡结构六阶低通滤波器电路。并应用ＰＳＰＩＣＥ通用模拟电路程序，对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析，得出了几点实用的结论。     

压电传感器前置电路研究

运用ＰＳＰＩＣＥ．５．０－ＣＡＤ工具对压电传感器阻抗变换电路进行了分析，在此基础上用厚膜技术实现了集成工作。在实际测试应用中取得了良好的结果。     

HEMT器件在非线性模型分析

本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。     

模型参数对双极管差分对延时的影响

本文结合我们所开发的两种ＢｉＣＭＯＳ工艺，讨论了双极管模型参数对双极管差分对的影响．采用电荷控制法，推导得出了双极管差分对的延时公式．该公式物理意义明确直观，能清楚地解释双极管各模型参数、工作条件等因素对双极管差分对延时的影响，并能指导电路设计和工艺制造；最终公式中全部使用ＰＳＰＩＣＥ参数，便于计算；该公式虽然只讨论了三个电容（发射结电容、集电结电容和衬底结电容）、三个电阻（发射极电阻、集电极电阻、基极电阻）、正向渡越时间和正向电流放大倍数八个参数，但其计算结果与ＰＳＰＩＣＥ模拟结果呈现出良好的一致性．     

HEMT器件的非线性模型分析

本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型（Ｓｔａｔｚ模型）对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。     

一种结构简单的低压CMOS四象限模拟乘法器

提出了一种结构简单、采用有源衰减器的低压ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器。详细分析了电路的结构和设计原理,给出了电路的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果。模拟结果表明,当电源电压为±１．５Ｖ时,功耗小于８０μＷ,线性输入电压范围约为±０．５Ｖ;当输入电压范围限于±０．３Ｖ时,非线性误差小于１．３％;－３ｄＢ带宽约为３．２ＭＨｚ。该乘法器电路可应用于低压模拟信号处理电路中。     

一种新的高性能开关电容排序电路

本文首次提出了一种高性能的开关电流型排序电路．它采用开关电流镜跟踪／保持输入信号，通过全对称的ＷＴＡ（Ｗｉｎｎｅｒ－Ｔａｋｅ－Ａｌ）电路网络求最大，最后分时输出排序结果．该电路结构简单、灵活，规模易扩展．ＰＳＰＩＣＥ模拟结果表明，该电路的输出电流相对于输入电流的偏差小，最大偏差为５μＡ；排序电路有较高的分辨精度，在５μＡ以内．由于采用开关电流技术，该电路完全同数字ＣＭＯＳ工艺相兼容，易于ＶＬＳＩ实现     

±5V高频四象限CMOS模拟乘法器

提出了一种新型四象限ＣＭＯＳ模拟乘法器电路,其核心结构为线性化压控源耦对。基于ＭＯＳＩＳ２μｍｐ－阱ＣＭＯＳ工艺参数的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果表明：当电源电压为±５Ｖ,输入范围为±４Ｖ时,非线性误差小于０．９％,乘法运算误差小于１．０％;在±３Ｖ的人非线性误差小于０．４％,乘法运算误差小于０．７％;－３ｄＢ带宽一端为１３０ＭＨＺ,另一端为７２０ＭＨＺ;整个电路静态功耗为４．９０ｍＷ。     

一种新的高性能开关电流排序电路

本文首次提出了一种高性能的开关电流型排序电路．它采用开关电流镜跟踪／保持输入信号，通过全对称的ＷＴＡ（Ｗｉｎｎｅｒ－Ｔａｋｅ－Ａｌ）电路网络求最大，最后分时输出排序结果．该电路结构简单、灵活，规模易扩展．ＰＳＰＩＣＥ模拟结果表明，该电路的输出电流相对于输入电流的偏差小，最大偏差为５μＡ；排序电路有较高的分辨精度，在５μＡ以内．由于采用开关电流技术，该电路完全同数字ＣＭＯＳ工艺相兼容，易于ＶＬＳＩ实现