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一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料,采用与硅外延淀积相类似的生长装置,进行化合物半导体的外延淀积。 相似文献
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从半导体制造工艺晶体生长与社底制备、氧化、扩散、外延生长、化学汽相淀积、物理淀积、离子注入,刻蚀、光刻、合金化和焊接等方面,叙述了对气体使用的要求。 相似文献
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本文综述了硅外延的三大发展趋势,指出降低外延温度是外延发展的迫切要求;同时比较了分子束外延(MBE)、光能增强化学汽相淀积(光CVD)、等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)的优缺点,指出UHVCVD和PECVD二者合二为一是最具应用前景的方法。其次,论述了异质外延和SiGe/Si超晶格材料的应用前景。最后,论述了外延生长的原位监测和外延膜的测试技术。 相似文献
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GaInAsSb是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积技术在n型GaSb衬底上成功地生长了GaInAsSb外延层,用PL谱,红外吸收谱,X射线衍射和扫描电子超声显微镜等实验手段对GaInAsSb外延层进行了表征。 相似文献
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用低能双离子束淀积技术,在清洁的Si衬底上外延生长出了CeO2/Si异质结构。利用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱的深度剖析技术对此类样品进行了测量分析。结果表明,样品界面清晰、陡峭,无氧化硅生成,这反映了外延层与Si衬底间过渡区很窄;外延层内组成元素Ce,O分布均匀,为正化学比CeO2相。原生样品经高温退火后,界面出现了氧化硅层,且过渡层增厚。最后讨论了有关影响CeO2/Si外延生长质量的因素,可认为高质量CeO2/Si结构生长的关键主要依赖于生长初期Si衬底表面不受氧化污染。为此,在IBD生长时,采取了一系列技术措施,得到了满意的结果。 相似文献
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用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGexC合金薄膜.本文通过能量色散谱仪乔(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGexC合金薄膜性质的影响.结果表明,Si1-xGexC外延层生长温度和生长时间一定范围内的增加加强了岛与岛之间的合并,促进了衬底Si原子向表面扩散、表面Ge原子向衬底扩散,且生长温度比生长时间对Si、Ge原子互扩散的影响大. 相似文献
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用低能双离子束淀积技术,在清洁的Si衬底上外延生长出了CeO2/Si异质结构。利用俄歇电子能谱,X射线光电子能谱的深度剖析技术对此类样品进行了测量分析。结果表明,样品界面清晰、陡峭,无氧化硅生成,这反映了外延层Si衬底间过渡区很窄;外延层内组成元素Ce,O分布均匀,为正化学比CeO2相。 相似文献
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用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex∶C合金薄膜性质的影响。结果表明,Si1-xGex∶C外延层生长温度和生长时间一定范围内的增加加强了岛与岛之间的合并,促进了衬底Si原子向表面扩散、表面Ge原子向衬底扩散,且生长温度比生长时间对Si、Ge原子互扩散的影响大。 相似文献
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本文研究了MOCVD法淀积过程中工艺条件对PbTiO3膜c轴取向度的影响,探讨了PbTiO3膜的生长过程,通过调节氧气流量首次在MgO(100)单晶衬底上淀积出c轴取向的PbTiO3外延膜。PbTiO3外延膜的介电常数为90,折射率为2.64,均和单晶性能一致。 相似文献
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ZnSe是一种理想的蓝紫色发光材料,用于制作发光器件有较大的应用前景,采用单源喷发、离化原子团束(ICB)技术在GaAs(100)上外延ZnSe单晶薄膜,并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用X射线衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。研究了淀积能量和衬底温度对薄膜质量的影响。得到了摆动曲线半高宽为133rad·s,并具有原子水平平整程度的ZnSe(100)单晶薄膜。外延薄膜存在0.2~0.4μm的应变过渡层,过渡层随淀积能量的增大而变薄。 相似文献
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外延生长技术是制备半导体材科,特别是半导体器件的重要方法之一,用外延方法可以制作某些结构复杂的半导体器件。半导体材料和器件这种需要促使多种外延技术得到了发展和应用。其中包括汽相外延(VPE)、液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)。汽相外延生长中又可依据原料的不同分为氯化物工艺、氢化物工艺和MOCVD工艺(金属有机化合物化学汽相淀积)。 相似文献
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澳大利亚莫那什大学和澳科工组织的联合攻关小组开发出一项生成高等级光电薄膜晶片的新技术,可使晶体的淀积层按预定的若干个原子厚度逐次生长出来。这种晶格可使电子在红外粒子的激励下流动,构成高红外敏感薄膜。该小组采用金属有机化学气相淀积方法,将碲化镉和碲化汞的晶体层均匀地逐层生长。该系统在相对低的温度和压力下淀积出的原子平均厚度为5000分之一mm。通过变 相似文献
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用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜,研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在.C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量.组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4.C2H4反应而生成的Ni1-x-yGexCy外延层和由Ni1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Ni1-xGex层. 相似文献