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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 815 毫秒
1.
王鹏  汪涛  丁坤  易茂祥 《微电子学》2018,48(5):579-584
提出了一种高增益三级运算放大器。采用五管全差分、套筒式共源共栅、典型共源级结构作为运算放大器的放大级,采用共模抑制电路、频率补偿电路、高摆幅偏置电路,提高了运算放大器的性能。结果表明,在3 V电源电压、4 pF负载电容的条件下,该运算放大器的开环直流增益为155 dB,单位增益带宽为112 MHz,相位裕度为84.1°,电源抑制比为151 dB,共模抑制比为-168 dB。该运算放大器的补偿电容较小,节省了面积。  相似文献   

2.
低电压高速CMOS全差分运算放大器设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
阮颖 《现代电子技术》2008,31(11):150-152
设计了一种低压高速CMOS全差分运算放大器。该运放采用了折叠式共源共栅放大结构、连续时间共模反馈电路以及低压宽摆幅偏置电路,以实现在高稳定性下的高增益带宽、大输出摆幅。在Cadence环境下,基于TSMC 0.25μm CMOS标准工艺模型,对电路进行了spectre仿真。在2.5V电源电压下,驱动1pF负载时,开环增益71.6dB,单位增益带宽501MHz,功耗4.3mW。  相似文献   

3.
设计了一种全差分高增益AB类音频功率放大器。该运算放大器利用电流抵消技术以提高增益,并采用一种改进型AB类推挽式输出级结构得到大电流驱动能力和宽摆幅。在0.35 μm CMOS工艺条件仿真得到该运算放大器在5 V电源电压下,开环增益为97.4 dB。输出摆幅范围0.07~4.91 V,静态功耗2.96 mW,功率管的面积<0.2 mm2,在保证一定指标的前提下节省了芯片面积。  相似文献   

4.
设计了一种基于数字修调技术的宽带高增益运算放大器,介绍了宽带高增益放大器在高速跟踪保持电路中的应用.该运算放大器采用两级放大电路-共源共基和共源共栅结构实现.基于0.35 μm BiCMOS工艺仿真验证,运放开环增益大于60 dB,单位增益带宽大于2.1 GHz,输出摆幅可达1.5 V.  相似文献   

5.
杨鑫  李挥 《现代电子技术》2006,29(16):1-3,6
介绍了一种全差分增益增强CMOS运算放大器的设计和实现。该放大器用于14位20 MHz采样频率的流水线模/数转换器(A/D)的采样保持电路。为了实现大的输入共模范围,采用折叠式共源共栅放大器。主放大器采用开关电容共模反馈电路在获得大输出摆幅的同时降低了功耗。辅助放大器则采用简单的连续时间共模反馈电路。该放大器采用UMC Logic 0.25μm工艺,电源电压为2.5 V。Hspice仿真结果显示,在负载为15 pF的情况下,其增益为104 dB,单位增益带宽为166 MHz。  相似文献   

6.
基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种新颖的恒跨导高增益轨到轨运算放大器。输入级仅由NMOS管差分对构成,采用电平移位及两路复用选择器控制技术,在轨到轨共模输入范围内实现了输入级恒跨导。中间级采用折叠式共源共栅放大器结构,运算放大器能获得高增益。输出级采用前馈型AB类推挽放大器,实现轨到轨全摆幅输出。利用密勒补偿技术进行频率补偿,运算放大器工作稳定。仿真结果表明,在1.8 V电源电压下,该运算放大器的直流开环增益为129.3 dB,单位增益带宽为7.22 MHz,相位裕度为60.1°,整个轨到轨共模输入范围内跨导的变化率为1.44%。  相似文献   

7.
庞世甫  王继安  张冰  李汇  李崴  龚敏 《半导体技术》2007,32(6):532-534,543
分析了跨导运算放大器的电路结构,采用两级放大电路,考虑到全差分结构中要使用共模反馈,用共源共基和共源共栅电路来实现电路的设计.同时对部分性能指标进行了优化,其中包括增益非线性引入的误差和不完全建立误差.设计了一种宽带高增益跨导放大器,利用0.35 μm Bi CMOS工艺条件下,Spectre仿真得到运算放大器的开环增益大于60 dB,单位增益带宽可达2.1 GHz,输出摆幅能达到1.5 V.  相似文献   

8.
邵子健  白春风 《微电子学》2021,51(6):818-821
基于一种新型低压降、高输出电阻镜像电流源,设计了一种高增益、高功耗效率全差分运算跨导放大器(OTA)。该OTA基于0.18 μm CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V。在保证1.8VPP差分输出电压摆幅的前提下,获得了较高的直流电压增益。采用NMOS管差分对作为输入的套筒式结构。结果表明,在2.3 mA偏置电流、2 pF负载电容下,该OTA具有119 dB的开环直流增益、526 MHz的增益带宽积和高达77°的相位裕度。额外加入增益提高技术后,该OTA的开环直流增益可提高到153 dB。  相似文献   

9.
针对传统全差分运算放大器电路存在输入输出摆幅小和共模抑制比低的问题,提出了一种高共模抑制比轨到轨全差分运算放大器电路。电路的输入级采用基于电流补偿技术的互补差分输入对,实现较大的输入信号摆幅;中间级采用折叠式共源共栅结构,获得较大的增益和输出摆幅;输出级采用共模反馈环路控制的A类输出结构,同时对共模反馈环路进行密勒补偿,提高电路的共模抑制比和环路稳定性。提出的全差分运算放大器电路基于中芯国际(SMIC) 0.13μm CMOS工艺设计,结果表明,该电路在3.3 V供电电压下,负载电容为5 pF时,可实现轨到轨的输入输出信号摆幅;当输入共模电平为1.65 V时,直流增益为108.9 dB,相位裕度为77.5°,单位增益带宽为12.71 MHz;共模反馈环路增益为97.7 dB,相位裕度为71.3°;共模抑制比为237.7 dB,电源抑制比为209.6 dB,等效输入参考噪声为37.9 nV/Hz1/2@100 kHz。  相似文献   

10.
运算放大器(OTA)是模拟和混合信号集成电路中重要的构成模块,在各类电路中有着广泛的应用,人们希望运算放大器能以低电源电压运行的同时保持高增益带宽积,这就对运算放大器的性能提出了一定的要求,对此,基于折叠式共源共栅结构提出了一种高增益带宽积高摆率的运算跨导放大器。该OTA基于0.18μm CMOS工艺设计,电路主要包含自适应偏置电路、反馈回路、折叠式共源共栅运算放大器等模块,利用自适应偏置电路代替差分输入对的尾电流源,提升动态电流和增益带宽积,通过反馈回路进一步提升电路性能。利用Cadence软件对电路进行仿真,仿真结果表明,在其他指标变化不大的前提下,该运放的增益带宽积和摆率相较于传统的折叠式共源共栅结构分别约提升了9倍和10倍。  相似文献   

11.
赵双  刘云涛 《微电子学》2016,46(3):302-305, 310
为了提高运算放大器对电源电压的利用率,基于GSMC 0.18 μm CMOS工艺模型,设计了一种高增益恒跨导轨对轨CMOS运算放大器。该运算放大器的输入级采用了互补差分对,并通过3倍电流镜法保证输入级总跨导在整个共模输入范围内恒定;为了获得较大的增益和输出摆幅,中间级采用了折叠式共源共栅结构;输出级采用了AB类输出控制电路,使输出摆幅基本实现了轨对轨。在3.3 V供电电压以及1.6 V输入电压下,该放大器的直流增益为126 dB,单位增益带宽为50 MHz,相位裕度为65°。电路结构简单,易于调试,可大大缩减设计周期和成本。  相似文献   

12.
设计了一个低功耗宽摆幅全差分开关电容可编程增益放大器(PGA).该放大器可实现近似1 dB步进,0~15 dB增益变化范围,可用于CMOS图像传感器.提出了一种可调补偿电容的运算跨导放大器(OTA),通过补偿电容调节OTA带宽,大大降低了PGA的功耗.采用TSMC 3.3 V 0.18 μm工艺,在20 MSPS采样率下,使用Hspice仿真.结果显示,电路功耗仅为7 mW,输出摆幅为轨至轨,精度为12位.  相似文献   

13.
一种低电压CMOS折叠-共源共栅跨导运算放大器的设计   总被引:10,自引:1,他引:9  
设计了一种全差分折叠-共源共栅跨导运算放大器,并将其应用于80 MHz开关电容带通Δ-Σ A/D转换器中.该跨导运算放大器采用0.35 μm CMOS N阱工艺实现,工作于2.5 V电源电压.模拟结果表明,该电路的动态范围为80 dB、直流增益63.4 dB、单位增益带宽424 MHz;在最大输出摆幅、建立精度为0.1%时,建立时间为7.5 ns,而功耗仅为7.5 mW.  相似文献   

14.
提出了基于TSMC 0.35μm锗硅(SiGe)BiCMOS工艺的全差分跨导运算放大器(OTA),充分利用了异质结晶体管(HBT)共射共基结构的大跨导、小寄生效应、低噪声等特性.采用共源共栅以及增益倍增技术的负载管,在3.3V单电源下,开环增益为92.2dB,单位增益频率为1.26GHz,相位裕度为61.1o(负载为550fF时),差分输出摆幅为3V,以此OTA为核心的采样保持放大器(SHA)的最大采样频率为125MHz.  相似文献   

15.
设计了一种高性能BCMOS全差分运算放大器.该运放采用复用型折叠式共源共栅结构、开关电容共模反馈以及增益增强技术,在相同功耗和负载电容条件下,与传统CM0S增益增强型运算放大器相比,具有高单位增益带宽、高摆率及相位裕度改善的特点.在Cadence环境下,基于Jazz 0.35μm BiCMOS标准工艺模型,对电路进行Spectre仿真.在5 V电源电压下,驱动6pF 负载时,获得开环增益为115.3 dB、单位增益带宽为161.7 MHz、开环相位裕度为77.3°、摆率为327.0 V/μm、直流功耗(电流)为1.5 mA.  相似文献   

16.
基于65 nm CMOS工艺设计了一种56 Gbit/s PAM4光接收机前端放大电路.前级为差分形式的跨阻放大器,采用共栅前馈型结构降低输入阻抗,并在输入端串联电感,有效提高了跨阻放大器的带宽和灵敏度.后级放大器采用具有线性增益控制的多级级联可变增益放大器,实现对输出摆幅的自动控制.输出缓冲器采用源极退化技术来拓展带...  相似文献   

17.
顾洵  李文渊   《电子器件》2008,31(2):520-524
采用华润上华0.6μm标准CMOS混合信号工艺设计了一种应用于植入式神经信号再生系统的跨导放大器.该放大器采用全差分结构以获得高输出摆幅,利用源反馈技术改善线性度,并设计了共模反馈电路以稳定共模输出电压.该跨导放大器工作在5V的电源电压下,具有0.55 S的跨导增益和100 kHz的3 dB带宽,可以满足系统的需要.  相似文献   

18.
王豪  黄启俊  陶玉茂  蒋湘  周华 《微电子学》2008,38(2):280-283
采用0.6 μm BiCMOS工艺,设计了一种应用于FTTH(光纤到户)的限幅放大器.该限幅放大器采用PECL电平输出,动态范围宽,信号增益高,输入差分信号1.6~800 mV,单端输出电压摆幅约800 mV,具有阈值可编程的信号丢失检测功能和信道阻塞功能,适用于FTTH级别的光接收机.  相似文献   

19.
设计实现了一种具有高增益大带宽的全差分增益自举运算放大器,适用于高速高精度流水线模数转换器采保电路的应用.增益自举放大器的主放大器和子放大器均采用折叠共源共栅式全差分结构,并且主放大器采用开关电容共模反馈来稳定输出电压.该放大器工作在3.0 V电源电压下,单端负载为2pF,采用0.18Wn CMOS工艺库对电路进行仿真,结果显示该放大器的直流增益可达到112dB,单位增益带宽为1.17GHz.  相似文献   

20.
针对传统运算放大器共模抑制比和电源抑制比低的问题,设计了一种差分输入结构的折叠式共源共栅放大器。本设计采用两级结构,第一级为差分结构的折叠式共源共栅放大器,并采用MOS管作为电阻,进一步提高增益、共模抑制比和电源电压抑制比;第二级采用以NMOS为负载的共源放大器结构,提高增益和输出摆幅。基于LITE—ON40V1.0μm工艺,采用Spectre对电路进行仿真。仿真结果表明,电路交流增益为125.8dB,相位裕度为62.8°,共模抑制比140.9dB,电源电压抑制比125.5dB。  相似文献   

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