塑料球栅阵列（PBGA）焊点三维形态预测与分析

本文应用最小能量原理和有限元方法，建立塑料球栅阵列（ＰＢＧＡ）器件焊点三维形态预测模型。对ＰＢＧＡ焊点三维形态进行预测和分析。并将预测结果与试验结果以及国外学者用数学分析模型所得的预测结果进行了对比验证。     

基于最小能量原理的SMT焊点三维形态预测

本文应用最小能量原理和有限元方法建立表面组装技术（ＳＭＴ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）形成的焊点三维形态预测模型,并运用该模型对塑料球栅阵列（ＰＢＧＡ：Ｐｌａｓｔｉｃ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）器件焊点三维形态问题进行了预测和分析。最后将预测结果与试验结果以及国外学者用数学分析模型所得的预测结果进行了对比验证。     

SMT焊点形态成形和焊点可靠性CAD

以ＰＢＧＡ焊点形态成形ＣＡＤ和焊点热疲劳寿命可靠性ＣＡＤ研究为例,提出ＳＭＴ焊点形态成形和可靠性一体化设计思想,并对其实现方法进行了分析研究,给出了具体实现步骤和研究结果．     

PBGA焊点热疲劳寿命的正交试验及回归分析

通过对ＰＢＧＡ焊点形态参数与焊点热疲劳寿命的正交试验,利用大型统计分析软件进行多元线性回归分析,建立起ＰＢＧＡ焊点高度固定,芯片在上焊点高度不固定及芯片在下焊 度不固定三种不同工作条件下形态参数与热疲劳寿命之间的回归多项表式,即ＰＢＧＡ焊点形参数与热疲劳寿命的关系表达式。     

焊盘尺寸对PBGA组装板可靠性的影响

研究了焊盘尺寸对氮气再流焊ＰＢＧＡ组装板可靠性的影响。氮气保护再流焊炉内的氧含量可低至５×１０－５。对ＰＢＧＡ组装板的焊点进行了拉伸试验、弯曲疲劳试验以及热冲击疲劳试验。结果表明：经氮气保护再流焊组装的ＰＢＧＡ板其焊点的各项性能均比无保护的ＰＢＧＡ组装板好。当ＰＣＢ板焊盘直径等于ＰＢＧＡ基底焊盘直径时,其焊点有最好的性能。     

片式元件SMT焊点三维形态计算与试验测量

由于ＳＭＴ中焊点形态影响焊点质量和可靠性，国外对ＳＭＴ焊点形态的预测和控制研究有所重视。文中用有限元方法对ＲＣ３２１６片式元件焊点三维形态进行计算，考虑了焊点钎料量对焊点三维形态的影响；提出了一种用触针测量法研究点三维形态的实验方法，并对计算结果和实验结果进行了比较，结果表明，计算结果与实验结果吻合良好。     

细微间距器件焊点形态成形建模与预测

基于最小能量原理和焊点形态理论 ,以方形扁平封装器件 (QFP)焊点为例建立了细微间距 (FPT)器件焊点形态成形模型 ,运用有限元方法预测了QFP焊点形态 ,并运用该模型和有限元方法对QFP器件焊点三维形态问题进行了分析。     

模板对倒装焊焊点形态的影响及其可靠性研究

本文通过用于焊点形态预测软件SURFACE EVOLVER的输入数据文件,得到倒装焊焊点形态.参考模板开口指导说明(IPC-7525),拟定模板开口方案,得到相应的焊点形态.通过建立有限元模型,运用ANSYS软件对含铅焊点在热循环加载条件下的应力应变和疲劳寿命进行分析.根据预测得到的热疲劳寿命,找出了适合本文模型的模板结构参数,同时分析了其它设计与工艺参数和焊点可靠性之间的关系.     

电子封装器件GBA的实时全息干涉实验研究

本文采用实时全息干涉方法对电运行中的ＰＢＧＡ器件及外部热辐射条件下ＰＢＧＡ的离面变形进行了测量,得到ＰＢＧＡ呈球面弯曲及马鞍形翘曲变形的实验结果,并初步分析了产生形变差异的原因。     

一个Ga_(1-x)Al_xAs的折射率模型

我们开发了一个高纯Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的室温折射率模型,适用于直接禁带以上和以下部分,并在禁带处连续．对与１．２和１．８ｅＶ之间的能量的光子,模型与实验符合得很好．该模型也可推广到ＧａＩｎＡｓＰ等其它半导体材料     

球形触点阵列与四边扁平封装的比较

球形触点阵列（ＢＧＡ）封装技术作为一种新的封装技术越来越受到人们的重视。从安装率和成本、表面安装印制板设计以及焊点可靠性三个方面对球形触点阵列与四边扁平封装（ＱＦＰ）进行了比较。分析认为，ＢＧＡ和ＱＦＰ各有其优势和劣势，各有其应用重点。     

低阈值1.3μmMQW激光器

利用叔丁砷化氢（ＴＢＡ）和叔丁磷化氢（ＴＢＰ）的ＭＯＶＰＥ已制成低阈值１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ多量子阱（ＭＱＷ）激光器。实验证明：与用常规的氢化物ＨｓＨ３和ＰＨ３生长的四元ＩｎＧａＡｓＰ材料相比，用ＴＢＡ和ＴＢＰ进行的四元材料生长可改善Ｖ族组分的可控性。从而使２英寸的ＩｎＧａＡｓＰ ＭＱＷ晶片的光致发光（ＰＬ）波长具有极好的均匀性，其标准偏差仅２．６ｎｍ，４．２Ｋ时，ＰＬ的最大半值全宽（ＦＷＨＭ     

Al0.3Ga0.22In0.48P/GaAs HBT高温特性的研究

本文研制了Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓ高温ＨＢＴ器件,详细地研究了器件在３００Ｋ～６２３Ｋ范围内ＨＢＴ的直流电学特性。结果表明Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓＨＢＴ器件具有良好的高温特性,在３００Ｋ～６２３Ｋ温度内,动态电流增益变化小于１０％,Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓＨＢＴ可工作至６２３Ｋ,工作温度超过６２３Ｋ后,器件就不能正常工作,经分析发现     

球栅阵列封装

本叙述了球栅阵列（ＢＧＡ）封装的概况，与ＱＦＰ相比的优点以及ＢＧＡ的多种变种．     

大信号直接调制半导体激光器的谐波非线性失真特性研究

本文对微波副载波光纤传输中最关心的大信号调制半导体激光器的谐波非线性进行了理论与实验研究。在ＬＤ速率方程的基础上，建立了一个适合计算谐波失真特性的分析模型。同时，对这一个国产１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰＤＣ－ＰＢＨ－ＤＦＢ－ＬＤ的二次与三次谐波特性进行了测量，结果与理论计算值一致。     

2．4Gb／s跨阻型光前置放大器CAD及验证

阐述了光纤通信前置放大器的设计原理，分析了光接收机中ＰＩＮ二极管和ＧａＡｓＦＥＴ器件的信号模型和噪声模型，提取了放大器用ＧａＡｓＦＥＴ器件的模型参数（包括大信号、小信号和噪声模型参数）。利用ＰＳＰＩＣＥ程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计，并实际制作了用于２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的ＰＩＮ－ＨＥＭＴ前置放大器。实测结果表明放大器３ｄＢ带宽达到ＤＣ～４．４ＧＨｚ，增益为１８±１ｄＢ；加入ＰＩＮ二极管后的光接收模块的３ｄＢ带宽为ＤＣ～１．６８８ＧＨｚ，满足了２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的需要。     

低压低能耗应用的InGaAs／AlGaAsPHEMT单片微波SPDT开关

提出了微波频率下ＰＨＥＭＴ在作开关运用时一种简化的等效电路模型，其模型参数可从对实际ＰＨＥＭＴ芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能（插入损耗，隔离度，输入及输出反射损耗）的模拟计算表明，与实验结果符合良好。在对串／并联ＰＨＥＭＴ型ＳＰＤＴ开关的ＣＡＤ优化设计基础上进行了ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片ＳＰＤＴ微波开关的实验研制。从研制的ＭＭＩＣ芯片上在片测试得到的结果为：对应新的个人通信频段的应用，在０～２ＧＨＺ范围内，插入损耗＜１．０ｄＢ，隔离度＞５０ｄＢ，输入及输出反射损耗均优于２４ｄＢ。研制的这种高性能单片开关还可在低至－２．０Ｖ的控制电压下工作。     

BGS功能在AXE-10中的实现

ＡＸＥ＿１０中 ,ＢＧ用户不仅具有ＰＳＴＮ用户所具有的业务功能 ,还具有ＰＳＴＮ用户所没有的一些业务功能。由于ＢＧ用户与ＰＳＴＮ用户都有的功能其实现方法相同 ,故本文只介绍几种有别于ＰＳＴＮ用户的ＢＧＳ业务功能在ＡＸＥ＿１０中的实现。１连接ＰＡＢＸ的功能我们都知道 ,ＢＧ既可连接分机 ,又可连接ＰＡＢＸ。那么ＰＡＢＸ功能在ＢＧ中是如何通过指令来连接的 ?具体定义步骤如下：(１)定义ＰＡＢＸ的引示号码“ＳＮＢ”及对应的分机号码“ＢＳＮＢ”＜ＢＧＳＧＩ：ＢＧ＝,ＳＮＢ＝,ＢＳＮＢ＝,ＰＸＲ＝Ｂ -０／Ｉ-０／Ｏ -０…     

电子封装器件BGA的实时全息干涉实验研究

９０年代以来,表面封装器件（ＳＭＤ）向高密度化、精密化、薄型化和高集成化方向快速地发展。在研究这些新型电子封装的应力—应变实验技术中,全息干涉测量方法因其高灵敏度、高精度、非接触性、全场分析,可直接获取离面位移等优点而被作为表面安装技术（ＳＭＴ）可靠性分析的有效方法。本文采用实时全息干涉方法对加电运行中的ＰＢＧＡ器件及外部热辐射条件下ＰＢＧＡ的离面变形进行了测量,得到ＰＢＧＡ呈球面弯曲及马鞍形翘曲变形的实验结果,并初步分析了产生形变差异的原因。     

考虑异种帧相关性的VBR MPEG视频源混合回归模型

ＭＰＥＧ作为一种国际动态图像压缩标准,其越来越广泛。为在通信网络上有效地传输和控制ＭＰＥＧ可变经特率（ＶＢＲ）数据流,第一个关键问题就是如何建立它的统计模型,目前已有的视频源模型都没有考虑不同类型帧之间的相关性,并不能很好地模拟ＶＢＲＭＰＥＧ视频源。本文首次提出了一咋处世划种帧相关性的ＶＢＲＭＰＥＧ视频源统计模型,混合回归（ＣＲ）模型,及其参数估计算法,实验结果表明,和传统的自回归（ＡＲ）模型相比