SnO2薄膜的电学气敏特性与光学气敏特性研究

用射频磁控反应溅射法制备了ＳｎＯ２薄膜,并分别测量薄膜在乙醇气体中的电学气敏特性和光学气敏特性。对实验结果的分析表明,ＳｎＯ２薄膜对乙醇气体有较强的电学气敏效应和光学气敏效应。利用ＳｎＯ２薄膜的电学气敏特性适合检测较低浓度乙醇气体,而利用ＳｎＯ２薄膜的光学气敏特性能检测较高浓度乙醇气体。     

Sn掺杂对MOCVD—Fe2O3薄膜型气敏元件的影响

本文以四甲基锡为掺杂源，用ＭＯＣＶＤ技术在小瓷管沉积了Ｓｎ掺杂的Ｆｅ２Ｏ３薄膜，Ｓｎ的掺杂保持了Ｆｅ２Ｏ３薄膜原有的气敏规律和快速响应特性，却使元件的电阻得以降低，同时抑制了薄膜中颗粒的生长，提高了元件的长期稳定性。     

金属硝酸氧化法制备的SnO2微粉的气敏特性研究

本文研究采秀金属锡硝酸盐氧化法制备的ＳｎＯ２微粉的气敏性能，发现该方法制得的ＳｎＯ２微粉具有良好的气敏特性，掺杂后做成的气敏元件可燃气体具有很高的灵敏度，可抵抗高浓度可燃气体的冲击，长期稳定性好。     

用PECVDS制备SnO2薄膜的结构,成份和气敏特性

采用ＰＥＣＶＤ 玻璃基片上制备出适合研制气敏感传感器的低电阻率ＳｎＯ２薄膜，Ｘ－线衍射分析表明沉积温度由高到低时，ＳｎＯ２薄膜从多晶态转变为非晶态，同时薄膜的电阻增加。Ｘ光电子能谱显示这种ＳｎＯ２薄膜是一种非化学计量配比成分的薄膜，其分子式为ＳｎＯ２ｘ，沉积时，氧气流量增加，该薄膜的电阻率随之增加。掺Ｓｂ的ＳｎＯ２薄膜对一氧化碳和酒精具有良好的气敏特性。     

镉、锡复合氧化物及掺银薄膜的气敏光透射特性

ＣｄＯ－ＳｎＯ２复合氧化物是对乙醇气体选择性较好的敏感材料［１］，但灵敏度比纯ＳｎＯ２低。对镉、锡复合氧化物掺微量银后，灵敏度明显提高。掺银薄膜的气敏光透射特性好，可检测乙醇饱和气体的浓度高且重复性好。     

SnO_2/SiO_2双层薄膜的湿敏特性

本实验是在单晶硅片上热生长一层ＳｉＯ２，然后用真空淀积的方法获得一层超微粒ＳｎＯ２薄膜，通过对ＳｎＯ２／ＳｉＯ２薄膜电阻与相对湿度关系的测试，发现阻湿的线性特性和灵敏度明显优于ＳｎＯ２薄膜和ＳｉＯ２薄膜，测湿范围明显展宽。     

ZnO/SnO2双层膜的结构及敏感特性研究

将ＳｎＯ２及ＺｎＯ粉末压制成靶材，采用溅射衍制备了ＺｎＯ／ＳｎＯ２双层薄膜，用ＸＰＳ，ＸＲＤ，ＳＥＭ等手段对制得的薄膜进行分析测试，发现双层膜表面有一定量的吸附氧存在，双层膜中锌、锡有一定的相互扩散，比较了单层ＳｎＯ２及ＺｎＯ膜与双层膜的气敏特性，结果表明双层膜在灵敏度及选择性方面都优于单层膜。     

SnO2导电薄膜的制备及电学性能研究

利用等离子体化学气相沉积制备了ＳｎＯ２导电薄膜，分析了膜的电学性能与沉积参数的关系，同时测得ＳｎＯ２膜具有负温阻特性，这是一种Ｎ型半导体膜。     

溶胶—凝胶法制备SnO2薄膜气敏特性的实验研究

本文介绍了，以ＳｎＣｌ．２Ｈ２Ｏ为原材料，用ｓｏｌ－ｇｅｌ技术制备Ｌａ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜气敏材料。研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气特性的影响。     

ITO薄膜的气敏特性􀀁

本文研究了胶体法制备的ＩＴＯ薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ＩＴＯ薄膜的气敏特性的影响。通过实验发现ＩＴＯ薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性。一般催化剂型掺杂物如贵金属等掺杂杂对提高ＩＴＯ薄膜的灵敏度没有多大帮助。ＩＴＯ薄膜与ＳｎＯ２薄膜相比具有更高的稳定性。ＩＴＯ薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征,又权有体效应气敏材料的敏感特性。     

乙炔敏感元件的研制

以ＳｎＯ２为基体的气敏元件分辨率通常较低，本实验通过制备超细粉体Ｓｎ（ＯＨ）４，掺杂Ｌａ２Ｏ３直接烧结制出灵敏度高，稳定性好，分辨率高的乙炔气体敏感元件，对烷烃类及烟雾等杂散气体分辨率较高。     

表面覆膜法氢敏元件的研制及其选择性的研究

本文介绍了采用表面修饰技术，利用气敏元件表面覆盖生长的ＳｉＯ２分子膜的滤过作用，得到高选择性ＳｎＯ２半导体Ｈ２敏感元件的方法，并对元件的特性及机理进行了分析。     

碱土金属氧化物——SnO2薄膜乙醇敏感元件的研究

采用真空镀膜,溶液浸泡,灼烧热分解方法制备了掺系列碱土金属氧化物的ＳｎＯ２敏感元件,在对乙醇等七种气体的测试结果表明,掺碱土金属氧化物的ＳｎＯ２元件普遍提高了对乙醇的灵敏度和选择性,而对其余气体同末掺杂元件相似,几乎不敏感,实验结果还表明,碱土金属氧化物对元件的增敏作用按ＭｇＯ,ＣａＯ,ＳｒＯ,ＢａＯ的顺序依次减弱。在敏感机理方面,提出了流过元件电流的公式,对元件的敏感机理作了初步探讨。     

掺杂对MOCVD—SnO2薄膜气敏性能的影响

本文在小瓷管上用ＭＯＣＶＤ技术沉积ＳｎＯ２气敏薄膜，研究了Ｐｄ，Ｔｈ掺杂对该ＳｎＯ２元件气敏性能的影响。掺杂Ｐｄ使元件对乙醇，汽油的灵敏度均增大，而掺杂Ｔｈ则仅提高对了对乙灵敏度，对汽油的灵敏度反有所降低。因此有希望开发为不肥汽油干扰的乙醇敏感元件。     

三甲胺气敏元件的研制

本文用ＭＯＣＶＤ技术在小瓷管表面沉积ＳｎＯ２薄膜，通过氢气退火处理，制备了可用于鱼品鲜度检测的三甲胺气敏元件，该元件对三甲胺有较高的灵敏度，响应时间快，工作温度低；对ＮＨ３却不敏感，具有一定的选择性，另外，元件的长期稳定性也较好。     

MOCVD法制备薄膜型Fe2O3气敏元件

本文采用ＭＯＣＶＤ技术制备了薄膜型Ｆｅ２Ｏ３气敏元件。测定了元件的物理性能和气敏特性。该气敏元件对乙醇、丙酮和液化石油气有较高的灵敏度，响应时间快，对甲烷、管道煤气、硫化氢等气体不敏感，具有一定的选择性。还考查了元件的稳定性。     

一种新型金属复合氧化物半导体气敏材料体系

用ＮＨ４）２ＣＯ３作沉淀剂制得Ｃｄ：Ｓｎ＝１：１的粉料，经７５０℃、１５ｈ热处理可得单相钛铁矿型β－ＣｄＳｎＯ３。元件的电导－温度（Ｇ－ｔ）特征表明β－ＣｄＳｎＯ３为典型的表面电阻控制型气敏材料，无需掺贵金属催化剂就对还原性气体响很高的灵敏度。因此，β－ＣｄＳｎＯ３很有希望作为一种新型的气敏材料体系。     

非晶态SiO_2掺杂Fe~（2＋）薄膜气敏特性的研究

研制成功一种以ＳｉＯ２作为主体，掺杂Ｆｅ２＋离子薄膜制备的气敏元件，对ＣＯ气体有良好的气敏特性。它的线性范围为１．２×１０－４～８．９２×１０－３ｍｏｌ·ｄｍ－３，检测下限为５×１０－５ｍｏｌ·ｄｍ－３３，响应速度≤５ｓ．本工作以非晶态半导体的Ｍｏｔｔ－Ｄａｖｉｓ能带模型结合表面吸附理论，初步探讨了该材料的气敏机理，确立了元件阻值Ｒ与吸附浓度Ｃ的关系方程，以此解释元件的气敏特性．该方程对非晶态ＳｉＯ２掺杂薄膜是普遍适用的。     

表面涂层对掺杂α—Fe2O3烧结型气敏元件敏感特性的影响

本文对掺杂α－Ｆｅ２Ｏ３烧结型气敏元件的表面涂上混合α－Ａｌ２Ｏ３和Ｍｎ２ｏ３的浆料，干燥烧结而成新型半导体气敏元件，测试了该气敏元件对甲烷，丁烷，乙酵气体的敏感顺序，阻温特性和长期稳定性。     

气敏元件的环境温度特性

研究了γ—Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＷＯ３、Ｌａ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３气敏元件的环境温度特性。环境温度改变时（－４０～４０℃）元件的阻值Ｒ０的变化依基体材料及检测气体而异，Ｌａ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３乙醇元件最为稳定，ＺｎＯ和ＷＯ３的Ｈ２Ｓ元件的Ｒ０有明显漂移，但在一定浓度Ｈ２Ｓ中的Ｒｇ比较稳定。这几种元件均适于在ＶＨ＝５Ｖ下工作。