硅光学双稳态(SOB)器件

利用作者近期研制的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT）或光电“∧”双极晶体管（PLBT）两种硅光电负阻器件,提出并成功地实现了一种新型的硅光学双稳态器件。即以PNEGIT（或PLBT）作为光的输入器件,以其驱动一发光管（LED）作为光输出器件,由于PNEGIT和PLBT都具有光电负阻特性,致使在输出光功率（Pout）-输入光功率（Pin）特性上出现逆时针方向的光学双稳回线。这种器件具有光开关、光逻辑、光放大、光存贮、光眼福等多种功能,扩展了硅光电器件在光逻辑、光计算、光通讯等领域中的应用。     

由OLED和PDUBAT构成的光学双稳态

对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃有机／聚合物发光二极管（OLED）为负载器件,以光电双基区晶体管（PDUBAT）型硅光电负阻器件为驱动器件而构成的光学双稳态反相器进行了实验研究。测量了输出光强－输入光强光 学 双稳态特 性曲线,并对实验结果进行了分析讨论。     

硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性

在本文中,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究.硅光电负阻器件包括有各种类型,本文主要对"λ"型双极光电负阻晶体管(PLBT)以电阻和光电二极管作为负载的情况进行了讨论.     

一种基于光电负阻器件的新型阈值可调光传感器

将硅光电负阻器件与发光二极管封装在一起，利用硅光电负阻器件的双稳和自锁特性，制成了一种新型的非线性阈值可调光传感器。研究表明，该光传感器不仅可实现对信号的光电耦合，还可实现设定阈值，比较判断和输出驱动等一系列信号处理功能；同时它结构简单，调整方便。     

SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系

文章对电阻为负载时,硅光电负阻器件（ＳＰＮＲＤ）的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的７个基本参数,并分析了负载电阻（ＲＬ）和电源电压（Ｖ０）对这些参数的影响,理论分析结果与实测结果相一致,所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况１。     

光电耦合器一席谈

在众多的光电子器件中,销售量最大和应用面积最广的光电子器件应数光电耦合器(它称光隔离器)。这种器件最大特点是它通过发光器件(如LED)和光敏器件(如光敏二极管和光敏三极管)之间的电—光—电转换实现了电子线路间的光学隔离,这种光学隔离完成两个重要任务:一是输入信号可以无阻通过,二是输出信号不能反馈到输入端。只要在电路中加上一个简     

硅光电负阻器件的构成原理与分类

将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法     

非线性光耦合器及其响应保持功能

将发光器件和硅光电负阻器件面对面地封装在一起,其间实现电隔离,构成一种新型光耦合器.由于光电负阻器件具有双稳和自锁特性,这种非线性光耦合器具有响应保持功能.文章以PDUBAT为例从实验方面证实了响应保持功能的存在,并提出利用PLBT实现响应保持功能的设想.     

改善光电导探测器NBP＜10~（－6）的新想法

改善光电导探测器ＮＢＰ＜１０~（－６）的新想法文婷婷（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）光电导探测器也是把输入光信号转变成电信号输出的一种光电器件。噪声等效功率ＮＥＰ的数值直接反映了此探测器的质量好坏，并代表了该器件的灵敏度。过去我?..     

DPLBT型高频硅光电负阻器件的研制

研制出特征频率fT≥220MHz,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件--达林顿光电λ型双极晶体管(DPLBT),并首先用发光二极管(LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成一种和常规光电耦合器不同的具有光电流开关、光控电流双稳态和光控正弦波振荡多种功能的新型光电耦合器(PCDPLBT).     

Si光电负阻器件和Si-Ge异质结混合模式晶体管的模拟研究

“硅光负阻器件的研究”、“高频高速硅光负阻器件的研究”是国家自然科学基金和天津自然科学基金资助的项目,由天津大学电子信息工程学院微电子系新型器件小组承担研究工作。笔者围绕着该两项课题进行了硅光电负阻器件的基础研究工作,对两种硅光电负阻器件的机理进行了探讨。进行了二维器件模拟（简称器件模拟）,对影响器件性能的主要参数进行了模拟分析,并与实验进行了对比。建立了两种光电负阻器件的电路模型,并进行了实验验证。为光电负阻器件基础研究和应用研究打下了良好的基础。“SOI／SiGe/BiCMOS集成电路的研究”是国家自然科学基金重点项目,天津大学和清华大学共同承担了这项研究工作。笔者围绕着该项研究工作进行了SiGe/BiMOS的基础研究和设计工作,进行了器件模拟,对影响器件性能的主要参数进行模拟分析,模拟为器件设计提供了有意义的指导,完成版图设计和工艺设计。为SOI／SiGe/BiCMOS集成电路的研制奠定良好开端。具体研究的主要内容包括以下九个方面。     

光电负阻晶体管的初步研究

本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管，首次给出了完整的等效电路，并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对ＰＬＢＴ的Ｉｐｈ－ＶｃＥ特性进行了模拟。模拟结果与从ＰＬＢＴ实验性器件实测的Ｉｐｈ－ＶＣＥ特性吻合得很好，初步研究还表明，此器件除了作为光探测器外，还具有光生振荡和光控调频等功能。     

短波中红外硅基光子学进展（特邀）

短波中红外光学（2~2.5 μm）在通信测距、卫星遥感、疾病诊断、军事国防等领域具有广泛的应用。作为短波中红外光学系统的关键核心部件,集成光电器件的开发一直都是重点的研究领域。得益于硅基材料超宽的光谱透明窗口,其在开发短波中红外集成光电子器件方面极具发展前景,近年来获得了广泛的关注。文中简要讨论了短波中红外硅基光子学的应用前景,从无源波导器件（包括波导、光栅耦合器、微型谐振腔、复用/解复用器等）、非线性光学波导器件和光电波导器件（包括调制器和探测器等）三方面综述了短波中红外硅基光子学的发展历史和前沿进展。     

以＂光＂为传媒的光电耦合器

光电耦合器（简称光耦）是一种以光作为媒介、把输入端的电信号耦合到输出端去的新型半导体“电一光一电”转换器件。换句话讲．它具有把电子信号转换成为相应变化规律的光学信号、然后又重新转换成为变化规律相同的电信号的单向传输功能，     

硅光电负阻器件的光电功能

全面介绍了从硅光电负阻器件上发现的几种光电控制功能,为进一步开发应用这类器件奠定了基础。     

光电负阻晶体管PNEGIT的电路模型和模拟

给出了光表面控制负阻晶体管PNEGIT(Photo-Controlled Surface Negative Impedance Transistor)的电路模型,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件,模型为研究PNEGIT和表面控制负阻晶体管NEGIT(Surface-Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段,把模拟结果与实验进行了对比.     

通用贴片式器件及应用电路(二) 光电耦合器及其应用(1)

光电耦合器(以下简称光耦)是一种发光器件和光敏器件组成的光电器件。它能实现电—光—电信号的变换,并且输入信号与输出信号是隔离的。目前极大多数的光耦输入部分采用砷化镓红外发光二极管,输出部分采用硅光电二极管、硅光电三极管及光触发可控硅。这是因为峰值波长900～940n     

一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管

利用硅双基区晶体管（DUBAT）产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT (NDRHBT) . 经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其I-V特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.     

热管散热技术在半导体照明光源上的应用

无论是LED功率器件还是模组，增加光输出的瓶颈是散热问题。增加功率使热量积聚，造成结温升高，而结温升高会导致发光效率下降、发光波长移动、寿命降低。散热的最理想方案无疑是利用产生的热量作为能源，将热量转移出器件，而将热管技术应用到灯具式模组的散热中，正是这种措施，突破了Haitz定律，使单个封装LED器件的光通量输出更快地达到通用光源的要求。     

光电负阻晶体管PNEGIT的电路模型和模拟

给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面控制负阻晶体管 NEGIT( Surface- Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段 ,把模拟结果与实验进行了对比