氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性

对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出氮化 H2 - O2 合成氧化方法抗辐照性能最佳 ,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势 ;并对氮化 H2 - O2 合成栅的抗辐照机理进行了研究     

氮化H2-O2合成薄栅介质的击穿特性

研究了14～16nm的H2-O2合成薄栅介质击穿特性.实验发现,N2O气氛氮化H2-O2合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性.H2-O2合成法制备的样品,其击穿场强分布特性随测试MOS电容面积的增加而变差,而氮化H2-O2合成薄栅介质的击穿特性随测试MOS电容面积的增加基本保持不变.对于时变击穿,氮化同样能够明显提高栅介质的击穿电荷及其分布.     

氮化H2-O2合成薄栅介质的击穿特性

研究了14～16nm的H2-O2合成薄栅介质击穿特性.实验发现,N2O气氛氮化H2-O2合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性.H2-O2合成法制备的样品,其击穿场强分布特性随测试MOS电容面积的增加而变差,而氮化H2-O2合成薄栅介质的击穿特性随测试MOS电容面积的增加基本保持不变.对于时变击穿,氮化同样能够明显提高栅介质的击穿电荷及其分布.     

一种抗总剂量辐照的NMOSFETs

在商用 SIMOX衬底上制备了抗辐照 NMOSFETs,使用的主要技术手段有 :氮化 H2 -O2 合成栅介质加固正栅 ;增加体区掺杂 ,以提高背栅阈值电压 ;采用 C型体接触结构 ,消除边缘寄生晶体管。结果表明 ,在经受 1× 1 0 6 rad( Si)的辐照后 ,器件特性没有明显恶化     

全耗尽CMOS/SOI工艺

对全耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/SOI抗辐照工艺.其关键工艺技术包括:氮化H2-O2合成薄栅氧、双栅和注Ge硅化物等技术.经过工艺投片,获得性能良好的抗辐照CMOS/SOI器件和电路(包括101级环振、2000门门海阵列等),其中,nMOS:Vt=0.7V,Vds=4.5～5.2V,μeff=465cm2/(V*s),pMOS:Vt=-0.8V,Vds=-5～-6.3V,μeff=264cm2/(V*s).当工作电压为5V时,0.8μm环振单级延迟为45ps.     

全耗尽CMOS/SOI工艺

对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、2 0 0 0门门海阵列等 ) ,其中 ,n MOS:Vt=0 .7V,Vds=4 .5～ 5 .2 V,μeff=4 6 5 cm2 / (V· s) ,p MOS:Vt=- 0 .8V ,Vds=- 5～ - 6 .3V,μeff=2 6 4 cm2 / (V· s) .当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 4 5 ps     

多晶硅后热退火引起SiO_2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法

实验研究表明 ,多晶硅后的高温退火明显引起热 Si O2 栅介质击穿电荷降低和 FN应力下电子陷阱产生速率增加 .采用 N2 O氮化则可完全消除这些退化效应 ,而且氮化栅介质性能随着退火时间增加反而提高 .分析认为 ,高温退火促使多晶硅内 H扩散到 Si O2 内同 Si— O应力键反应形成 Si— H是多晶硅后 Si O2 栅介质可靠性退化的主要原因 ;氮化抑制退化效应是由于 N “缝合”了 Si O2 体内的 Si— O应力键缺陷 .     

多晶硅后热退火引起SiO2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法

实验研究表明,多晶硅后的高温退火明显引起热SiO2栅介质击穿电荷降低和FN应力下电子陷阱产生速率增加．采用N2O氮化则可完全消除这些退化效应,而且氮化栅介质性能随着退火时间增加反而提高．分析认为,高温退火促使多晶硅内H扩散到SiO2内同Si—O应力键反应形成Si—H是多晶硅后SiO2栅介质可靠性退化的主要原因;氮化抑制退化效应是由于N“缝合”了SiO2体内的Si—O应力键缺陷．     

离子注入氮化薄SiO_2栅介质的特性

研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化 10 nm薄栅 Si O2 的特性 .实验证明氮化后的薄 Si O2 栅具有明显的抗硼穿透能力 ,它在 FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向 FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降 ,氮化栅介质的击穿电荷 (Qbd)比常规栅介质提高了 2 0 % .栅介质性能改善的可能原因是由于离子注入工艺在栅 Si O2 中引进的 N+离子形成了更稳定的键所致     

离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性

研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性.实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降,氮化栅介质的击穿电荷(Qbd)比常规栅介质提高了20%.栅介质性能改善的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N+离子形成了更稳定的键所致.     

金属簇合物cis-Cp*2MO2S4Cu2I2.(CH2CI2)2/CH2CI2

应用脉宽为4.5 ns,波长为532 nm的激光脉冲,用Z-扫描方法研究了金属簇合物cis-Cp*2Mo2S4Cu2I2.(CH2CI2)2/CH2CI2溶液的非线性特性.研究结果表明非线性折射主要来源于三阶光学非线性折射和非线性吸收引起的瞬态热致非线性折射.     

速度与激情2

2001年推出的《速度与激情》是当年票房的黑马,时尚跑车、帅哥美女、快节奏的剧情,赢得了众多年轻观众,也捧红了猛男范·迪赛     

双层锰酸盐La2-2x（Ca，Sr）1＋2xMn2O7系统中的电荷有序化研究

本文系统地分析了双层锰酸盐La2-2xCa1 2xMn2O7(0．5≤x≤1．0)与La2-2xSr1 2xMn2O7(0．45≤x≤0．60)的结构及物理性质。低温下，在0．6≤x≤0．75的样品中La2-2xCa1 2xMn2O7系统显示出电荷轨道有序化。温度低于160K时，在x=0．6的材料中观察到了因电荷有序态和铁磁态互相竞争而导致的微观     

Iodine-atom laser emission in 2-2-2 trifluoroethyliodide

Lasing at 1.3 μ upon flash photolysis of 2-2-2 tri-fluoroethyliodide, CF3CH2I, has been observed on the²P_{1/2}-²P_{3/2}magnetic dipole allowed transition of atomic iodine. Using an 800-J flash, a maximum peak power output of approximately 108 W for 10-μs duration at half-maximum intensity was obtained with a pressure of 17 torr CF3CH2I.     

环 F2＋ uF2＋ u2 F2上的常循环码

常循环码是一类重要的纠错码,本文基于（xn －1）在 F2[x]上的分解,探讨了环 R＝ F2＋ uF2＋ u2 F2上任意长度的（1＋λu）常循环码的极小生成元集（λ为R上的单位）。通过分析该环上循环码和常循环码的置换等价性,得到了该环上码长为奇数及码长 N≡2（mod 4）时（1＋ u2）常循环码的生成多项式和极小生成元集。     

Engineered flux-pinning centers in Bi2Sr2CaCu2Ox and TIBa2Ca2Cu3Ox superconductors

Three methods were used to introduce flux-pinning centers into Bi₂Sr₂CaCu₂O_x (Bi-2212) and TlBa₂Ca₂Cu₃O_x (Tl-1223) samples. It was found that carbon induced local decomposition, that nanosized Al₂O₃ additions created stable reaction products, and that second phases could be isolated in Tl-1223 during synthesis. Each of these defects enhanced flux pinning and was of most benefit at temperatures ≤ 35K.     

SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2-ErF3玻璃陶瓷的显微结构

氟氧化物玻璃陶瓷综合了传统激光晶体和激光玻璃的优点，是近年来激光材料研究的新热点。我们制备了掺杂Er离子的SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2玻璃陶瓷材料，并对其显微结构进行了初步研究。     

Reactive sintering of Bi2Sr2CaCu2Ox superconductors

Three phase assemblages were used to produce Bi₂Sr₂CaCu₂O_x (2212) during sintering: a mixture of 20% Ca-rich 2212+80%2212, partially synthesized 2212, and Bi₂Sr₂CuO_x (2201)+(1/2 Ca₂ CuO₃+1/2 CuO) (denoted 0011). The mixture of 2201+0011 produced highly pure 2212 within 50 h of heating in air at ≈850°C. Ag tubes were filled with a mixture of 2201+0011 and worked into tapes by a powder-in-tube process. Heat treatments produced microstructures consisting of small, highly textured 2212 grains. T_c values were ≈70K. Transport J_c values at 4.2K were ≈10⁴ A/cm².