SAW器件封装技术概述

小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力,回顾了SAW器件封装的发展历史,介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点,详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装技术,将通用芯片倒装技术和SAW封装的特点结合,使封装尺寸减小到极限,对今后的复合封装进行了展望。     

声表面波器件小型化技术发展概述

以EPCOS生产的声表面波(SAW)芯片级封装和晶圆级封装为例,介绍了声表面波器件小型化发展的趋势.着重介绍了声表器件芯片级封装技术发展的各个阶段器件的结构特点.详述采用倒装、贴膜和晶圆键合技术将声表面波器件的尺寸减至最小及后续声表面波器件组件化封装的趋势.     

IC封装基板市场蓬勃发展

目前IC封装技术的发展主流是:倒装芯片(Flip Chip,FC)、晶片级(Wafer Level)封装及铜制程相关的封装技术。其中,倒装芯片技术近几年在国外已得到很大发展,许多企业已相继投入开发。而晶片级封装技术因具有短小轻薄、高的电气特性及低廉的制造成本等优点,预计在未     

倒装芯片封装器件开封方法研究

对倒装芯片封装(Flip-Chip Package)器件开封技术进行了研究。总结了倒装芯片封装的类型、结构和封装材料；从理论上证明了倒装芯片封装器件开封的可能,并找出了限制开封的制约因素；提出了一种倒装芯片封装器件开封方法,通过X射线检查、镶嵌、磨抛和酸刻蚀的综合应用,突破了限制这类器件开封的因素,并证明了该方法的适用性；给出了建议的试验条件,并展示了开封效果。     

文献与摘要（73）

倒装芯片安装中课题Challenges in Flip Chip Assembly倒装芯片封装技术向更薄更小更高一体化的发展方向,一些旧的方式是不符合要求的。本文介绍Amkor、STATS、TDK等一些公司新的封装技术与对载板要求。     

VIA-ON-CHIP封装旨在提高IC可靠性和集成度

为了配合高性能ASIC和微处理器的发展需要,W.L.Gore andAssociates(Newark,DE)公司声称开发了新型的半导体芯片封装。该封装如图所示(参看照片),被称为Via onChip Pitch(意思是:按照芯片的节距安排封装上的通孔节距);是采用光刻工艺技术,将该公司的Microlam介质材料和先进的通孔形成技术结合起来。该封装针对反转倒装芯片的封装应用要求,这类器件一般的凸起(bump)数目可达到4000个,凸起的间隔节距可低到230微米。 Via on Chip Pitch封装由于可     

一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术

总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指换能器(IDT)质量负载的情况下同时具备吸声的功能,改善器件的带外抑制能力,增强了产品的一致性和可靠性。本技术在SAW器件的封装方面有广阔的应用前景。     

FCOS技术被引入智能卡制造

FCOS（Flip Chip on Substrate板上倒装芯片)技术是英飞凌科技公司(Infineon)与捷德(Giesecke&Devrient)公司联合研制开发的一种专用于IC卡应用的创新芯片封装工艺。它融合了最新芯片倒装工艺和革新的材料技术，首次将集成电路“倒装”在IC卡外壳中。芯片的功能面通过传导触点直接连接至模块，不再需要传统的金线和人造树脂等封装材料，新型连接技术不仅节省了模块内的空间，而且比常规接线方式更为牢固。     

高压倒装LED照明组件的热性能

高压(HX)倒装LED是一种新型的光源器件,在小尺寸、高功率密度发光光源领域有广泛的应用前景.设计了4种不同工作电压的高压倒装LED芯片,进行了流片验证,并对其进行了免封装芯片(PFC)结构的封装实验,在其基础上研制出一种基于高压倒装芯片的PFC-LED照明组件.建立了9V高压倒装LED芯片、PFC封装器件及照明组件的模型,利用流体力学分析软件进行了热学模拟和优化设计;利用T3Ster热阻测试分析仪进行了热阻测试,验证了设计的可行性.结果表明,基于9V高压倒装LED芯片的PFC封装器件的热阻约为0.342 K/W,远小于普通正装LED器件的热阻.实验结果为基于高压倒装LED芯片的封装及应用提供了热学设计依据.     

一种更薄更简洁的芯片卡封装技术

英飞凌科技公司和捷德公司联合研制出一种专用于芯片卡应用的创新芯片封装工艺。FCOS(Flip Chip on Substrate，板上倒装芯片)技术首次将芯片卡集成电路“倒装”在芯片卡外壳中。芯片的功能面通过传导触点直接连接至模块，不再需要传统的金线和人造树脂等封装材料。新型连接技术不仅节省了模块内的空间，而且比常规接线方式更为牢固。     

面积阵列封装--BGA和Flip Chip

随着表面安装技术的迅速发展,新的封装技术不断出现,面积阵列封装技术成了现代封装的热门话题,ＢＧＡ和ＦｌｉｐＣｈｉｐ是面积阵列封装的两大类型,它们作为当今大规模集成电路的封装形式,引起电子组装界的关注,而且逐渐在不同领域得到应用。ＢＧＡ和ＦｌｉｐＣｈｉｐ的出现,适应了表面安装技术的需要,解决了高密度、高性能、多功能及高Ｉ／Ｏ数应用的封装难题,预计随着进一步的发展,ＢＧＡ和ＦｌｉｐＣｈｉｐ技术将成为     

基于HCT-FEM和3D电磁模型的SAW滤波器性能仿真系统

该文基于分层级联有限元(HCT-FEM)和三维电磁模型构建了一套声表面波(SAW)滤波器性能仿真系统。采用Matlab协同COMSOL建立的HCT-FEM模型计算声学元件导纳,用ANSYS建立的三维电磁模型计算含芯片走线、引线/金属球、封装外壳及测试电路的外部电磁S参数,并在ADS软件中对SAW滤波器频率响应进行复原。将该系统应用于一款芯片级封装(CSP)的普通SAW滤波器和一款表贴封装(SMD)的单晶薄膜SAW滤波器电性能仿真,仿真与实测结果吻合较好。     

System-in-a-package integration of SAW RF Rx filter stacked on a transceiver chip

Demands for mobile phones with smaller form factor and lower cost have driven enhanced integration of electronics components. However, surface acoustic wave (SAW) filters must be fabricated on piezoelectric substrates, and so they are difficult to monolithically integrate on semiconductor chips. This paper reports on a compact wafer-scale packaged SAW filter stacked over a transceiver chip in a quad flat-pack no-lead (QFN) package. An integrated passive device (IPD) provided redistribution and matching between the SAW filter output and the transceiver input. Both extended global system for mobile communications (EGSM) and DCS filters were evaluated. Results demonstrated that conventional packaging techniques could be used to successfully assemble stacked SAW on transceiver modules without damage. SAW compact models based on the coupling of modes model were developed to facilitate system design. Electromagnetic simulations of coupling between SAW filters and inductors integrated on the transceiver suggested that design care is needed to avoid interactions, especially if an IPD is not used as a spacer. With appropriate design, stacked SAW filter on transceiver offers viable module integration.     

基于分层级联技术的梯形声表面波滤波器正向设计

针对任意复杂拓扑结构的梯形声表面波(SAW)滤波器的精确快速设计问题,基于声/电/磁多物理场耦合全波仿真平台,结合基因遗传优化算法和通用图形处理器(GPGPU)加速技术,利用有限元分层级联精确模型(HCT)代替COM模型进行SAW滤波器的设计与优化,计算速度和优化速度与COM模型相当。通过42°Y-X LiTaO₃常规SAW滤波器的优化设计与研制,插入损耗为0.67 dB,2 dB相对带宽为3.85%,验证了该方法的有效性和可行性。     

基于LiTaO3基片宽带声表面波滤波器设计方法

通讯系统传输效率的提升对滤波器带宽的要求越来越高,如果使用常规声表面波(SAW)滤波器设计技术,则将面临损耗大或带宽达不到要求的问题。该文根据系列宽带SAW 滤波器产品开发结果,总结了采用特殊技术用 LiTaO₃压电基片实现相对带宽8%以上的宽带 SAW 滤波器设计方法,其包括利用外围电感、电容增加 SAW 谐振器的谐振频率和反谐振频率的间隔,提高阻抗元滤波器带宽;利用多模式纵向耦合谐振滤波器结构增加滤波器带宽;利用双通带滤波器并联结构获得大带宽滤波器。上述方法各有优缺点,其均能获得约为9%的带宽。     

电磁寄生参数在高频SAW滤波器设计中的应用

在设计高频声表面波（SAW）滤波器的过程中,若只考虑封装壳和键合线的电磁寄生参数而忽略汇流条的电磁寄生参数,则SAW滤波器的实际性能易受汇流条寄生参数影响而出现通带波动和驻波增大等问题。该文拟用电声-电磁联合仿真方法设计高频SAW滤波器以解决汇流条寄生参数对SAW滤波器性能的影响。通过此方法研制的滤波器通带插入损耗小于1dB,波动0.5dB,通带内驻波最大值2.1,-1.5dB带宽75.7MHz,-3dB带宽84MHz(相对带宽为4.8%),-30dB带宽112MHz,BW_{-3 dB}/BW_{-30 dB}矩形系数1.33。包含封装壳、键合线及汇流条的寄生参数的理论仿真结果与实验测试结果吻合较好,表明了采用此模型设计高频SAW滤波器的可行性。     

小型化双通带声表滤波器设计研究

针对小型化双通带声表面波(SAW)滤波器的需求背景,对两端口、两通带的SAW滤波器的设计技术展开研究。通过搭建包含两组耦合模（COM）参数的双通带SAW滤波器声电协同仿真平台,分析优化滤波器性能,成功研制出CSP2520封装的双通带SAW滤波器，其中心频率分别为1 995 MHz和2 185 MHz，通带带宽均为40 MHz，插入损耗小于3 dB，通带间隔离度大于30 dB。测试与仿真结果基本一致。     

一种扇形结构小型化中频声表面波滤波器

该文研究了一种扇形结构的声表面波设计技术并分析了其工作原理及加权方式,为某电台接收机设计并制作了一款中心频率为374 MHz、-3 dB带宽大于17 MHz、插入损耗小于9.5 dB、通带波纹小于1 dB、带外抑制大于40 dB(10~352 MHz)的器件。将该器件封装在表贴SMD3838小型外壳中,其满足性能指标。结果表明,该器件首次突破了扇形结构中频声表面波滤波器在表贴SMD3838封装的研制,表明扇形结构声表面波滤波器产品实现小型化的可行性。