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双掺杂Zn,Fe:LiNbO3晶体的二波耦合效应的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
在固液同成分LiNbO3中,同时掺入6%ZnO(摩尔比)和0.05%Fe2O3(摩尔比),用提拉法生长了双掺杂Zn,Fe,LiNbO3晶体,这是一种性能优良的光折变晶体材料。文章用二波耦合技术研究了晶体的耦合增益和衍射效率,Zn,Fe:LiNbO3的光致折射率变化值达10^-5,且响应速率达到秒量级,这是双掺Zn,Fe两种杂质共同作用的结果。 相似文献
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Zn:Fe:LiNbO3晶体的生长及位相共轭效应的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在LiNbO3中掺进ZnO和Fe2O3生长出Zn:Fe:LiNbO3晶体。测试了晶体抗光致散射能力、位相共轭反射率和响应时间。研究了Zn:Fe:LiNbO3位相共轭效应增强的机理。 相似文献
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用分子束外延法(MBE)分别在经(NH4)2Sx溶液和S2Cl2溶液钝化的GaAs(100)衬底上生长了ZnSe薄膜.用室温喇曼光谱对不同处理方法的GaAs上所长ZnSe薄膜的晶体质量和ZnSe/GaAs界面进行对比研究.用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系.根据GaAs的LO-等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化,分析了不同S钝化方法对ZnSe/GaAs界面以及ZnSe薄膜质量的影响.结果表明,S2Cl2溶液钝化的ZnSe/GaAs样品具有较低的界面态密度和较好的 相似文献
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用分子束外管生长了不同组分x的Zn1-xMnxSe外延膜和Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格,由于Zn1-xMnxSe的能隙Eg随组分变化在爸组分区形成弓形,且弓形的范围随温度变化的反常特性,首次在光致发光谱(PL)中观测到当温度升高时,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格中由ZnSe为阱、Zn1-xMnxSe为垒转换成Zn-1xMnxSe为阱,ZnSe为垒,瞬态光致发光结果表明,Zn1-xMn 相似文献
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用分子束外延生长了不同组分x的Zn1-xMnxSe外延膜和Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格.由于Zn1-xMnxSe的能隙Eg随组分变化在低组分区形成弓形,且弓形的范围随温度变化的反常特性,首次在光致发光谱(PL)中观测到当温度升高时,Zn1-xMnxSe/Znse超晶格中由ZnSe为阱、Zn1-xSe为垒转换成Zn1-xSe为阱,ZnSe为垒.瞬态光致发光结果表明,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格中Mn++离子的激发态弛豫时间远大于Zn1=xMnxSe外延模中Mn++离子的弛豫时间,这可能是由于 相似文献
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目前国内石英晶体谐振器的测试仪器主要分为阻抗型的晶体测试仪(如广州电子仪器厂的CZ-8A型晶体阻抗计)和PI网络测试系统(如:美国SAUNDERS公司的250A晶体测试仪)两大类,其中阻抗型的晶体测试仪的测量准确度低、测试范围窄、测试项目少。而PI网络测试系统无论从准确度和测试项目上都要比阻抗型的晶体测试仪好的多,所以PI网络测试系统将起着越来越重要的作用;晶体的谐振频率作为晶体的关键参数,它的测试不确定度也越来越引起人们的重视,本文将对PI网络测试系统的代表产品美国SAUNDERS公司的250A晶体测试仪测试晶体频率的不确定度进行分析。 相似文献
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用光助低压MOCVD进行ZnSe及ZnSe:N外延层生长,由发光光谱表明,在光助下生长的本征ZnSe外延膜具有高质量:ZnSe:N外延层中与N有关的深中心发射得到有效抑止,其p-ZnSe受主载流子深度达3×10^17cm^-3。在制备n-ZnSe/ZnCdSe-ZnSeQW/p-ZnSe结构中,在室温下观测到该二极管电脉冲下的蓝色电致发光(EL)。 相似文献
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本文基于热力学平衡计算,首次给出以DMZn和H2Se为源,MOVPE生长ZnSe的相图.文中讨论了ZnSe单一凝聚相区的范围,以及可能出现ZnSe(s)+Zn(s)或ZnSe(s)+Se(l)两种双凝聚相区的条件. 相似文献
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在静压和液氮温度下观察到(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达4阶的类ZnSeLO多声子喇曼散射,并观察到厚ZnSe势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ZnSeLO声子散射.结果表明,加压后(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中的类ZnSe的1LO和2LO声子模频率分别以3.76和7.11cm-1/GPa的速率向高频方向移动,超晶格阱层光致发光峰的压力系数为59.8meV/GPa.与(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格共振时的类ZnSe1LO声子模频率比与ZnSe势垒层共振时的类ZnSe1LO声子模频率低2.0cm-1,反映了(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中LO声子的限制效应 相似文献
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本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Zn0.77Cd0.23Se/ZnSe和ZnSe/ZnS0.12Se0.88的光致发光谱.分析了影响激子线型展宽的主要因素.定量表征了4.4K下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献.理论分析表明,在低温(4.4K)下,合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用.对比结果显示,Zn0.77Cd0.23Se/ZnSe超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ZnSe/ZnS0.12Se0.88超晶格 相似文献
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电子束照射下ZnS向Zn纳米薄膜的转变 总被引:1,自引:0,他引:1
金属纳米晶体材料由于其晶粒小、界面密度高 ,表现出独特的物理、化学性能[1] ,为传统材料的改性和新型功能材料的开发开辟了新路。目前制备纳米材料的方法有金属蒸发凝聚 -原位冷压成型法、机械合金化法、非晶晶化法、电解沉积法以及电子束照射法等[2 ] 。这些方法各有特点 ,其中电子束照射法优点在于真空度高 ,制备纳米微粒纯净度高、尺寸易于控制等。本研究组已用这种方法分别从Al2 O3和MoO3制备了Al和Mo纳米微粒[3 ,4 ] ,并研究了在电子束照射下纳米微粒的结合过程。本文报道了在电子束照射下用ZnS制备Zn纳米薄膜的实验… 相似文献
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我们用分子束外延法在GaAs(100)衬底上生长一种新型的Ⅱ-Ⅳ族宽禁带化合物薄膜Zn1-xMgxSySe1-y.改变生长条件,可以控制Mg和S的组分在0≤x≤1,0≤y≤1.Mg和S的组分用俄歇电子能谱测定.用X-射线衍射技术对样品结构进行的研究发现,对任意Mg和S的组分,ZnMgSSe均为闪锌矿结构.用椭圆偏振光谱仪对材料的能隙和折射率进行的研究表明,加入Mg以后ZnMgSSe样品的折射率比ZnSSe样品的折射率要小,并且ZnMgSSe样品的折射率随民的增大而变小.合理选择x、y,在2.8eV<Eg< 相似文献
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Tl3AsSe3是一种性能优良的红外非线性和声光材料。我们用元素直接化合的方法制备了多晶料,利用Bridgman方法生长出了Tl3AsSe3晶体并对该晶体进行了初步测试。报道了我们的生长方法及有关结果。 相似文献
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用分子束外延法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的四元合金Zn1-xMgxSySe1-7薄膜,在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、X射线衍射和喇曼散射后,提出了一种确定四元合金Zn1-xMgxSySe1-y组分的方法,即:利用ZnSySe1-y和化学配比的MgSe作为标准样品,通过X射线衍射和嘈曼散射测得标准样品ZnSySe1-y中的S组分,再根据ZnSySe1-y和MgSe的俄歇谱图,对各 相 相似文献
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测量了ZnSe,Zn0.84Mn0.16Se合金和ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格的10~300K的变温光致发光谱.发现ZnSe的带隙在10K时比Zn0.84Mn0.16Se合金的带隙小,而在300K时比合金的带隙大.预计ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转.在ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近.超晶格中Zn0.84Mn0.16Se层的应变可能是反转温度变低的原因. 相似文献