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RF VGA提供增益和功率控制单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围,集成了宽带放大器和衰减器,具有60dB动态增益和衰减范围(大约+20dB增益和-40dB衰减),22dBm输出功率水平(1dB压缩点),在1GHz频率和8dB噪声系数下具有+31dBm输出三阶截点。ADIhttp://www.analog.com具有超低抖动的时钟AD951x系列时钟分配芯片集成了低相位噪声的PLL频率合成器内核、可编程分频器和可调延迟单元电路。器件具有亚皮秒抖动的低相位噪声时钟输出,LVPECL时钟输出达800MHz,附加抖动小…     

S波段中功率铁氧体收发双工器的设计

本文叙述了S波段中功率铁氧体收发双工器的设计;研制的S波段中功率铁氧体收发双工器在-40～+70℃的工作温度范围内,器件的技术指标为:工作带宽:400MHz,发射损耗α12≤0.5dB,发射隔离α21≥20dB,接收损耗α23≤1dB,接收隔离α32≥35dB,电压驻波比VSWR≤1.3;承受平均功率20W;外形尺寸为45mmx 18mmx 10mm(max).     

悬臂式RF MEMS开关的设计与研制

介绍了一种制作在低阻硅(3～8Ω*cm)上的悬臂式RF MEMS开关.在Cr/Au CPW共面波导上,金/SiOxNy/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂,静电受激作为开关机理.当开关处于"关断"态,其隔离度小于-35dB(20～40GHz);阈值电压为13V;开关处于"开通"态,插入损耗为4～7dB(1～10GHz),反射损耗为-15dB.另外,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系,并应用ANSYS软件对开关进行了电学、力学及耦合特性的计算机模拟.     

Design and Fabrication of Millimeter-wave DC-contact Series MEMS Switch

设计了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关.为了在毫米波波段获得较高的隔离度,通过使用短截线结构,以降低输入输出端口的耦合电容.为了获得可靠的金属接触,设计了一种改进型的“蟹形”桥结构.测试结果显示,在30 GHz,插入损耗为-0.3dB,隔离度为-20 dB.在DC～40 GHz的频率范围内,插入损耗优于-0.5 dB,隔离度优于-20 dB.所设计的串联接触式RF MEMS开关,可应用于20～40 GHz的频率范围内.     

CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器

陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器(LNA).该LNA用标准90-nm RFCMOS工艺实现并具有如下特征:在28.5～39 GHz频段内测得的平坦增益大于10 dB;-3 dB带宽从27～42 GHz达到了15 GHz,这几乎覆盖了整个Ka带;最小噪声系数(NF)为4.2dB,平均NF在27 ～ 42 GHz频段内为5.1 dB;S11在整个测试频段内小于-11 dB.40 GHz处输入三阶交调点(IIP3)的测试值为+2 dBm.整个电路的直流功耗为5.3 mW.包括焊盘在内的芯片面积为0.58 mm×0.48 mm.     

重模剩余类环的一一幂变换及其在保密通信中的应用

本文讨论在一类重模剩余类环上建立公钥密码体制的条件,主要结果是:设域F=GF(p),p为素数,f_1(x),f_2(x),…,f_3(x)是多项式环F[x]上两两互素的不可约多项式,deg f_i(x)=n_i,i=1,2,…,s。sum from i=1 to s(n_i)=n, 设f(x)=multiply from i=1 to s(f_i(x)),则deg f(x)=n。定义重模剩余类环F[x]/(f(x))的幂变换为σ_k:α→α~k(moddp,f(x)),α∈F[x]/(f(x)),k∈N,当且仅当k∈Z_q~*时,σ_k为F[x]/(f(x))的一一幂变换,这里q=[p~(n1)-1,p~(n2)-1,…,p~(ns)-1],Z_q~*表示整数模q的缩系。     

接插元件、继电器、开关、熔断器

0101867平面变压器的结构原理与应用[刊]/罗利文//电子技术应用.—2000,26(10).—65～66(D)大多数 DC/DX;变换器都需要隔离变压器,而平面变压器技术在隔离变压器的许多方面实现了重要的突破。介绍了平面变压器的结构、性能和使用方法。参3Y2000-62474-689 0101868信号频率为0.25GHz～40GHz 的低驱动电压射频微电机械系统开关=Low actuation voltage RF MEMSswitches with signal frequencies from 0.25GHz to 40GHz[会,英]/Shen,S.C.& Feng.M.//1999 IEEE Inter-national Electron Devices Meeting.—689～692(PC)介绍一种新的低压无线电频率微电机械系统(RFMEMS)开关,其开关电压为14～17V。当开关以40GHz 接通时,介入损耗不超过0.5dB,返回损耗为-15dB;当处于断开状态时,在0.25GHz～40GHz 频带上可达到27dB 以上隔离。描述了开关结构、制造过程     

Design and analysis on a Gires-Tournois resonator based interleaver

A flat-top interleaver,in which a mirror on one arm of the Michelson interferomefer is replaced by a G-T resonator,is proposed.In the interleaver,the parameters including the channel spacing of 50 GHz,ripple less than 0.05 dB,-0.5 dB passband of 43 GHz(86% of the spacing),-30 dB stopband of 42 GHz(84% of the spacing),and a channel isolation higher than 40 dB,are achieved.     

光通信用宽动态范围10 Gb/s CMOS跨阻前置放大器

采用UMC 0.13 μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10 Gb/s)光接收机前置放大器.该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC形式的跨阻放大器实现.同时,引入消直流电路来扩大输入信号的动态范围.后仿真结果表明:双端输出时中频跨阻增益约为57.6 dBΩ,-3 dB带宽为10.7 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度为18.76 pA/sqrt(Hz),1.2V单电压源下功耗为21 mW,输入信号动态范围40 dB(10 μA～1 mA).芯片面积为0.462 mm×0.566 mm.     

基于CMMB标准的自校正CMOS椭圆低通Gm-C滤波器

提出了一种基于CMMB(中国移动多媒体广播)标准的9阶椭圆函数Gm-C滤波器结构.该滤波器截止频率为3.75MHz,通带波纹小于1dB,过渡带宽500kHz,在4.25MHz处衰减达40dB以上,功耗为7mW.采用0.25μmCMOS工艺,在自动校正电路的作用下,该滤波器在工艺偏差(温度在-40～90℃交化以及±10%的电源电压偏差)的情况下也能保持良好的性能,截止频率偏差不超过1%,临近信道抑制超过40dB.     

Ba_(6-3x)(Nd_(1-y)Bi_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)系微波介电陶瓷的研究

研究了Ba_(6-3x)(Nd_(1-y)Bi_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)(x=0～1)陶瓷微波性能,并对其微观机理和晶体结构进行分析.随Bi_2O_3含量的增加,系统介电常数(ε)迅速增大,品质因数与频率的乘积(Q·f)逐渐减小.掺入Bi_2O_3后,系统中出现具有高ε的Bi_4Ti_3O_(12)晶相,并形成了类填满型钨青铜结构,阳离子极化增强,因此ε随Bi_2O_3含量的增加而增大.实验表明,当y=0.25～0.3时,Ba_(6-3x)(Nd_(1-y)Bi_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)(x =0～1) 陶瓷具有优良的微波介电性能,其主要工艺条件和性能参数为烧结温度1 200 ℃保温4 h,ε≈102～107,Q·f≈20 000～22 000 GHz(1 GHz测量), 容量温度系数|αc|<10×10~(-6)/℃.     

Riemann-Stieltjes积分与M/α-Si势垒静态分析

本文介绍一种研究M/α-Si势垒的方法.利用Riemann-Stieltjes积分的中值定理,定义了一个α-Si的“有效隙态密度g(E_t)”,利用g(E_t),M/α-Si势垒区泊松方程很容易解析求解.在静态(外加偏压V_0=0)情形下,这个解是一个类指数衰减函数,其随距离x的衰减速率取决于g(E_i),而与α-Si隙态密度分布函数g(E)的具体形式没有直接关系.对本研究所用的实验样品Cr/α-Si:H,已经测得其α-Si的有效隙态密度是g(E_i)=6×10~(15)～1.5×10~(16)cm~(-3)eV~(-1)     

UHF应用的低噪声GaAs双栅场效应晶体管

本文报告的 UHF应用的低噪声 GaAs双栅金属肖特基势垒接触场效应晶体管,用 GaAs高阻衬底-n汽相外延材料,金属铝栅 1.5 ×300μm.器件封装用简化的环氧树脂粘结的陶瓷管壳.器件的工作参数为V(DS)～4V,V_(g_1s)～-2V,V_(g_2s)～0V,此时I_(DS)～6mA 1GHz 下NFmin 1.2dB(最佳0.8dB),G_a10dB,G_R45dB.场效应晶体管在UHF电视机和步话机上初步应用,性能良好.     

用于UHF RFID读写器的可编程高线性上混频器

采用标准0.18 μm CMOS工艺,设计了一款应用于900 MHz UHF RFID读写器的有源I/Q正交上混频器.通过直流电平转换电路控制I/Q支路的信号输入,实现了ISO/IEC 18000-6协议所要求的3种调制方式(SSB-ASK,DSB-ASK和PR-ASK),并且实现了可控调制深度.在进行SSB-ASK调制时,得到的仿真结果为:上混频器的输入1 dB压缩点为-3 dBV,转换增益为2.34dB,输出1dB压缩点为-1 dBm,镜像边带抑制比为-40 dBc,双边带噪声系数为14.68 dB.     

一种用于笔记本电脑的双频段八天线系统

提出了一种应用于笔记本电脑的双频段八天线系统.该八天线系统由一个四天线系统、两个双天线系统和两个T形谐振带构成.在分析了四天线系统和两个双天线系统的耦合机理后,提出了减小耦合的方法.实测结果表明:天线样品在2.4-GHz无线局域网(Wireless Local Area Network,WLAN)频段的-10 dB公共阻抗带宽为90 MHz(2.4～2.49 GHz),在5.2/5.8-GHz WLAN频段的-10 dB公共带宽为0.9 GHz(5.15～6.05 GHz),其中在5.15～5.19 GHz频段内的反射系数为-9.5～-10dB;八个天线单元在2.4/5.2/5.8-GHz WLAN频段内的互耦均低于-15 dB;在2.4-GHz和5.2/5.8-GHz WLAN频段内的增益分别高于2.7 dBi和3.3 dBi、效率分别高于53％和65％.根据实测三维辐射方向图计算了八天线系统的包络相关系数.     

低本振宽带混频器

本本介绍一种低本振电平(P_L为-5dBm～-15dBm),加偏置的宽带专用混频器。其典型指标为:在3.5～6.4GHz频带内,变频损耗(当P_L为-10dBm时)Lc约7.5dB、波动±1dB、并且可在3～7GHz频带内正常工作,L_c小于9dB,中频频率为100～200MHz。     

单片分布式放大器的研制

采用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了单级和两级两种结构的微波毫米波单片分布式放大器.在设计中采用电阻-电容结构代替传统分布式放大器中的终端电阻以降低直流功耗,在输入端加入短路线增强静电保护.根据应用需求设计了相应的放大器电路结构,实现了两种分布式放大器,比较了这两种结构在增益与功率容限方面的特点.第1种分布式放大器采用单级四管结构,在10～40GHz频段内,增益为(9.4±1.1)dB,1dB压缩点最大输出功率为21.5dBm;第2种分布式放大器采用两级双管级联结构,在15～40GHz频段内,增益为(12.2±1.4)dB,1dB压缩点最大输出功率为17dBm.     

级连L波段EDFA优化的数值模拟与实验

对级连结构的L波段EDFA进行了优化设计.首先用加拿大Optiwave的OptiAmplifier4.0数值模拟了在其他条件确定情况下两级光纤长度比例变化对放大器性能的影响,在优化光纤长度比例的基础上,为了得到更宽的L-EDFA的本征平坦增益谱,进一步优化了前后级泵浦功率.在上述条件下利用42 m的铒纤得到实验结果为:ASE谱3 dB带宽1566.84～1606.80 nm(40 nm).在L波段(1570～1605 nm),小信号平均增益约为25 dB,增益不平坦度为±1 dB,噪声指数约为5 dB.     

S／X双波段双极化共口径天线阵的设计

提出一种S/X双波段双极化共口径天线阵的新设计,以紧凑的三层结构实现了1:3的频率比.X波段采用双层贴片,并在下层贴片上开缝以提高其极化端口间的隔离度.S波段采用缝隙,刻蚀在X波段贴片的地板上,从而减少了阵列层数,简化了天线结构.仿真结果验证了本设计的有效性.X波段的相对阻抗带宽(S11≤-10dB)达15.5%(中心频率为9.6GHz),频带内隔离度大于25dB的带宽为1.2GHz,隔离度最大值达40dB.S波段为单层结构,相对阻抗带宽为5.5%(中心频率为3.3GHz).频带内隔离度优于27dB.试验阵列双波段交叉极化电平均低于-30dB.     

一种集成式光波分复用单PIN探测器

文章对一种主要应用于光纤有线电视(CATV)中的集成光波分复用的单PIN探测器进行了分析和实验,该器件用于数据的上传、下载以及CATV信号的接收.实验指标可以满足:响应度在1 550 nm波段＞0.9 A/W,插损＜0.8 dB,1 550 nm隔离度＞20 dB,回损＞45 dB,双通道二阶互调非线性指标(CSO)＞70 dB,工作温度为-40～85℃.