基于微焦点X射线BGA焊点缺陷检测

BGA封装是是一种高集成的封装方式,其焊点缺陷会影响封装器件性能。为克服全局阈值分割、边缘检测方法对BGA焊点缺陷检测错误率较高的问题,本文提出采用Otsu阈值分割、轮廓提取、边界跟踪方法提取焊点轮廓,并用灰度形态学顶帽操作、直方图拉伸、Blob分析提取焊点气泡轮廓。通过分析BGA焊点缺陷类型及特征,提出基于焊点轮廓、气泡轮廓特征参数的焊点检测与分类算法。试验研究表明该算法较全局阈值、Canny算子焊点缺陷检测的准确率高,能够准确的完成焊点缺陷分类。     

焊缝表面缺陷的涡流红外热成像检测

焊缝对金属结构的完整性起关键作用,而焊缝表面气孔缺陷是威胁金属结构整体性的缺陷之一。文中将涡流热成像技术与漏磁相结合,实现对人工模拟焊缝表面气孔缺陷的快速检测与全面描述。通过采用数值模拟方法分析了检测区域电磁场分布和温度分布,验证该方法可在检测区域形成相对均匀的电磁场。利用涡流热成像实验平台对不同直径与深度表面气孔缺陷进行实验检测,分析缺陷大小对温度的影响。同时与ICA图像处理算法相结合,减小焊缝边缘效应的影响,进一步增强原始图像中缺陷特征。结果表明:该方法对尺寸较小的气孔缺陷具有较高的灵敏度,可以显著提高焊缝缺陷检测能力,且相对于气孔缺陷深度,缺陷直径对于表面温度影响较大,可利用温度曲线1阶导数峰值更清楚识别不同大小的缺陷。     

面向缺陷知识的多特征匹配搜索算法

缺陷数据分析正成为软件工程领域的热点,现有缺陷分析技术无法有效处理复杂和冗余的缺陷数据,以高效地辅助缺陷修复工作.本文提出一种多特征匹配搜索算法——MMSBK(Multi-feature Matching Search Algorithm for Bug Knowledge).首先对缺陷问题进行分析,抽取其包含的缺陷实体及关系;然后,基于实体和关系匹配将缺陷问题与缺陷知识图谱关联,通过知识图谱的关联性和可视化帮助软件开发搜索缺陷知识;最后,基于匹配算法生成的缺陷关系三元组生成搜索结果子图.实验验证了MMSBK算法的有效性.     

一种模糊小目标的自适应阈值分割方法

文章提出了一种基于顶帽变换和边缘检测的强噪声背景下的目标提取方法。模糊背景下图像的目标提取存在一定的困难,必须对图像进行增强处理。文中涉及到的目标具有不同的灰度值,固定阈值法不能保证检测出所有的目标。在原有自适应阈值分割的基础上设计了一种基于顶帽变换和边缘检测的自适应阈值分割方法,首先对图像进行顶帽变换增强图像,再利用Sobel边缘提取算法提取所有可能目标的边缘,利用原图像中对应边缘点的灰度取平均值作为图像分割的阈值来提取目标。实验结果表明:利用检测出的边缘灰度均值作为图像的灰度阈值来分割目标,能有效地提取出模糊小目标。     

CZ硅单晶中原生缺陷的特性

描术了ＣＺ硅单晶中原生缺陷的分类,形成机理及它们对相关器件性能的影响,并就其控制和消除的方法进行了讨论。     

基于缺陷分类的软件缺陷分析方法

结合实例介绍了几种常用的、基于缺陷分类的缺陷分析方法,并对这些方法在缺陷分析过程中的应用进行了讨论.通过对这些缺陷分析方法的剖析,使得项目组能够掌握应用,并对软件质量和开发过程有较清楚的认识,为今后软件质量的提高和开发程序的改进提供帮助.     

TFT—LCDs的缺陷检测和修补技术

概述了 TFT-LCDs 的缺陷分类、成因以及各种 TFT-LCDs 无缺陷技术,着重阐述了 TFT 矩阵板的一种电气缺陷检测原理和确定缺陷类型及位置的方法;介绍了各种缺陷的激光修补技术。     

光刻掩模缺陷对IC成品率的影响

本文叙述了光刻掩模的缺陷对IC成品率的影响，着重介绍了缺陷产生的原因及消除的方法，并对国内外光刻掩模生产现状作简要介绍。     

IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较

本文对现有的IC制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较,得到了一些有意义的结果。该结果为进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。     

基于BP神经网络的管道缺陷识别

为了能够自适应地识别管道内部缺陷,针对目前管道内部图像须有人工实时检测的弊端,提出了一种以机器学习完成缺陷分类的方法。该方法通过训练好的BP人工神经网络智能识别管道内缺陷及其种类,通过图像处理技术提取管道内各参数,最后利用管道内边缘周长、面积、辉度等参数识别缺陷类型。实例应用结果表明:该方法能够有效地识别异物、裂纹、堵塞。     

Formation Mechanism of PPS as Antireflection Coating

The whole chemical etching process on a P-type polycrystalline silicon substrate with resistivity 1-2Ω·cm is described. The formation mechanism of porous polycrystalline silicon(PPS) microstructure was investigated. Those how the initial pits were formed and an uniform morphology of PPS was obtained are explained. Two types of etching mechanism were characterized as defect control reaction and diffusion control reaction. The morphology formed after the isotropic acidic solution etching with different etching time and HF/HNO_(3 )concentration was compared with the effect of the same etching process after anisotropic alkaline etching. The study showed that the thickness of porous polycrystalline silicon layer with chemical acidic etching entirely depended on the existence of various types of defects.     

自动缺陷检查—一种减少缺陷密度,提高成品率的方法

本文论述了寻代缺陷源的工作，缺陷会导致硅片上的管芯失效。要做这一工作，必须能够在线确定缺陷的类型和密度，以确定缺陷是在工艺中的哪几步产生的。通常有两种方法：一种是用显微镜对产品或测试片进行检查；第二种是使用电测试结构的短流程试验，在作ＶＬＳＩ技术的工程分析时，这两种方法都有明显的局限性。镜检的数据缺乏可重复性，并且，不同操作者的结果有很大降到很低的水平。电测试结构需要一层经光刻和腐蚀的导电薄膜，使     

酸轧机组来料厚度缺陷控制技术开发与应用

在酸轧机组生产过程中，来料质量非常关键。特别是来料厚度突变缺陷不仅会影响酸洗效果，引起表面板形不良，还会造成轧机断带、堆钢，造成长时间机组停机，严重情况下还会损坏轧机主传动系统的设备。本文以酸轧机组来料厚度突变缺陷重点，着重阐述了厚度缺陷跟踪的原理以及实现方法，并提出了对策措施。     

面阵探测器相连缺陷元识别定位

面阵探测器相连缺陷元的光电信号与正常元基本相同,因此采用现有面阵测试方法无法识别相连缺陷元.针对相连缺陷元的特点,提出了借助改变面阵探测器光电响应的方法来实现相连缺陷元的识别定位.实验结果表明,该方法使面阵探测器分为两个不同透过率探测单元,多元相连缺陷元响应电压是相对应的两个不同透过率探测单元响应电压之和的平均值.采用MATLAB软件对测试数据进行分析处理,分析结果清晰给出缺陷元诸如个数、形状和位置等详细信息.采用本方法面阵探测器相连缺陷元可以被显著识别定位.研究结果为今后的面阵探测器评测与可靠性提高提供了参考.     

MATLAB在TFT-LCD屏显示MURA缺陷检测的应用

提出一种以MATLAB为主要工具的TFT-LCD屏显示缺陷检测方案,该方案根据CMOS工业摄像机采集到的数字图像,结合二维图像拟合技术和以韦伯定律为原理的自动阈值获取技术,使用MATLAB作为数字图像分析工具实现对屏幕缺陷的检测。介绍了该方案的硬件组成和检测原理,给出了MATLAB算法流程和部分代码、介绍了GUI检测界面的设计和详细的检测步骤及结果,为TFT-LCD液晶屏显示缺陷的检测提供了一种快速有效的方法。     

基于图像区域划分的轨道缺陷自动检测技术研究

轨道表面缺陷检测是保障铁路运输安全的重要手段之一,本文设计了基于机器视觉的轨道缺陷自动检测系统,并对钢轨表面缺陷提取技术进行了研究。改进了最大类间方差自适应阈值分割算法,提出了基于轨道峰区检测的自适应二值图像投影法快速提取钢轨表面区域;最后,采用内部点掏空法和链码跟踪算法获取并存储缺陷轮廓信息,实现了钢轨表面缺陷区域的自动检测。实验结果表明:本文所采用的方法可快速定位钢轨区域,并自动准确提取缺陷图像,平均每幅图像耗时11 ms,从而为后续缺陷的测量和识别奠定基础。     

红外热成像缺陷检测的形态学处理方法研究

采用形态学处理方法对所采集到的图像进行预处理,并与传统的预处理方法进行比较;同时提出了运用旋转跟踪法检测图像边缘的算法。结果显示这些方法能够有效地去噪、检测图像中的细节,定位准确、效率高。     

晶圆干燥缺陷的机理与控制

长期以来,人们对于硅片在经过HF湿法处理之后出现的水印早已有所认识,尤其是图形包含亲水和疏水层时最为明显。我们系统地研究了经过HF后道处理之缺陷形成的机理,并确认了与先前报道的水印截然不同的缺陷类型。根据X射线和其它分析表明,认为这些缺陷与周围环境残余的汽相HF和随后的晶圆表面反应有关。根据反应腔室HF浓度的不同可以产生不同类型的缺陷。由于水印是由硅在水中的氧化和随后产生的氧化物的分解形成的,少量的HF具有加速这个过程的效果。形成不同缺陷的条件,还有避免这些缺陷的策略均得以认定。正确的排空管理是一个关键的因素。最后发现,重参杂的硅更易产生缺陷。